一种碳化硅MOS器件的HTGB老化实验多用途夹具的制作方法

文档序号:35390425发布日期:2023-09-09 14:03阅读:39来源:国知局
一种碳化硅MOS器件的HTGB老化实验多用途夹具的制作方法

本技术涉及芯片生产,尤其涉及一种碳化硅mos器件测试与htgb老化多用途夹具。


背景技术:

1、芯片的生产未端周期,需要将芯片封装后的器件固定在夹具中进行测试及老化(施加工作电压与电流),现有器件测试用夹具功能单一,导致一个器件夹具仅能适应一个型号的器件,当生产者有多种需要生产的器件时,需要备用多套夹具,从而增加器件测试及老化夹具的投入成本。

2、随着半导体功率器件国产化趋势的显现以及下游应用领域需求增长的拉升,我国半导体功率器件行业蕴含着巨大的发展契机,尤其在新能源(汽车、光伏、工控)、新材料、生物、高端装备制造、智能电网、轨道交通、风力发电、新一代的信息技术等产业的发展,都离不开半导体功率器件的支撑。以碳化硅器件、晶闸管、mos、igbt、第三代半导体器件为核心的半导体功率器件更是发展迅速。

3、为了保证产品的耐久性能,也就是产品使用的寿命。半导体功率器件厂家在产品定型前都会做一系列的可靠性试验,以确保产品的长期耐久性能。如htrb-高温高压反偏测试,htgb-高温栅偏测试,h3trb-高温高湿反偏测试,hv-h3trb高压高温高湿反偏测试,pc-功率循环测试等。

4、其中对碳化硅to-247-3和to-247-4器件封装的mos器件产品,可靠性试验需要进行一项htgb-高温栅偏测试,那么测试以及老化实验不可避免用到针对各种封装的专用夹具,以下便是对于各类夹具使用成本低的优化法案。

5、cn2020205434313涉及一种芯片测试用夹具,包括底板,所述底板上端面的一侧通过螺钉安装固定有第一直角卡块,底板的一侧开设有通槽,且通槽内滑动配合有滑块,滑块的上端面焊接有第二直角卡块,滑块的下端面焊接有第一固定块,底板下端面的中部焊接有第二固定块,第一固定块的一侧与第二固定块的一侧之间安装固定有弹簧。是一种机械辅助电连接的结构,但对产品的电路老化并无作用。


技术实现思路

1、本实用新型的目的是,为了解决现有技术中存在的缺点,而提出的一种两种碳化硅mos器件测试与老化用夹具。尤其是为了降低碳化硅成品测试夹具以及htgb老化实验中老化测试板的使用成本,将原来用于to-247-3和to-247-4的测试夹具以及老化测试板(夹具)进行优化,使得新的夹具和老化板可以同时满足两种封装的老化测试需求,从而降低后期的使用成本。

2、本实用新型采用了如下技术方案:一种碳化硅mos器件的htgb老化实验多用途夹具,包括底板,所述底板安装多个电连接的测试与老化单元,每个单元的电连接过程如下:一个电极接器件的电压输入端,设有三个电极接器件的信号输出端;所述电压输入端与器件的信号输出端正好满足两种碳化硅mos器件管脚(电极)对应输入与输出的插入尺寸。

3、两种碳化硅mos器件(to-247-3和to-247-4)的管脚(电极)对应输入与输出的插入尺寸:两种碳化硅mos器件电压输入端管脚相同,所述两种碳化硅mos器件的信号输出端管脚分别为甲乙和乙丙两种;乙为公共的一端,本实用新型碳化硅mos器件的信号输出端管脚则为甲乙丙三个管脚,则两种碳化硅mos器件(to-247-3和to-247-4)均可以插入本实用新型底板,由电压输入端与输出端均可以提供给二种碳化硅mos器件。甲乙和乙丙两种输出端的器件均接到输出端处理及显示电路,即均能应用于本实用新型。

4、本实用新型的有益效果是:本实用新型中,通过在此碳化硅mos器件测试用夹具底板中设置多个测试单元,同时具有电压输入端与输出端,均可以提供给二种碳化硅mos器件使用,可以更加便捷的应用于两种碳化硅mos器件,相对降低了同时需要两种碳化硅mos器件夹具的生产成本,提高了生产效率。



技术特征:

1.一种碳化硅mos器件的htgb老化实验多用途夹具,其特征是,包括底板,所述底板安装多个电连接的测试与老化单元,每个单元的电连接过程如下:一个电极接器件的电压输入端,设有三个电极接器件的信号输出端;所述电压输入端与器件的信号输出端满足两种碳化硅二极管管脚对应输入与输出的插入尺寸。

2.根据权利要求1所述的碳化硅mos器件的htgb老化实验多用途夹具,其特征是,每个单元的电压输入端串联接一只10k的电阻,并将三个信号输出端用引线连接。


技术总结
一种碳化硅MOS器件的HTGB老化实验多用途夹具,包括底板,所述底板安装多个电连接的测试与老化单元,每个单元的电连接过程如下:一个电极接器件的电压输入端,设有三个电极接器件的信号输出端;所述电压输入端与器件的信号输出端正好满足两种碳化硅MOS器件管脚对应输入与输出的插入尺寸。

技术研发人员:杨敏红,史元斌,童彤,卞伟伟,刘韵吉
受保护的技术使用者:桑德斯微电子器件(南京)有限公司
技术研发日:20230517
技术公布日:2024/1/14
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