应用于纳米探针台的测试方法与流程

本申请涉及半导体集成电路失效分析的，具体涉及一种应用于纳米探针台的测试方法。

背景技术：

1、探针测试是硅片测试中一个非常重要的测试项目，纳米探针台是样品进行纳米尺寸电性测试(efa)的关键设备，主要通过搭接芯片内部线路或接触孔，使芯片外接电性量测设备，借此输入讯号并量测电特性曲线，其主要特点是可以进行纳米尺寸的电性测试。

2、良好的凹凸度是样品在接触孔孔层次进行纳米探针测试的必要条件，然而，传统制样手段使用sio2研磨液浸泡样品时，sio2加水后会与钨孔发生光化学反应，使接触孔呈现凹陷状态，以致正常下针时存在接触不良的现象，而下针过度后探针易弯曲变形，加剧了探针的损耗。

技术实现思路

1、为了解决上述问题，本申请提供了一种应用于纳米探针台的测试方法。

2、本申请实施例提供了一种应用于纳米探针台的测试方法，包括：

3、s1：提供一待测样品，所述待测样品的表面形成有二氧化硅层，所述二氧化硅层中形成有接触孔；

4、s2：将所述待测样品置于第一混合溶液中浸润第一时长，以刻蚀所述待测样品表面的部分二氧化硅，所述第一混合溶液为氧化物蚀刻缓冲剂和水的混合溶液；

5、s3：清洁所述待测样品；

6、s4：利用纳米探针台测试清洁后的所述待测样品。

7、在一些实施例中，所述氧化物蚀刻缓冲剂为氟化氨和氢氟酸的混合溶液。

8、在一些实施例中，在所述第一混合溶液中，所述氧化物蚀刻缓冲剂和水的体积比为1∶1。

9、在一些实施例中，所述第一时长为5s。

10、在一些实施例中，所述清洁所述待测样品，包括：

11、清水冲洗所述待测样品，并持续第二时长；

12、吹干所述待测样品表面残留的水渍。

13、在一些实施例中，所述第二时长为2min。

14、在一些实施例中，在所述s2中，发生的总反应为：

15、sio2+6hf→h2sif6+2h2o。

16、在一些实施例中，所述接触孔内填充的金属为钨。

17、本申请技术方案，至少包括如下优点：

18、1.通过将待测样品浸润在第一混合溶液中并持续第一时长，可以刻蚀待测样品表面的部分二氧化硅，使得顶部呈凹陷状的接触孔变成凸出状态，便于后续纳米探针的对接，解决了由于接触孔呈现凹陷状态，以致正常下针时存在接触不良的现象，而下针过度后探针易弯曲变形，加剧了探针的损耗的技术问题。

技术特征：

1.一种应用于纳米探针台的测试方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化物蚀刻缓冲剂为氟化氨和氢氟酸的混合溶液。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一混合溶液中，所述氧化物蚀刻缓冲剂和水的体积比为1∶1。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一时长为5s。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述清洁所述待测样品，包括：

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第二时长为2min。

7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述s2中，发生的总反应为：

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述接触孔(2)内填充的金属为钨。

技术总结
本申请公开了一种应用于纳米探针台的测试方法，包括：S1：提供一待测样品，所述待测样品的表面形成有二氧化硅层，所述二氧化硅层中形成有接触孔；S2：将待测样品置于第一混合溶液中浸润第一时长，以刻蚀所述待测样品表面的部分二氧化硅，所述第一混合溶液为氧化物蚀刻缓冲剂和水的混合溶液；S3：清洁所述待测样品；S4：利用纳米探针台测试清洁后的所述待测样品。本申请通过上述方案，能够解决相关技术中接触孔凹陷导致的纳米探针正常下针时存在接触不良的技术问题。

技术研发人员：刘云,舒韵,夏兰,黄红伟
受保护的技术使用者：华虹半导体（无锡）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15