一种可调节笔式回弹LVDT位移传感器结构的制作方法

本技术涉及位移传感器，更具体地说，是涉及一种可调节笔式回弹lvdt位移传感器结构。

背景技术：

1、lvdt的结构由铁芯、初级线圈、次级线圈组成，初级线圈、次级线圈分布在线圈骨架上，线圈骨架内部有一个可自由移动的铁芯。当铁芯处于中间位置时，两个次级线圈产生的感应电动势相等，这样输出电压为0；当铁芯在线圈内部移动并偏离中心位置时，两个线圈产生的感应电动势不等，有电压输出，其电压大小取决于位移量的大小。lvdt输出的电压是两个次级线圈的电压之差，这个输出的电压值与铁心的位移量成线性关系。

2、由于绕线、铁芯磁性、骨架尺寸、弹性件弹力、装配工艺等差异使得装配完成后传感器的灵敏度差异很大，不方便用户使用。

3、以上不足，有待改进。

技术实现思路

1、为了解决由于绕线、铁芯磁性、骨架尺寸、弹性件弹力、装配工艺等差异使得装配完成后传感器的灵敏度差异很大，不方便用户使用的问题，本实用新型提供一种可调节笔式回弹lvdt位移传感器结构。

2、本实用新型技术方案如下所述：

3、一种可调节笔式回弹lvdt位移传感器结构，包括线圈骨架，所述线圈骨架上中间缠绕有初级线圈，所述线圈骨架在所述初级线圈的两端设置有次级线圈，所述线圈骨架的外侧套设有屏蔽套，所述屏蔽套侧壁设置有漏磁调节缝隙，所述漏磁调节缝隙平行于所述线圈骨架方向，调节所述漏磁调节缝隙的宽度用于调节漏磁量。

4、进一步，所述线圈骨架外侧设置有安装槽，所述安装槽的长度与所述屏蔽套的长度相等，所述安装槽的深度大于所述屏蔽套的厚度。

5、进一步，所述屏蔽套的外侧设置有缝隙定位件，所述缝隙定位件用于固定漏磁调节缝隙的宽度。

6、进一步，所述缝隙定位件为绝缘胶带，所述绝缘胶带粘贴缠绕在所述屏蔽套的外侧。

7、进一步，所述屏蔽套包括固定套，所述固定套的侧壁开设有第一漏磁缝隙，所述固定套外侧转动设置有活动套，所述活动套的侧壁开设有第二漏磁缝隙，所述第一漏磁缝隙和所述第二漏磁缝隙重合部分为漏磁调节缝隙。

8、进一步，所述线圈骨架的第二端设置有多个接线柱，所述接线柱电性连接线缆，所述初级线圈和所述次级线圈的一端分别与不同所述接线柱电性连接。

9、进一步，所述骨架外侧设置有外套管，所述骨架的中心设置有铁芯，所述铁芯的中心设置有连杆，所述连杆的第一端连接有触头，所述触头与所述外套管第一端之间连接有弹性件。

10、进一步，所述弹性件为波纹橡胶套。

11、进一步，所述触头外壁与所述外套管内壁之间设置有直线轴承。

12、进一步，所述外套管第二端设置定位套，所述定位套用于固定线缆。

13、根据上述方案的本实用新型，其有益效果在于，本实用新型把屏蔽套装到绕好的线圈的线圈骨架上，调节屏蔽套的漏磁调节缝隙宽度以调节磁感线的磁回路。当实际灵敏度比典型灵敏度高，增大漏磁调节缝隙宽度，使磁回路变大，降低传感器的灵敏度。当实际灵敏度比典型灵敏度低，减小漏磁调节缝隙宽度，使磁回路减小，增加传感器的灵敏度，从而使得传感器灵敏度一致，便于用户使用。

技术特征：

1.一种可调节笔式回弹lvdt位移传感器结构，包括线圈骨架，所述线圈骨架上中间缠绕有初级线圈，所述线圈骨架在所述初级线圈的两端设置有次级线圈，其特征在于，所述线圈骨架的外侧套设有屏蔽套，所述屏蔽套侧壁设置有漏磁调节缝隙，所述漏磁调节缝隙平行于所述线圈骨架方向，调节所述漏磁调节缝隙的宽度用于调节漏磁量。

2.根据权利要求1中所述的一种可调节笔式回弹lvdt位移传感器结构，其特征在于，所述线圈骨架外侧设置有安装槽，所述安装槽的长度与所述屏蔽套的长度相等，所述安装槽的深度大于所述屏蔽套的厚度。

3.根据权利要求1中所述的一种可调节笔式回弹lvdt位移传感器结构，其特征在于，所述屏蔽套的外侧设置有缝隙定位件，所述缝隙定位件用于固定漏磁调节缝隙的宽度。

4.根据权利要求3中所述的一种可调节笔式回弹lvdt位移传感器结构，其特征在于，所述缝隙定位件为绝缘胶带，所述绝缘胶带粘贴缠绕在所述屏蔽套的外侧。

5.根据权利要求1中所述的一种可调节笔式回弹lvdt位移传感器结构，其特征在于，所述屏蔽套包括固定套，所述固定套的侧壁开设有第一漏磁缝隙，所述固定套外侧转动设置有活动套，所述活动套的侧壁开设有第二漏磁缝隙，所述第一漏磁缝隙和所述第二漏磁缝隙重合部分为漏磁调节缝隙。

6.根据权利要求1中所述的一种可调节笔式回弹lvdt位移传感器结构，其特征在于，所述线圈骨架的第二端设置有多个接线柱，所述接线柱电性连接线缆，所述初级线圈和所述次级线圈的一端分别与不同所述接线柱电性连接。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的一种可调节笔式回弹lvdt位移传感器结构，其特征在于，所述骨架外侧设置有外套管，所述骨架的中心设置有铁芯，所述铁芯的中心设置有连杆，所述连杆的第一端连接有触头，所述触头与所述外套管第一端之间连接有弹性件。

8.根据权利要求7中所述的一种可调节笔式回弹lvdt位移传感器结构，其特征在于，所述弹性件为波纹橡胶套。

9.根据权利要求7中所述的一种可调节笔式回弹lvdt位移传感器结构，其特征在于，所述触头外壁与所述外套管内壁之间设置有直线轴承。

10.根据权利要求7中所述的一种可调节笔式回弹lvdt位移传感器结构，其特征在于，所述外套管第二端设置定位套，所述定位套用于固定线缆。

技术总结
本技术公开了一种可调节笔式回弹LVDT位移传感器结构，包括线圈骨架，线圈骨架上中间缠绕有初级线圈，线圈骨架在初级线圈的两端设置有次级线圈，线圈骨架的外侧套设有屏蔽套，屏蔽套侧壁设置有漏磁调节缝隙，漏磁调节缝隙平行于线圈骨架方向，调节漏磁调节缝隙的宽度用于调节漏磁量。本技术把屏蔽套装到绕好的线圈的线圈骨架上，调节屏蔽套的漏磁调节缝隙宽度以调节磁感线的磁回路。当实际灵敏度比典型灵敏度高，增大漏磁调节缝隙宽度，使磁回路变大，降低传感器的灵敏度。当实际灵敏度比典型灵敏度低，减小漏磁调节缝隙宽度，使磁回路减小，增加传感器的灵敏度，从而使得传感器灵敏度一致，便于用户使用。

技术研发人员：靳军波,饶安邦
受保护的技术使用者：深圳市森瑟科技发展有限公司
技术研发日：20230925
技术公布日：2024/5/8