本发明涉及对磁场的磁场分布进行整形(shaping)的电流传感器系统。
背景技术:
1、存在许多需要测量电流的应用。作为一个示例,可能需要测量电动交通工具的电池系统的一个或多个电流。在另一个示例中,可能需要测量提供给负载(诸如电机)的一个或多个电流。在又一个示例中,可能需要测量功率分配系统的一个或多个电流或者电路中的一个或多个电流。
2、因为流过电流承载导体的电流产生磁场,该磁场具有与电流的大小成比例的磁场通量密度,所以磁场传感器可以被用作电流传感器。通过将磁场传感器放置在电流承载导体附近,磁场传感器可以生成与由磁场传感器感测到的磁场成比例的可测量的量,诸如电压。然而,注意,电流承载导体周围的空间中的磁场通量密度随着距电流承载导体的距离的增加而相反地减小。因此,磁场传感器的传感器元件被放置为紧邻电流承载导体。
技术实现思路
1、在一些实施方式中,电流传感器系统包括:磁场存储器,该磁场传感器包括芯片平面、第一传感器元件集合以及第二传感器元件集合,第一传感器元件集合对在平行于芯片平面的第一方向上对齐的第一磁场分量敏感,第二传感器元件集合对在垂直于芯片平面的第二方向上对齐的第二磁场分量敏感,其中第一传感器元件集合包括第一传感器元件和第二传感器元件,并且其中第二传感器元件集合包括第三传感器元件和第四传感器元件;第一导体结构,在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上穿过电流传感器系统的第一部分,其中第一导体结构被配置成承载平行于第三方向的电流;第二导体结构,被电连接到第一导体结构,其中第二导体结构在第三方向上穿过电流传感器系统的第二部分,其中第二导体结构被配置成承载反平行于第三方向的电流;以及第三导体结构,被电连接到第二导体结构,其中第三导体结构在第三方向上穿过电流传感器系统的第三部分,其中第三导体结构被配置成承载平行于第三方向的电流,其中第一导体结构基于流过其的电流产生第一磁场,其中第二导体结构基于流过其的电流产生第二磁场,其中第三导体结构基于流过其的电流产生第三磁场,并且其中第一磁场、第二磁场和第三磁场产生第一磁场分量的第一磁场分布和第二磁场分量的第二磁场分布。
2、在一些实施方式中,电流传感器系统包括:磁场传感器,该磁场传感器包括芯片平面、第一传感器元件集合以及第二传感器元件集合,第一传感器元件集合对在平行于芯片平面的第一方向上对齐的第一磁场分量敏感,第二传感器元件集合对在垂直于芯片平面的第二方向上对齐的第二磁场分量敏感第二传感器元件集合,其中第一传感器元件集合包括第一传感器元件和第二传感器元件,并且其中第二传感器元件集合包括第三传感器元件和第四传感器元件;第一导体结构,在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上穿过电流传感器系统的第一部分,其中第一导体结构被配置成承载平行于第三方向的电流;第二导体结构,被电连接到第一导体结构,其中第二导体结构在第一方向上穿过电流传感器系统的第二部分,其中第二导体结构被配置成承载平行于第一方向的电流;以及第三导体结构,被电连接到第二导体结构,其中第三导体结构在第三方向上穿过电流传感器系统的第三部分,其中第三导体结构被配置成承载反平行于第三方向的电流,其中第一导体结构基于流过其的电流产生第一磁场,其中第二导体结构基于流过其的电流产生第二磁场,其中第三导体结构基于流过其的电流产生第三磁场,并且其中第一磁场、第二磁场和第三磁场产生第一磁场分量的第一磁场分布和第二磁场分量的第二磁场分布。
3、在一些实施方式中,电流传感器系统包括:磁场传感器,该磁场传感器包括芯片平面和第一传感器元件集合,第一传感器元件集合被布置在芯片平面中,并且对在垂直于芯片平面的第一方向上对齐的第一磁场分量敏感,其中第一传感器元件集合包括第一传感器元件和第二传感器元件;第一导体结构,在平行于芯片平面的导体平面中穿过电流传感器系统的第一部分,其中第一导体结构被配置成承载平行于芯片平面的电流;第二导体结构,穿过电流传感器系统的第二部分,其中第二导体结构被配置成承载平行于芯片平面的电流;以及第三导体结构,被电耦合到第一导体结构和第二导体结构,并且在第一导体结构和第二导体结构之间,其中第三导体结构被配置成从第一导体结构接收电流,并且向第二导体结构提供电流,其中第三导体结构包括:第一导体段,从第一导体结构的一端在第一方向上延伸;第二导体段,从第二导体结构的一端在第一方向上延伸;以及第三导体段,在垂直于第一方向的第二方向上从第一导体段延伸到第二导体段,使得第三导体段延伸经过磁场传感器。
1.一种电流传感器系统,包括:
2.根据权利要求1所述的电流传感器系统,其中所述第一传感器元件被布置在所述第一磁场分量的所述第一磁场分布的第一极值处,所述第二传感器元件被布置在所述第一磁场分量的所述第一磁场分布的第二极值处,所述第三传感器元件被布置在所述第二磁场分量的所述第二磁场分布的第一极值处,并且所述第四传感器元件被布置在所述第二磁场分量的所述第二磁场分布的第二极值处。
3.根据权利要求2所述的电流传感器系统,其中:
4.根据权利要求2所述的电流传感器系统,其中:
5.根据权利要求1所述的电流传感器系统,其中所述第二导体结构被配置成使所述电流从所述第一导体结构流到所述第三导体结构。
6.根据权利要求1所述的电流传感器系统,还包括:
7.根据权利要求6所述的电流传感器系统,还包括:
8.根据权利要求1所述的电流传感器系统,还包括:
9.根据权利要求1所述的电流传感器系统,其中:
10.根据权利要求9所述的电流传感器系统,其中所述第一传感器元件和所述第一导体结构在所述第二方向上重叠,并且所述第二传感器元件和所述第二导体结构在所述第二方向上重叠。
11.根据权利要求10所述的电流传感器系统,其中所述第三传感器元件在所述第一方向上被布置在所述第一导体结构和所述第二导体结构之间,并且所述第四传感器元件在所述第一方向上被布置在所述第二导体结构和所述第三导体结构之间。
12.根据权利要求1所述的电流传感器系统,还包括:
13.根据权利要求1所述的电流传感器系统,其中所述磁场传感器包括:
14.根据权利要求1所述的电流传感器系统,其中:
15.根据权利要求1所述的电流传感器系统,其中:
16.根据权利要求1所述的电流传感器系统,还包括:
17.根据权利要求1所述的电流传感器系统,其中所述第一传感器元件集合和所述第二传感器元件集合被布置在所述芯片平面中。
18.一种电流传感器系统,包括:
19.根据权利要求18所述的电流传感器系统,其中所述第一传感器元件被布置在所述第一磁场分量的所述第一磁场分布的第一极值处,所述第二传感器元件被布置在所述第一磁场分量的所述第一磁场分布的第二极值处,所述第三传感器元件被布置在所述第二磁场分量的所述第二磁场分布的第一极值处,并且所述第四传感器元件被布置在所述第二磁场分量的所述第二磁场分布的第二极值处。
20.根据权利要求18所述的电流传感器系统,还包括:
21.根据权利要求20所述的电流传感器系统,其中所述第一传感器元件和所述第一导体结构在所述第二方向上重叠,并且所述第二传感器元件和所述第三导体结构在所述第二方向上重叠。
22.根据权利要求21所述的电流传感器系统,其中:
23.一种电流传感器系统,包括:
24.根据权利要求23所述的电流传感器系统,其中:
25.根据权利要求23所述的电流传感器系统,其中所述磁场传感器是在所述第二方向上被布置在所述第一导体结构和所述第二导体结构之间的传感器芯片。
26.根据权利要求23所述的电流传感器系统,还包括:
27.根据权利要求26所述的电流传感器系统,其中所述共用导体结构是引线框架。
28.根据权利要求23所述的电流传感器系统,其中:
29.根据权利要求23所述的电流传感器系统,其中:
30.根据权利要求23所述的电流传感器系统,还包括:
31.根据权利要求23所述的电流传感器系统,其中所述磁场传感器还包括:
32.根据权利要求31所述的电流传感器系统,其中所述磁场传感器包括: