一种高精度单晶硅传感器的制作方法

本技术属于压差传感器领域，具体地说是一种高精度单晶硅传感器。

背景技术：

1、单晶硅谐振式传感器，高性能单晶硅谐振压力传感器,采用电磁激励和电磁拾振方式工作,输出为频率信号,抗干扰能力强,稳定性好,不需a/d转换,既能测量绝压,也能测量差压，由于它的高精度，故而又称为高精度单晶硅传感器；在该传感器中，通过设置过压膜片在硅油压力过大时，对其进行减压，将过大的压力得以释放，以避免单晶硅传感器芯片受到破坏，但由于其是利用过压膜片的变形对压力进行释放，而过压膜片的变形是一个逐步的过程，此过程中会对单晶硅传感器芯片的检测造成影响，容易导致单晶硅传感器芯片的检测结果出现误差，国家知识产权局2023.01.03授权公告，授权公告号为cn218211735u的专利：《一种高稳定性单晶硅压差传感器》，该专利中公开了一种能够在单晶硅传感器芯片受到压力过大时，自动释放压力的结构，该专利中在单晶硅传感器芯片检测到压力过大时，控制调节组件调节临时储油管，从而使硅油进入临时储油管内，减小因压力过大对单晶硅传感器芯片造成的损害，但该专利中通过电机控制临时储油管进行泄压，临时储油管无法自动泄压，因此我们设计了一种高精度单晶硅传感器。

技术实现思路

1、本实用新型提供一种高精度单晶硅传感器，用以解决现有技术中的缺陷。

2、本实用新型通过以下技术方案予以实现：

3、一种高精度单晶硅传感器，包括壳体，壳体的两侧分别固定设有膜片，壳体内固定安装两个隔板，两个隔板将壳体从左到右依次分为：传感器负压腔、中部腔体、传感器正压腔，壳体的顶部连通安装盒体，盒体内固定安装环形隔板，环形隔板内固定安装单晶硅传感器芯片，传感器负压腔通过第一导油管连通至单晶硅传感器芯片的上端面，传感器正压腔通过第二导油管连通至单晶硅传感器芯片的下端面，其特征在于：两个隔板互相靠近的一侧分别固定安装横管，隔板上对应横管的位置分别开设第三通孔，横管内气密滑动安装活塞，活塞与横管通过弹簧相连接。

4、如上所述的一种高精度单晶硅传感器，所述横管内分别滑动安装移动块，移动块与活塞之间通过弹簧弹性连接，移动块上分别开设螺纹孔，两个螺纹孔内螺纹配合安装同一个丝杆，丝杆转动安装在横管内端的预留孔内，丝杆上固定安装第一斜齿轮，第一斜齿轮的一侧啮合配合设有第二斜齿轮，第二斜齿轮固定安装在转轴上，转轴转动安装在壳体上，转轴的下端伸出壳体。

5、如上所述的一种高精度单晶硅传感器，所述转轴的底端固定安装手轮。

6、如上所述的一种高精度单晶硅传感器，所述壳体的底侧固定安装刻度盘，转轴外周的一侧固定安装指针。

7、如上所述的一种高精度单晶硅传感器，所述壳体的两侧套装有挡环，挡环设有紧固螺栓，挡环的底部分别固定安装第一弹簧杆，第一弹簧杆的活动端固定安装楔形块，挡环的底部分别转动安装支撑轴，支撑轴上分别固定安装齿轮，支撑轴上分别转动安装支撑轮，齿轮上分别通过连杆固定安装第一挡板。

8、如上所述的一种高精度单晶硅传感器，所述活塞上分别固定安装l型连杆，l型连杆的竖杆上分别固定安装第二弹簧杆，第二弹簧杆的活动端上分别固定安装第二挡板。

9、本实用新型的优点是：本实用新型结构简单，构思巧妙，能够在单晶硅传感器芯片受到的压力过大时，自动对单晶硅传感器芯片进行泄压，减小因压力过大对单晶硅传感器芯片造成的损害，能够满足市场需求，适合推广。使用本实用新型时，当单晶硅传感器芯片检测到承受的油压过大时，传感器负压腔与传感器正压腔内的硅油油压增大，油压大于弹簧的弹力，此时在油压的作用下，活塞相向移动，弹簧被压缩，第三通孔打开，传感器负压腔与传感器正压腔内的部分硅油进入到横管内，减小第一导油管与第二导油管内的油压，防止油压过大时，对单晶硅传感器芯片造成损害；当油压恢复正常时，此时油压小于弹簧的弹力，此时在弹簧的作用下，活塞复位，重新将第三通孔关闭，避免硅油进入到横管内，从而有效的减小由于硅油流入横管内，导致单晶硅传感器芯片在检测过程中发生的误差现象。

技术特征：

1.一种高精度单晶硅传感器，包括壳体(1)，壳体(1)的两侧分别固定设有膜片(2)，壳体(1)内固定安装两个隔板(3)，两个隔板(3)将壳体(1)从左到右依次分为：传感器负压腔(100)、中部腔体(200)、传感器正压腔(300)，壳体(1)的顶部连通安装盒体(4)，盒体(4)内固定安装环形隔板(5)，环形隔板(5)内固定安装单晶硅传感器芯片(6)，传感器负压腔(100)通过第一导油管(7)连通至单晶硅传感器芯片(6)的上端面，传感器正压腔(300)通过第二导油管(8)连通至单晶硅传感器芯片(6)的下端面，其特征在于：两个隔板(3)互相靠近的一侧分别固定安装横管(9)，隔板(3)上对应横管(9)的位置分别开设第三通孔(12)，横管(9)内气密滑动安装活塞(11)，活塞(11)与横管(9)通过弹簧(10)相连接。

2.根据权利要求1所述的一种高精度单晶硅传感器，其特征在于：所述横管(9)内分别滑动安装移动块(20)，移动块(20)与活塞(11)之间通过弹簧(10)弹性连接，移动块(20)上分别开设螺纹孔(21)，两个螺纹孔(21)内螺纹配合安装同一个丝杆(22)，丝杆(22)转动安装在横管(9)内端的预留孔内，丝杆(22)上固定安装第一斜齿轮(23)，第一斜齿轮(23)的一侧啮合配合设有第二斜齿轮(24)，第二斜齿轮(24)固定安装在转轴(25)上，转轴(25)转动安装在壳体(1)上，转轴(25)的下端伸出壳体(1)。

3.根据权利要求2所述的一种高精度单晶硅传感器，其特征在于：所述转轴(25)的底端固定安装手轮(30)。

4.根据权利要求2所述的一种高精度单晶硅传感器，其特征在于：所述壳体(1)的底侧固定安装刻度盘(40)，转轴(25)外周的一侧固定安装指针(41)。

5.根据权利要求1所述的一种高精度单晶硅传感器，其特征在于：所述壳体(1)的两侧套装有挡环(50)，挡环(50)设有紧固螺栓(58)，挡环(50)的底部分别固定安装第一弹簧杆(51)，第一弹簧杆(51)的活动端固定安装楔形块(52)，挡环(50)的底部分别转动安装支撑轴(53)，支撑轴(53)上分别固定安装齿轮(54)，支撑轴(53)上分别转动安装支撑轮(55)，齿轮(54)上分别通过连杆(56)固定安装第一挡板(57)。

6.根据权利要求1所述的一种高精度单晶硅传感器，其特征在于：所述活塞(11)上分别固定安装l型连杆(60)，l型连杆(60)的竖杆上分别固定安装第二弹簧杆(61)，第二弹簧杆(61)的活动端上分别固定安装第二挡板(62)。

技术总结
一种高精度单晶硅传感器，包括壳体，壳体的两侧分别固定设有膜片，壳体内固定安装两个隔板，两个隔板将壳体从左到右依次分为：传感器负压腔、中部腔体、传感器正压腔，壳体的顶部连通安装盒体，盒体内固定安装环形隔板，环形隔板内固定安装单晶硅传感器芯片，传感器负压腔通过第一导油管连通至单晶硅传感器芯片的上端面，传感器正压腔通过第二导油管连通至单晶硅传感器芯片的下端面。本技术结构简单，构思巧妙，能够在单晶硅传感器芯片受到的压力过大时，自动对单晶硅传感器芯片进行泄压，减小因压力过大对单晶硅传感器芯片造成的损害，能够满足市场需求，适合推广。

技术研发人员：黄付冲
受保护的技术使用者：山自仪（山东）自动化仪表有限公司
技术研发日：20230808
技术公布日：2024/3/12