一种组合式单晶硅压差传感器的制作方法

本技术涉及压差传感器，具体为一种组合式单晶硅压差传感器。

背景技术：

1、压差传感器是一种用来测量两个压力之间差值的传感器，用于测量某一设备或部件前后两端的压差，通常用于压差变送器上检测液体或气体的压力差值，广泛应用于各种工业自控环境，涉及石油管道、水利水电、铁路交通、智能建筑、生产自控、航空航天、军工、石化、锅炉负压等众多行业。

2、经专利检索发现，公开号为cn218211735u的一种高稳定性单晶硅压差传感器，通过临时储油管和推油组件的配合，能够在单晶硅传感器芯片受到的压力过大时自动释放压力，将导油管路内部的硅油输送至临时储油管内，以减小因压力过大对单晶硅传感器芯片造成的损害，从而能有效减小对单晶硅传感器芯片检测结果造成的误差，上述对比文件采用两组油管分别完成向两组不同的导油管路减压工作，导油管路进入大油管内部的方向与推油片的运动轨迹处于同一直线，在正常状态下导油管路内部的硅油在输送的瞬间对推油片造成的冲击可能会对推油片产生位移，使传感器所测的数据存在微动的误差。

技术实现思路

1、(一)解决的技术问题

2、针对现有技术所存在的上述缺点，本实用新型提供了一种组合式单晶硅压差传感器，能够有效地解决现有技术的问题。

3、(二)技术方案

4、为实现以上目的，本实用新型通过以下技术方案予以实现：

5、本实用新型公开了一种组合式单晶硅压差传感器，包括传感器外壳、传感器外壳一侧设置的传感器正压腔、传感器外壳另一侧设置的传感器负压腔、传感器外壳空腔内安置的单晶硅传感器芯片、单晶硅传感器芯片上部连接的导油管路一以及单晶硅传感器芯片下部连接的导油管路二，导油管路一以及导油管路二远离单晶硅传感器芯片的一端分别与传感器正压腔以及传感器负压腔连接；

6、油管主仓，设置于单晶硅传感器芯片的下方，且位于导油管路一以及导油管路二靠近单晶硅传感器芯片下方弯折部的中间位置，油管主仓内置两组尺寸以及结构相同的油管内腔；

7、推油片，安装于油管内腔的腔内，推油片的表面固设有磁石；

8、电磁铁，设置于油管内腔的腔内且位于磁石的一侧，电磁铁的表面固设有套筒，所述套筒远离电磁铁的一端螺纹插接有螺杆；

9、传动电机，通过螺栓固设于油管主仓的侧部，传动电机的输出端穿过油管主仓的侧壁与螺杆连接；

10、导油连管一，连接于导油管路一以及油管主仓之间，导油管路二以及油管主仓之间连接有导油连管二；

11、导流口，开设于油管主仓的侧壁，通过导流口完成油管主仓与导油管路一以及导油管路二的连通；

12、缓冲槽，开设于推油片的侧壁。

13、更进一步地，油管主仓的侧部与传感器外壳的内壁固定。

14、更进一步地，所述螺杆与套筒螺纹连接，电磁铁通过螺杆与套筒的螺纹连接沿着油管内腔的槽内壁横向移动。

15、更进一步地，缓冲槽采用矩形凹槽状结构。

16、更进一步地，导流口的开口位置与推油片贴在油管内腔槽一端处的缓冲槽位置相对设置。

17、(三)有益效果

18、采用本实用新型提供的技术方案，与已知的公有技术相比，具有如下有益效果：

19、本实用新型将对比文件设置的两组分开式的大油管设置呈组合式的油管主仓，减少整个油管主仓在传感器外壳内部的占用空间以及施工难度，并在推油片的侧部设置了与导流口开口位置相对分布的缓冲槽，在导油管路一以及导油管路二的内部输送硅油的并到达缓冲槽的瞬间，可使冲击力作用在缓冲槽处，而缓冲槽、导流口以及油管内腔的内侧壁是处于同一直线上，因此整个推油片不易受到硅油的瞬间冲击产生位置的改变，提高传感器的压差测试的准确性，使用更加方便。

技术特征：

1.一种组合式单晶硅压差传感器，包括传感器外壳(1)、传感器外壳(1)一侧设置的传感器正压腔(2)、传感器外壳(1)另一侧设置的传感器负压腔(3)、传感器外壳(1)空腔内安置的单晶硅传感器芯片(4)、单晶硅传感器芯片(4)上部连接的导油管路一(5)以及单晶硅传感器芯片(4)下部连接的导油管路二(6)，导油管路一(5)以及导油管路二(6)远离单晶硅传感器芯片(4)的一端分别与传感器正压腔(2)以及传感器负压腔(3)连接；

2.根据权利要求1所述的一种组合式单晶硅压差传感器，其特征在于：油管主仓(9)的侧部与传感器外壳(1)的内壁固定。

3.根据权利要求1所述的一种组合式单晶硅压差传感器，其特征在于：所述螺杆(12)与套筒(13)螺纹连接，电磁铁(14)通过螺杆(12)与套筒(13)的螺纹连接沿着油管内腔(11)的槽内壁横向移动。

4.根据权利要求1所述的一种组合式单晶硅压差传感器，其特征在于：缓冲槽(17)采用矩形凹槽状结构。

5.根据权利要求1所述的一种组合式单晶硅压差传感器，其特征在于：导流口(18)的开口位置与推油片(15)贴在油管内腔(11)槽一端处的缓冲槽(17)位置相对设置。

技术总结
本技术涉及压差传感器技术领域，且公开了一种组合式单晶硅压差传感器，包括传感器外壳、传感器外壳一侧设置的传感器正压腔、传感器外壳另一侧设置的传感器负压腔、传感器外壳空腔内安置的单晶硅传感器芯片、单晶硅传感器芯片上部连接的导油管路一以及单晶硅传感器芯片下部连接的导油管路二，导油管路一以及导油管路二远离单晶硅传感器芯片的一端分别与传感器正压腔以及传感器负压腔连接。本技术在导油管路一以及导油管路二的内部输送硅油的并到达缓冲槽的瞬间，可使冲击力作用在缓冲槽处，而缓冲槽、导流口以及油管内腔的内侧壁是处于同一直线上，整个推油片不易受到硅油的瞬间冲击产生位置的改变，提高传感器的压差测试的准确性。

技术研发人员：杜永春,臧兴杰,曹新芬
受保护的技术使用者：浙江中微自控设备有限公司
技术研发日：20230524
技术公布日：2024/1/15