一种平行光阵列芯片读数光电磁电复合码编码器的制作方法

文档序号:36330375发布日期:2023-12-10 05:46阅读:55来源:国知局
一种平行光阵列芯片读数光电磁电复合码编码器的制作方法

本发明涉及传感器,尤其涉及一种平行光阵列芯片读数光电磁电复合码编码器。


背景技术:

1、电编码器作为一种传感器,由国防军工部门逐步扩散到民用工业部门。如由在火炮指挥仪,航天飞行器,军车雷达上应用扩散到数控机床、机器人、自动控制生产线、电机等。目前的光电编码器主要采用光电对管、发光管光电池结构,通过光电转换,实现速度环、位置环检测。

2、但由于光电管、光电池的自身局限,其应用温度为-10℃~70℃,基本原理是通过动、静光栅的光闸效应实现光电转换,动、静光栅间隙为0.08~0.1mm,不容许有轴向串动。如轴向串动,易造成动、静光栅盘擦碰碎裂导致编码器失效,影响产品的质量及产品的使用寿命。


技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种平行光阵列芯片读数光电磁电复合码编码器,解决了在电编码器中轴向串动,易造成动、静光栅盘擦碰碎裂导致编码器失效,影响产品的质量及产品的使用寿命的问题。

2、为实现上述目的,本发明采用的一种平行光阵列芯片读数光电磁电复合码编码器,包括平行光源、组合主体、轴承、主轴、轴套、螺钉、光栅盘、电路板、壳体、磁钢和插头,所述轴承与所述组合主体固定连接,并位于所述组合主体的内部,所述轴套与所述组合主体固定连接,并位于所述组合主体的内部,所述主轴与所述轴承连接,并位于所述组合主体的内部,所述平行光源和所述电路板分别与所述组合主体固定连接,所述磁钢与所述轴套连接,所述螺钉贯穿所述壳体,并插入至所述组合主体内,所述插头与所述壳体固定连接,所述光栅盘与所述轴套固定连接,所述电路板上安装有所述光电ic阵列芯片和所述磁电ic芯片。

3、其中,所述平行光阵列芯片读数光电磁电复合码编码器还包括支柱,所述电路板和所述组合主体之间设置有所述支柱。

4、其中,所述平行光阵列芯片读数光电磁电复合码编码器还包括电路模块,所述电路模块设置于所述电路板上。

5、其中,所述电路模块包括电阻r1和电阻r2,所述光电ic阵列芯片分别连接所述电阻r1、所述电阻r2、电源vcc、接地gnd、信号a、信号b、零位信号z和绝对位置信号j。

6、本发明的一种平行光阵列芯片读数光电磁电复合码编码器,通过所述轴承和所述主轴的承重载型结构能够适用于偏心受力重载环境。由于采用所述光电ic阵列芯片进行数据读取,其高质量的原信号可进一步提高编码器的定位精度和运行速度;由于磁电感应读取部分采用所述磁电ic芯片,同时内置放大整形电路并采用芯片邦定在所述电路板上,编码器工作时所述光栅盘旋转产生相对运动,芯片产生原信号并在芯片内经过放大整形处理,即可输出稳定可靠的脉冲信号,带载能力强,提高了编码器的可靠性及抗干扰性能;解决传统光电管光电池方案的原信号弱离散性大易受干扰及后继电路复杂的难题;由于无需静光栅,所述平行光源及芯片内部集成电路处理信号,使其间隙可达0.4mm(容许轴向串动+/-0.10mm),径向游隙+/-0.04mm,这样就大幅降低了编码器对轴承、轴系的使用要求,使编码器的整体性能,环境适应能力大幅提高,使用寿命延长,和传统的光电对管、发光管光电池结构编码器使用寿命比较,可提高10倍左右。同时,由于采用所述磁电ic芯片进行数据读取,其高质量的原信号经过读取、解析、编码,能输出编码器的定位精度和运行速度的绝对值编码;由于码盘和所述磁钢固定在轴端的所述轴套上,所述光电ic阵列芯片编码出增量码、所述磁电ic芯片编码出绝对值码,为同步输出。即可输出稳定可靠的脉冲信号,带载能力强,提高了编码器的可靠性及抗干扰性能,满足了用户的特定要求,获得提高产品的质量及产品的使用寿命的效果。



技术特征:

1.一种平行光阵列芯片读数光电磁电复合码编码器,其特征在于,

2.如权利要求1所述的平行光阵列芯片读数光电磁电复合码编码器,其特征在于,

3.如权利要求1所述的平行光阵列芯片读数光电磁电复合码编码器,其特征在于,

4.如权利要求3所述的平行光阵列芯片读数光电磁电复合码编码器,其特征在于,


技术总结
本发明涉及传感器技术领域,具体涉及一种平行光阵列芯片读数光电磁电复合码编码器;包括平行光源、组合主体、轴承、主轴、轴套、螺钉、光栅盘、电路板、壳体、磁钢和插头,轴承与组合主体固定连接,并位于组合主体的内部,轴套与组合主体固定连接,并位于组合主体的内部,主轴与轴承连接,并位于组合主体的内部,平行光源和电路板分别与组合主体固定连接,磁钢与轴套连接,螺钉贯穿壳体,并插入至组合主体内,插头与壳体固定连接,光栅盘与轴套固定连接,电路板上安装有光电IC阵列芯片和磁电IC芯片,通过上述结构,获得提高产品的质量及产品的使用寿命的效果。

技术研发人员:刘权,陈志宏
受保护的技术使用者:无锡睿嘉格恩光电科技有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/15
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