一种芯片二极管短路检测电路的制作方法

本技术涉及一种电量计的检测电路，更确切地说，是一种芯片二极管短路检测电路。

背景技术：

1、通常，在电量计的led扫描驱动电路中，一旦led受到损伤，造成短路后，驱动电路无法检出，可能造成驱动电路电流过大，使电路发热，造成芯片损坏。

2、目前尚无有效的方法，能检测出损伤的led，控制芯片也无法检查是哪部分led出问题了，无法做出及时的关断动作。

技术实现思路

1、基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种芯片二极管短路检测电路。

2、为了解决上述技术问题，本实用新型采用了如下所述的技术方案：

3、一种芯片二极管短路检测电路，其特征在于，所述的芯片二极管短路检测电路包含比较器c1、比较器c2和比较器c3，

4、所述的比较器c1、比较器c2和比较器c3的正侧电源引脚均与电源vbat相耦接，所述的比较器c1、比较器c2和比较器c3的负侧电源引脚均与晶体管q相耦接，所述的比较器c1、比较器c2和比较器c3的负极输入引脚均通过电阻r，并与所述的电源vbat相耦接，

5、所述的比较器c1、比较器c2和比较器c3的输出端分别与晶体管hvq1的栅极、晶体管hvq2的栅极和晶体管hvq3的栅极相耦接，

6、所述的晶体管hvq1的漏极、晶体管hvq2的漏极和晶体管hvq3的漏极分布与晶体管hvnq1的漏极、晶体管hvnq2的漏极、晶体管hvnq3的漏极相耦接，

7、所述的晶体管hvnq1的源极、晶体管hvnq2的源极和晶体管hvnq3的源极均通过恒流源ao1后接地，

8、所述的晶体管hvnq1的漏极、晶体管hvnq2的漏极、晶体管hvnq3的漏极分别与引脚leda、引脚ledb和引脚ledc相耦接，

9、所述的引脚leda与引脚ledc之间设有正向接入的发光二极管led1、发光二极管led3以及逆向接入的发光二极管led2、发光二极管led4，所述的引脚ledb与发光二极管led1、发光二极管led3的公共极相耦接，所述的引脚leda与引脚ledc之间设有逆向接入的发光二极管led5。

10、作为优选的实施例，所述的比较器c1、比较器c2和比较器c3的正极输入引脚分别耦接电量计芯片的enhs1引脚、enhs2引脚和enhs3引脚。

11、作为优选的实施例，所述的晶体管hvnq1的栅极、晶体管hvnq2的栅极和晶体管hvnq3的栅极分别耦接电量计芯片的enls1引脚、enls2引脚和enls3引脚相耦接。

12、作为优选的实施例，所述的晶体管q的漏极经电阻r1后接地。

13、作为优选的实施例，所述的电源vbat经齐纳二极管zener和恒流源ao2后接地。

14、作为优选的实施例，所述的发光二极管led1、发光二极管led2、发光二极管led3、发光二极管led4和发光二极管led5均设置电量计芯片的外部。

15、作为优选的实施例，所述的恒流源ao1的电流为22.5毫安。

16、作为优选的实施例，所述的电阻r的阻值为5欧姆。

17、作为优选的实施例，所述的电阻r1的阻值为200欧姆。

18、作为优选的实施例，所述的比较器c1、比较器c2和比较器c3均为过流比较器。

19、与现有技术相比，本实用新型有以下有益效果：

20、本实用新型提供一种芯片二极管短路检测电路，利用外置的发光二极管led1～发光二极管led5，使用者可以快速判读出现短路的发光二极管，并通过相应的比较器进行限流，从而有效防止电路持续拉大电流，避免电量计过热而发生损坏。

技术特征：

1.一种芯片二极管短路检测电路，其特征在于，所述的芯片二极管短路检测电路包含比较器c1、比较器c2和比较器c3，

2.根据权利要求1所述的芯片二极管短路检测电路，其特征在于，所述的比较器c1、比较器c2和比较器c3的正极输入引脚分别耦接电量计芯片的enhs1引脚、enhs2引脚和enhs3引脚。

3.根据权利要求1所述的芯片二极管短路检测电路，其特征在于，所述的晶体管hvnq1的栅极、晶体管hvnq2的栅极和晶体管hvnq3的栅极分别耦接电量计芯片的enls1引脚、enls2引脚和enls3引脚相耦接。

4.根据权利要求1所述的芯片二极管短路检测电路，其特征在于，所述的晶体管q的漏极经电阻r1后接地。

5.根据权利要求1所述的芯片二极管短路检测电路，其特征在于，所述的电源vbat经齐纳二极管zener和恒流源ao2后接地。

6.根据权利要求1所述的芯片二极管短路检测电路，其特征在于，所述的发光二极管led1、发光二极管led2、发光二极管led3、发光二极管led4和发光二极管led5均设置电量计芯片的外部。

7.根据权利要求1所述的芯片二极管短路检测电路，其特征在于，所述的恒流源ao1的电流为22.5毫安。

8.根据权利要求1所述的芯片二极管短路检测电路，其特征在于，所述的电阻r的阻值为5欧姆。

9.根据权利要求1所述的芯片二极管短路检测电路，其特征在于，所述的电阻r1的阻值为200欧姆。

10.根据权利要求1所述的芯片二极管短路检测电路，其特征在于，所述的比较器c1、比较器c2和比较器c3均为过流比较器。

技术总结
本技术公开了一种芯片二极管短路检测电路，包含比较器C1、比较器C2和比较器C3，所述的比较器C1、比较器C2和比较器C3的正侧电源引脚均与电源VBAT相耦接，所述的比较器C1、比较器C2和比较器C3的负侧电源引脚均与晶体管Q相耦接，所述的比较器C1、比较器C2和比较器C3的负极输入引脚均通过电阻R，并与所述的电源VBAT相耦接。利用外置的发光二极管LED1～发光二极管LED5，使用者可以快速判读出现短路的发光二极管，并通过相应的比较器进行限流，从而有效防止电路持续拉大电流，避免电量计过热而发生损坏。

技术研发人员：郭府,刘雪峰,柳昊,熊志,邢莹
受保护的技术使用者：广东华芯智源科技有限公司
技术研发日：20231021
技术公布日：2024/6/20