一种用于发光二极管失效分析的芯片剥离方法与流程

本发明涉及一种用于发光二极管失效分析的芯片剥离方法，属于半导体。

背景技术：

1、随着发光二极管技术的不断进步，其已被广泛的应用于显示、照明、装饰、通讯等各个领域。但在使用过程中，因使用条件、封装缺陷、芯片本身缺陷等原因，可能导致发光二极管产生各种形式的失效。在进行失效分析时，需要将发光二极管从封装材料中完整的取出且不能对发光二极管本身的结构和外观产生影响。

2、现有技术中，一般采用化学溶液(强酸、有机溶剂等)溶解方式对led封装胶体进行腐蚀，腐蚀后取出发光二极管芯片进行分析，如中国专利文件cn102053218a公开的一种用于发光二极管失效分析的芯片取出方法，但该专利的化学溶解方法，腐蚀时间较难控制，容易腐蚀发光二极管芯片，造成其结构和外观的破坏，导致失效分析失败，同时，因化学溶液的腐蚀性，易对操作人员身体健康或环境造成损害，另外，中国专利文件cn204882806u公开了一种发光二极管失效分析解剖装置，可免于化学腐蚀，但需额外购置调温加热台、砂轮打磨机等设备，且对操作技术要求较高，不利于实施。为此，提出本发明。

技术实现思路

1、针对现有技术的不足，本发明提供一种用于发光二极管失效分析的芯片剥离方法，对发光二极管进行高温高压蒸煮，在热胀冷缩效应作用下，封装胶体与芯片粘附性降低，随后通过物理剥离的方式，将发光二极管芯片剥离取出，绿色环保、操作简单，且剥离得到的发光二极管芯片表面洁净，无二次污染损坏。

2、本发明的技术方案如下：

3、一种用于发光二极管失效分析的芯片剥离方法，发光二极管包括支架和芯片，芯片通过封装胶体固定于支架，剥离步骤如下：

4、(1)将封装的发光二极管用去离子水超声清洗；

5、(2)将清洗后的发光二极管放置于高压容器中,加入去离子水进行蒸煮；

6、(3)将蒸煮后的发光二极管取出，用刀片沿支架表面与芯片底部水平位置切割，使封装胶体连同芯片一起从支架分离；因封装胶体在高温高压蒸煮后受热膨胀，其与芯片间粘附性降低，方便后续物理操作；

7、(4)在体式显微镜下观察分离后的封装胶体底部，可看到芯片嵌入其中，使用尖头刀片从芯片旁边位置向下挖，将芯片连同少部分封装胶体一同撬下；

8、(5)用刀片或镊子将撬下的芯片周围的封装胶体去除，得到完整、表面洁净的发光二极管芯片。

9、根据本发明优选的，步骤(1)中，超声清洗时间为10～200s。

10、根据本发明优选的，步骤(2)中，高压容器选用高温高压蒸煮仪或者高压锅，高压锅为现有常规用具，价格低廉，满足剥离需求的同时降低成本。

11、根据本发明优选的，步骤(2)中，蒸煮压力为50～80kpa，温度为105～120℃。

12、根据本发明优选的，步骤(4)中，刀片向下挖的位置在芯片周侧1～2mm处。

13、本发明的有益效果在于：

14、本发明利用发光二极管封装材料的热胀冷缩效应，采用高温高压蒸煮方式，使发光二极管与封装胶体材料间粘附性降低，然后通过物理剥离的方式剥离取出发光二极管芯片。与传统方法相比，该方案无额外设备投入，不使用化学试剂，同时剥离取出的芯片不受化学溶液的影响，芯片完整洁净，便于失效分析更加准确、快捷的实施。

技术特征：

1.一种用于发光二极管失效分析的芯片剥离方法，其特征在于，发光二极管包括支架和芯片，芯片通过封装胶体固定于支架，剥离步骤如下：

2.如权利要求1所述的用于发光二极管失效分析的芯片剥离方法，其特征在于，步骤(1)中，超声清洗时间为10～200s。

3.如权利要求1所述的用于发光二极管失效分析的芯片剥离方法，其特征在于，步骤(2)中，高压容器选用高温高压蒸煮仪或高压锅。

4.如权利要求1所述的用于发光二极管失效分析的芯片剥离方法，其特征在于，步骤(2)中，蒸煮压力为50～80kpa，温度为105～120℃。

5.如权利要求1所述的用于发光二极管失效分析的芯片剥离方法，其特征在于，步骤(4)中，刀片向下挖的位置在芯片周侧1～2mm处。

技术总结
本发明涉及一种用于发光二极管失效分析的芯片剥离方法，属于半导体技术领域。剥离步骤如下：(1)将封装的发光二极管用去离子水超声清洗；(2)将清洗后的发光二极管放置于高压容器中,加入去离子水进行蒸煮；(3)将蒸煮后的发光二极管取出，用刀片沿支架表面与芯片底部水平位置切割，使封装胶体连同芯片一起从支架分离；(4)在体式显微镜下观察分离后的封装胶体底部，使用尖头刀片从芯片旁边位置向下挖，将芯片连同少部分封装胶体一同撬下；(5)用刀片或镊子将撬下的芯片周围的封装胶体去除，得到完整、表面洁净的发光二极管芯片。本发明绿色环保、操作简单，且剥离得到的发光二极管芯片表面洁净，无二次污染损坏。

技术研发人员：徐盼盼,闫宝华,刘清海
受保护的技术使用者：山东浪潮华光光电子股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15