改善dTOF元件的结构及其制作方法与流程

本申请涉及飞时测距，特别是涉及一种提升dtof元件效率的结构及其制作方法。

背景技术：

1、飞时测距(time-of-flight，tof)是一种通过光线行进来回的时间差测量距离的方法，其通过发射源发射探测光，该探测光打到目标物上并通过该目标物将该探测光进行反射形成反射光，接收源接收到该反射光，即可通过从该发射源发射至该目标物反射该反射光的时间与光的速率得出与该目标物的距离。

2、其中，该飞时测距(tof)也分为直接飞时测距(direct time-of-flight, dtof)及非直接飞时测距(indirect time-of-flight, itof)，其中该直接飞时测距dtof通过直接向该目标物发射激光脉冲计算与目标物之间的距离，而非直接飞时测距则通过发射特定频率的光计算与目标物之间的距离。

3、请参阅图1所示，其为相关技术中dtof的架构剖面示意图，基板a1上设有传感晶片a2、发射端a3及壳体a4，该传感晶片a2上设有多个接收区a21，该壳体a4盖设于该基板a1上，且该壳体a4上对应该发射端a3或该接收区a21设有至少一开孔，该多个开孔上设有滤波层a41，通过该发射端a3穿透该滤波层a41与该多个接收区a21接收该发射端a3所发射的信号得到与目标物之间的距离，然而，此种架构厚度约为1mm，将无法再进行有效的体积缩减。

4、请参阅图2a所示，为了将一般dtof的架构进行有效的缩减体积进而通过采用工艺的方式进行整合，通过工艺整合的dtof同样设有基板a1，该基板a1上设有传感晶片a2、发射端a3及胶层a5，该传感晶片a2上设有多个接收区a21，且多个接收区a21与该传感晶片a2上设有镀膜层a6，该胶层a5覆盖该基板a1、传感晶片a2、镀膜层a6及该发射端a3，然而，镀膜层a6无法遮蔽由该发射端a3经由该胶层a5进行传播的光线，因此该发射端a3发射光线将会传递至该多个接受区a21，将会使该传感晶片a2的多个接受区a21接收到噪声波n及信号波s，如图2b所示，其中该噪声波n将会影响该传感晶片a2对短距离的侦测能力，可能导致距离过短侦测异常或不准确的情况发生。

5、是故，如何克服实务上工艺化所遇到的噪声波n导致短距离的侦测能力使其误判的情形，则为本案发明人所欲解决的技术困难点。

技术实现思路

1、有鉴于相关技术的问题，本申请的目的是为了改善工艺化产生噪声波所导致短距离侦测的异常情况，通过本申请以解决先相关技术所面临的问题。

2、一种改善dtof元件的结构，其包括：

3、基板；

4、传感晶片，传感晶片堆叠设置于基板上，传感晶片上远离基板的表面设有至少一接收器；

5、发射器，发射器堆叠设置于基板上；

6、第一点胶，第一点胶堆叠围绕设置于其中一接收器的外围或第一点胶堆叠围绕设置于传感晶片上远离基板的表面外围；

7、胶层，胶层沿着垂直方向堆叠覆盖基板、传感晶片、发射器及第一点胶。

8、在一实施例中，第一点胶呈现封闭圆形、封闭矩形、封闭三角形或其他封闭几何图形堆叠围绕设置其中一接收器的外围。

9、在一实施例中，进一步设有第二点胶，第二点胶堆叠围绕设置于传感晶片上远离基板的表面外围或第二点胶堆叠围绕设置于其中一接收器的外围。

10、在一实施例中，第二点胶呈现封闭圆形、封闭矩形、封闭三角形或其他封闭几何图形堆叠围绕设置于传感晶片上远离基板的一侧。

11、在一实施例中，所述基板、所述传感晶片及所述胶层所形成的第三厚度或所述基板、所述传感晶片及所述第一点胶所形成的第三厚度的范围为0.2mm~1mm。

12、在一实施例中，基板、传感晶片及胶层或第一点胶所形成的第三厚度为0.5mm。

13、在一实施例中，基板的厚度的范围为0.05~0.5mm。

14、在一实施例中，基板的厚度为0.2mm。

15、在一实施例中，传感晶片的厚度的范围为0.05~0.7mm。

16、在一实施例中，传感晶片的厚度为0.2mm。

17、在一实施例中，第一点胶的厚度的范围为0.05~0.5mm。

18、在一实施例中，第一点胶的厚度为0.1mm。

19、在一实施例中，发射器的厚度的范围为0.05mm~0.7mm，且发射器可为led或半导体镭射。

20、在一实施例中，发射器的厚度为0.2mm。

21、在一实施例中，第二点胶的厚度略小于第一点胶的厚度。

22、在一实施例中，将传感晶片及发射器电性连接并设置于基板上；

23、将所述第二点胶围绕设置于所述传感晶片外围或将所述第一点胶围绕设置于所述传感晶片的多个所述接受器外围；

24、注入胶层，所述胶层沿着垂直方向堆叠覆盖所述基板、所述传感晶片、所述发射器、所述第一点胶或所述第二点胶；

25、将胶层进行研磨抛光。

26、本申请发射器所发射的光线经由胶层及外部进行传输，通过第一点胶或第二点胶将发射器通过胶层进行传输的光线进行遮蔽、吸收或衰减，使发射器发射的光线经由胶层传输导致多个接收器产生不必要的噪声波降至最低，使本申请改善工艺化产生噪声波所导致短距离侦测的异常情况。

技术特征：

1.一种改善dtof元件的结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的改善dtof元件的结构，其特征在于，所述第一点胶呈现封闭圆形、封闭矩形或封闭三角形堆叠围绕设置于其中一所述接收器的外围。

3.如权利要求1所述的改善dtof元件的结构，其特征在于，还设有第二点胶，所述第二点胶堆叠围绕设置于所述传感晶片上远离所述基板的表面外围或所述第二点胶堆叠围绕设置于其中一所述接收器的外围。

4.如权利要求3所述的改善dtof元件的结构，其特征在于，所述第二点胶呈现封闭圆形、封闭矩形、封闭三角形或其他封闭几何图形堆叠围绕设置于所述传感晶片上远离所述基板的一侧。

5.如权利要求1所述的改善dtof元件的结构，其特征在于，所述基板、所述传感晶片及所述胶层所形成的第三厚度或所述基板、所述传感晶片及所述第一点胶所形成的第三厚度的范围为0.2mm~1mm。

6.如权利要求5所述的改善dtof元件的结构，其特征在于，所述基板、所述传感晶片及所述胶层或所述第一点胶所形成的所述第三厚度为0.5mm。

7.如权利要求1所述的改善dtof元件的结构，其特征在于，所述基板的厚度的范围为0.05~0.5mm。

8.如权利要求7所述的改善dtof元件的结构，其特征在于，所述基板的所述厚度为0.2mm。

9.如权利要求1所述的改善dtof元件的结构，其特征在于，所述传感晶片的厚度的范围为0.05~0.7mm。

10.如权利要求9所述的改善dtof元件的结构，其特征在于，所述传感晶片的所述厚度为0.2mm。

11.如权利要求1所述的改善dtof元件的结构，其特征在于，所述第一点胶的厚度的范围为0.05~0.5mm。

12.如权利要求11所述的改善dtof元件的结构，其特征在于，所述第一点胶的所述厚度为0.1mm。

13.如权利要求1所述的改善dtof元件的结构，其特征在于，所述发射器的厚度的范围为0.05mm~0.7mm，且所述发射器为led或半导体镭射。

14.如权利要求13所述的改善dtof元件的结构，其特征在于，所述发射器的所述厚度为0.2mm。

15.如权利要求3所述的改善dtof元件的结构，其特征在于，所述第二点胶的厚度小于所述第一点胶的厚度。

16.一种改善dtof元件的制作方法，其特征在于，包括：

技术总结
本申请涉及飞时测距技术领域，提供一种改善dTOF元件的结构及其制作方法，该结构包括：基板；传感晶片，传感晶片堆叠设置于基板上，传感器上设有至少一接收器；发射器，发射器堆叠设置于基板上；第一点胶，第一点胶堆叠围绕设置于其中接收器的外围或第一点胶堆叠围绕设置于传感晶片上远离基板的表面外围；胶层，胶层沿着垂直方向堆叠覆盖基板、传感晶片、发射器及第一点胶。本申请发射器所发射的光线经由胶层及外部进行传输，通过第一点胶将发射器通过胶层进行传输的光线进行遮蔽、吸收或衰减，使发射器发射的光线经由胶层传输导致多个接收器产生不必要的噪声波降至最低，使本申请改善工艺化产生噪声波所导致短距离侦测的异常情况。

技术研发人员：叶士德,卢宏杰
受保护的技术使用者：业泓科技(成都)有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/24