一种狭窄位置的漏磁检测装置的制作方法

本申请涉及漏磁检测，具体而言，涉及一种狭窄位置的漏磁检测装置。

背景技术：

1、漏磁检测为无损检测技术的一种，属于间接测量技术，漏磁检测的理论基础是铁磁材料的高磁导率；被测材料在外加磁场作用下被磁化，传统的漏磁检测装置通常需要大型设备来进行检测，而且由于其尺寸较大，很难在狭窄的位置进行检测，不便于操作人员在狭窄位置进行操作。

技术实现思路

1、为了弥补以上不足，本申请提供了一种狭窄位置的漏磁检测装置，解决了在狭窄位置不方便检测的技术问题，达到方便操作的技术效果。

2、本申请是这样实现的：

3、一种狭窄位置的漏磁检测装置，包括

4、伸缩件，所述伸缩件包括电机块、稳定杆和活动杆，所述电机块的内部开设有电机腔，所述稳定杆设置于所述电机块的一侧，所述活动杆设置于所述稳定杆的另一侧，且所述活动杆的外部为多边形；

5、检测器，所述检测器包括连接块和磁性测量头，所述检测器设置于所述活动杆的一侧，所述磁性测量头设置于所述连接块的外部。

6、在本申请的一种实施例中，所述电机块远离所述稳定杆的一侧设置有把手，所述把手的外部铺设有橡胶垫。

7、在本申请的一种实施例中，所述把手的外部设置有控制开关。

8、在本申请的一种实施例中，所述电机腔的内部设置有动力电机，所述动力电机的输出轴固定连接有调控转轴，所述调控转轴的内部开设有螺纹转腔，所述调控转轴贯穿所述稳定杆。

9、在本申请的一种实施例中，所述稳定杆的外部设置有延伸杆，所述活动杆贯穿于所述延伸杆和所述稳定杆后延伸至所述电机块的内部，所述调控转轴贯穿活动杆的内部且所述活动杆的内壁螺纹连接。

10、在本申请的一种实施例中，所述活动杆贯穿至所述稳定杆的内部。

11、在本申请的一种实施例中，所述连接块与所述活动杆的连接处呈筒状，所述连接块的前后两侧均开设有插接槽。

12、在本申请的一种实施例中，所述连接块的外部设置有插接丝，所述插接丝的贯穿所述连接块后设置有插接帽，所述插接帽与所述插接丝的连接方式为螺纹连接。

13、本申请的有益效果是：本申请通过上述设计得到的一种狭窄位置的漏磁检测装置，本申请在窄处位置检测困难和操作不便的问题，提出了一种新的解决方案，该方案通过手持把手来控制装置的移动，可方便地将检测装置调整到狭窄位置进行检测，同时，通过控制开关调节动力电机的转动，可以调节活动杆的伸缩，进而控制活动杆外部检测器的移动和转动，从而方便调节检测器的位置和方向，此举使得检测器在窄处位置的检测更加便捷和准确，提高了漏磁检测的效率和精度。

技术特征：

1.一种狭窄位置的漏磁检测装置，其特征在于：包括，

2.根据权利要求1所述的一种狭窄位置的漏磁检测装置，其特征在于，所述电机块(11)远离所述稳定杆(13)的一侧设置有把手(12)，所述把手(12)的外部铺设有橡胶垫。

3.根据权利要求2所述的一种狭窄位置的漏磁检测装置，其特征在于，所述把手(12)的外部设置有控制开关(121)。

4.根据权利要求3所述的一种狭窄位置的漏磁检测装置，其特征在于，所述电机腔(1101)的内部设置有动力电机(111)，所述动力电机(111)的输出轴固定连接有调控转轴(112)，所述调控转轴(112)的内部开设有螺纹转腔(1121)，所述调控转轴(112)贯穿所述稳定杆(13)。

5.根据权利要求4所述的一种狭窄位置的漏磁检测装置，其特征在于，所述稳定杆(13)的外部设置有延伸杆(131)，所述活动杆(14)贯穿于所述延伸杆(131)和所述稳定杆(13)后延伸至所述电机块(11)的内部，所述调控转轴(112)贯穿活动杆(14)的内部且所述活动杆(14)的内壁螺纹连接。

6.根据权利要求1所述的一种狭窄位置的漏磁检测装置，其特征在于，所述连接块(21)与所述活动杆(14)的连接处呈筒状，所述连接块(21)的前后两侧均开设有插接槽(2101)。

7.根据权利要求1所述的一种狭窄位置的漏磁检测装置，其特征在于，所述连接块(21)的外部设置有插接丝(211)，所述插接丝(211)的贯穿所述连接块(21)后设置有插接帽(212)，所述插接帽(212)与所述插接丝(211)的连接方式为螺纹连接。

技术总结
本申请提供了一种狭窄位置的漏磁检测装置，属于漏磁检测技术领域。该狭窄位置的漏磁检测装置，包括伸缩件，所述伸缩件包括电机块、稳定杆和活动杆，所述电机块的内部开设有电机腔。本申请通过上述设计得到的一种狭窄位置的漏磁检测装置，本申请在窄处位置检测困难和操作不便的问题，提出了一种新的解决方案，该方案通过手持把手来控制装置的移动，可方便地将检测装置调整到狭窄位置进行检测，同时，通过控制开关调节动力电机的转动，可以调节活动杆的伸缩，进而控制活动杆外部检测器的移动和转动，从而方便调节检测器的位置和方向，此举使得检测器在窄处位置的检测更加便捷和准确，提高了漏磁检测的效率和精度。

技术研发人员：胡建平,吴望胜,田锋
受保护的技术使用者：武汉鑫博泰科技有限公司
技术研发日：20230714
技术公布日：2024/5/6