一种低漏电的屏蔽探测装置的制作方法

文档序号:36020526发布日期:2023-11-17 14:07阅读:13来源:国知局
一种低漏电的屏蔽探测装置的制作方法

本技术涉及检测,具体是一种低漏电的屏蔽探测装置。


背景技术:

1、现有的屏蔽探测装置,在检测过程中经常因为漏电量较大而导致探测结果不准确,因此需要进行改进。我们提出一种低漏电的屏蔽探测装置,可以消除现有装置的弊端。


技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种低漏电的屏蔽探测装置,以解决上述背景技术中提出的问题。

2、为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:

3、一种低漏电的屏蔽探测装置,包括三轴线缆、金属管一、黄铜管一、针芯套、绝缘介质、绝缘管、金属管二、黄铜管二和钨探针,其特征在于,所述低漏电屏蔽探测装置包括从外到内依次设置的三轴线缆保护层、黄铜管、一外编织层、三轴线缆绝缘层一、三轴线缆内编织层、三轴线缆绝缘层二和三轴线缆内导体,三轴线缆外部套有金属管一,三轴线缆内导体焊接针芯套的一端,钨探针插入针芯套的另一端,针芯套的外部设有绝缘介质,钨探针的外部包裹有绝缘层,绝缘层的外部设有黄铜管二,针芯套与黄铜管二之间设有绝缘管,黄铜管二的外部设有金属管二。

4、作为本实用新型的进一步技术方案:所述三轴线缆外接三轴链接器连接测试设备。

5、作为本实用新型的进一步技术方案:所述金属管一外径6mm,内径4mm。

6、作为本实用新型的进一步技术方案:所述金属管二上设有螺孔,螺孔孔径为m1.4。

7、作为本实用新型的进一步技术方案:所述针芯套外径1.5mm,内径1.2mm。

8、作为本实用新型的进一步技术方案:所述黄铜管二表面镀金外径1.2mm,内径0.8mm。

9、作为本实用新型的进一步技术方案:所述三轴线缆绝缘层一和三轴线缆绝缘层二均为透明pe材质。

10、作为本实用新型的进一步技术方案:所述三轴线缆内导体采用镀锡铜线。

11、作为本实用新型的进一步技术方案:所述三轴线缆编织层采用镀锡铜线编织。

12、作为本实用新型的进一步技术方案:所述三轴线缆保护套(1)为黄色pvc。

13、作为本实用新型的进一步技术方案:所述绝缘管采用聚四氟乙烯材料,管外径3mm,内径1.0mm。

14、作为本实用新型的进一步技术方案:所述金属管二采用304不锈钢镀金,管外径3mm,内径1.2mm。

15、与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:本实用新型低漏电的屏蔽探测装置具有低漏电的功能,2v电压,漏电(噪音)低至10fa。主要运用iv低电流测试。



技术特征:

1.一种低漏电的屏蔽探测装置,其特征在于,所述低漏电屏蔽探测装置包括从外到内依次设置的三轴线缆(0)、三轴线缆保护套(1),黄铜管一(4),三轴线缆外编织层(3)、三轴线缆绝缘层一(5)、三轴线缆内编织层(6)、三轴线缆绝缘层二(7)和三轴线缆内导体(8),三轴线缆(0)外部套有金属管一(2),三轴线缆内导体(8)焊接针芯套(9)的一端,钨探针(15)插入针芯套(9)的另一端,针芯套(9)的外部设有绝缘介质(10),钨探针(15)的外部包裹有绝缘层(16),绝缘层(16)的外部设有黄铜管二(14),针芯套(9)与黄铜管二(14)之间设有绝缘管(11),黄铜管二(14)的外部设有金属管二(12)。

2.根据权利要求1所述的一种低漏电的屏蔽探测装置,其特征在于,所述三轴线缆(0)外接三轴链接器连接测试设备。

3.根据权利要求1所述的一种低漏电的屏蔽探测装置,其特征在于,所述金属管一(2)外径6mm,内径4mm。

4.根据权利要求1所述的一种低漏电的屏蔽探测装置,其特征在于,所述金属管二(12)上设有螺孔(13),螺孔(13)孔径为m1.4。

5.根据权利要求1所述的一种低漏电的屏蔽探测装置,其特征在于,所述针芯套(9)外径1.5mm,内径1.2mm。

6.根据权利要求1所述的一种低漏电的屏蔽探测装置,其特征在于,所述黄铜管二(14)表面镀金外径1.2mm,内径0.8mm。

7.根据权利要求1所述的一种低漏电的屏蔽探测装置,其特征在于,所述三轴线缆绝缘层一(5)和三轴线缆绝缘层二(7)均为透明pe材质。

8.根据权利要求1所述的一种低漏电的屏蔽探测装置,其特征在于,所述三轴线缆内导体(8)采用镀锡铜线。

9.根据权利要求1所述的一种低漏电的屏蔽探测装置,其特征在于,所述绝缘管(11)采用聚四氟乙烯材料,管外径3mm,内径1.0mm。

10.根据权利要求1所述的一种低漏电的屏蔽探测装置,其特征在于,所述金属管二(12)采用304不锈钢镀金,管外径3mm,内径1.2mm,三轴线缆外编织层(3)材料为镀锡铜线编织,所述三轴线缆保护套(1)为黄色pvc。


技术总结
本技术公开了一种低漏电的屏蔽探测装置,包括三轴线缆、金属管一、黄铜管一、针芯套、绝缘介质、绝缘管、金属管二、黄铜管二和钨探针,其特征在于,所述低漏电屏蔽探测装置包括从外到内依次设置的三轴线缆保护套,黄铜管一、三轴线缆外编织层、三轴线缆绝缘层一、三轴线缆内编织层、三轴线缆绝缘层二和三轴线缆内导体,三轴线缆外部套有金属管一,本技术低漏电的屏蔽探测装置具有低漏电的功能,2V电压,漏电(噪音)低至10fA。主要运用IV低电流测试。

技术研发人员:黄累
受保护的技术使用者:深圳市佳用电子科技有限公司
技术研发日:20230519
技术公布日:2024/1/15
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