一种全自动吹扫捕集装置用铜质温控装置的制作方法

文档序号:38467911发布日期:2024-06-27 11:27阅读:21来源:国知局
一种全自动吹扫捕集装置用铜质温控装置的制作方法

本技术涉及全自动吹扫捕集,尤其涉及一种全自动吹扫捕集装置用铜质温控装置。


背景技术:

1、在全自动吹扫捕集装置的使用过程中,需要对样品进行解析操作,然而不同样品之间解析的温度存在一定的差异,然而现有的大多数全自动吹扫捕集装置用铜管温控装置仍存在不足之处:现有的大多数全自动吹扫捕集装置用铜管温控装置未设有包覆式温控机构,不便于温度的均匀加热以及均匀制冷,从而影响后续的解析效率,进而影响装置整体的工作效率。


技术实现思路

1、本实用新型的目的在于:为了解决现有的大多数全自动吹扫捕集装置用铜管温控装置未设有包覆式温控机构,不便于温度的均匀加热以及均匀制冷,从而影响后续的解析效率,进而影响装置整体的工作效率的问题,而提出的一种全自动吹扫捕集装置用铜质温控装置。

2、为了实现上述目的,本实用新型采用了如下技术方案:

3、一种全自动吹扫捕集装置用铜质温控装置,包括安装座和铜管,所述安装座上设置有安装架,所述安装座和安装架之间设置有制冷加热机构,所述制冷加热机构包括上片和下片,且上片和下片上均设置有弧槽,所述铜管上设置有传导层,所述制冷加热机构的上片和下片之间通过弧槽贴合夹持有传导层,所述铜管上位于传导层的两端设置有密封件。

4、作为上述技术方案的进一步描述:

5、所述安装架的顶部和安装座的底部通过安装柱均设置有散热机构。

6、作为上述技术方案的进一步描述:

7、所述制冷加热机构为半导体制冷制热片,所述制冷加热机构和散热机构的接触面设置有导热硅脂层。

8、作为上述技术方案的进一步描述:

9、所述铜管上设置有两组安装件,所述铜管的一端与采集进样端相连接,所述铜管的另一端与解析进样端相连接。

10、作为上述技术方案的进一步描述:

11、所述安装座上设置有多组安装孔。

12、作为上述技术方案的进一步描述:

13、所述散热机构为散热片。

14、综上所述,由于采用了上述技术方案,本实用新型的有益效果是:

15、本实用新型中,设有包覆式温控机构,安装座和安装架之间设置有制冷加热机构,制冷加热机构包括上片和下片,且上片和下片上均设置有弧槽,铜管上设置有传导层,制冷加热机构的上片和下片之间通过弧槽贴合夹持有传导层,铜管上位于传导层的两端设置有密封件,使用时,使用者通过安装件对铜管接入到采集进样端与解析进样端之间,当需要调控铜管的温度时,使用者通过控制制冷加热机构的使用,进行铜管的温度调控,在温度调控的过程中,通过传导层的进行铜管的均匀温控,在温控的过程中,通过散热机构辅助制冷加热机构的降温散热,实现了样品的解析温控,省时省力,提高了解析操作的工作效率。



技术特征:

1.一种全自动吹扫捕集装置用铜质温控装置,包括安装座(1)和铜管(7),其特征在于,所述安装座(1)上设置有安装架(2),所述安装座(1)和安装架(2)之间设置有制冷加热机构(4),所述制冷加热机构(4)包括上片和下片,且上片和下片上均设置有弧槽(401),所述铜管(7)上设置有传导层(5),所述制冷加热机构(4)的上片和下片之间通过弧槽(401)贴合夹持有传导层(5),所述铜管(7)上位于传导层(5)的两端设置有密封件(6)。

2.根据权利要求1所述的一种全自动吹扫捕集装置用铜质温控装置,其特征在于,所述安装架(2)的顶部和安装座(1)的底部通过安装柱(201)均设置有散热机构(3)。

3.根据权利要求1所述的一种全自动吹扫捕集装置用铜质温控装置,其特征在于,所述制冷加热机构(4)为半导体制冷制热片,所述制冷加热机构(4)和散热机构(3)的接触面设置有导热硅脂层。

4.根据权利要求1所述的一种全自动吹扫捕集装置用铜质温控装置,其特征在于,所述铜管(7)上设置有两组安装件(8),所述铜管(7)的一端与采集进样端相连接,所述铜管(7)的另一端与解析进样端相连接。

5.根据权利要求1所述的一种全自动吹扫捕集装置用铜质温控装置,其特征在于,所述安装座(1)上设置有多组安装孔(101)。

6.根据权利要求2所述的一种全自动吹扫捕集装置用铜质温控装置,其特征在于,所述散热机构(3)为散热片。


技术总结
本技术公开了一种全自动吹扫捕集装置用铜质温控装置,包括安装座和铜管,所述安装座上设置有安装架,所述安装座和安装架之间设置有制冷加热机构,所述制冷加热机构包括上片和下片,且上片和下片上均设置有弧槽,所述铜管上设置有传导层,所述制冷加热机构的上片和下片之间通过弧槽贴合夹持有传导层,所述铜管上位于传导层的两端设置有密封件。本技术中,设有包覆式温控机构,实现了样品的解析温控,省时省力,提高了解析操作的工作效率。

技术研发人员:朱金晴,饶钰,汪子智,赵文兵
受保护的技术使用者:安徽元硅仪器科技有限公司
技术研发日:20231109
技术公布日:2024/6/26
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