被配置为检测电极的故障的检测设备及操作其的方法与流程

本文公开的各种实施例涉及被配置为检测不良电极的检测设备及操作其的方法，并且更具体地，涉及一种用于检测不良电极的技术，该不良电极能够引起在与分隔膜的耦合表面中形成间隙。

背景技术：

1、近来，二次电池正在被日益开发和使用，因为它们是可再充电的并且具有更小的尺寸和更大的容量。

2、这种二次电池以由正极、分隔膜和负极构成的电极组件与电解质溶液一起容纳在电池壳体中的形式制造。例如，电极组件可以通过在分隔膜置于其间的状态下层叠正极和负极，然后施加一定水平的热和压力来制造。在这种情况下，电极和分隔膜彼此面对的部分可以在通过热和压力耦合（例如，结合）的状态下容纳在电池壳体中。

技术实现思路

1、[技术问题]

2、通常，电极组件中的电极和分隔膜之间的耦合状态与二次电池的性能有关。例如，当电极和分隔膜彼此面对的部分（例如，耦合表面）具有均匀厚度时，可以确保二次电池的性能处于一定水平。相反，当电极和分隔膜彼此面对的部分中的至少一部分由于弱化的结合强度等而具有不均匀的厚度时，不能够确保二次电池的性能处于一定水平。例如，在耦合表面的部分具有不均匀厚度的情况下，电解质溶液的消耗可能由于高电阻而增加，从而引起电池单体的膨胀并且引起由于析锂而导致二次电池的性能劣化。

3、本发明的各种实施例中的至少一个涉及提供检测设备以及操作其的方法，该检测设备被配置为检测不良电极，该不良电极能够引起二次电池的性能的劣化。

4、本发明的各种实施例中的至少一个涉及提供检测设备以及操作其的方法，该检测设备被配置成基于电极的厚度变化来检测能够引起电极组件中的间隙（例如，空间）的形成的不良电极。

5、[技术方案]

6、根据各种实施例的被配置为检测不良电极的检测设备包括：测量模块，其被配置为获取至少一个电极的厚度测量值；以及处理器，其电连接到测量模块，其中，处理器被配置为基于厚度测量值来确认在至少一个电极中形成的凹槽，并且当确认对应于参考形状的波形凹槽时，将至少一个电极检测为不良电极。

7、根据各种实施例，处理器可以被配置为以至少一个电极的参考厚度为基准，确认下述形式的波形凹槽：其中与参考厚度相比增加到一定水平或更多的平台区域以及与参考厚度相比减小到一定水平或更少的下沉区域连续地形成。

8、根据各种实施例，参考形状可以包括指定区域和指定深度中的至少一个。

9、根据各种实施例，处理器可以被配置为在厚度逐渐减小的倾斜部分中确认形成在至少一个电极中的凹槽。

10、根据各种实施例，倾斜部分可以在制造至少一个电极的工艺当中在切割或涂覆工艺中形成。

11、根据各种实施例，处理器可以被配置为在以至少一个电极上形成的电极接线片的边缘为基准朝向另一端的一定范围内的电极的上端部分中确认凹槽。

12、根据各种实施例，处理器可以被配置为获取电极组件的厚度测量值，在电极组件中，具有基本相同尺寸的正极和负极在分隔膜被插入在其间的情况下被层叠。

13、根据各种实施例，处理器可以被配置为获取电极组件的厚度测量值，在电极组件中，具有相对较大尺寸的负极和具有相对较小尺寸的正极在分隔膜被插入在其间的情况下被层叠。

14、根据各种实施例，处理器可以被配置为：当确认对应于参考形状的波形凹槽时，确认在平台区域之后下沉区域开始的位置与正极的边缘之间的距离；当距离被包括在指定范围内时，将至少一个电极检测为正常电极；以及当距离在指定范围之外时，将至少一个电极检测为不良电极。

15、根据各种实施例，检测设备还可以包括存储器，其中，处理器可以被配置为基于在不良电极中形成的波形凹槽的形状来重新设置参考形状，并且将重新设置的参考形状存储在存储器中。

16、根据各种实施例的操作检测设备的方法包括：获取至少一个电极的厚度测量值的操作；基于厚度测量值来确认在至少一个电极中形成的凹槽的操作；以及当确认对应于参考形状的波形凹槽时将至少一个电极检测为不良电极的操作。

17、根据各种实施例，波形凹槽可以包括如下形式：以至少一个电极的参考厚度为基准，与参考厚度相比增加到一定水平或更多的平台区域以及与参考厚度相比减小到一定水平或更少的下沉区域连续地形成。

18、根据各种实施例，参考形状可以包括指定区域和指定深度中的至少一个。

19、根据各种实施例，操作方法可以包括在厚度逐渐减小的倾斜部分中确认形成在至少一个电极中的凹槽的操作。

20、根据各种实施例，倾斜部分可以在制造至少一个电极的工艺当中在切割或涂覆工艺中形成。

21、根据各种实施例，操作方法可以包括在以形成在至少一个电极上的电极接线片的边缘为基准朝向另一端的一定范围内的电极的上端部分中确认凹槽的操作。

22、根据各种实施例，操作方法可以包括获取电极组件的厚度测量值的操作，在电极组件中，具有基本相同尺寸的正极和负极在分隔膜被插入在其间的情况下被层叠。

23、根据各种实施例，操作方法可以包括获取电极组件的厚度测量值的操作，在电极组件中，具有相对较大尺寸的负极和具有相对较小尺寸的正极在分隔膜被插入在其间的情况下被层叠。

24、根据各种实施例，操作方法可以包括：当确认对应于参考形状的波形凹槽时，确认浸渍区域在平台区域之后下沉区域开始的位置与正极的边缘之间的距离的操作；当距离被包括在指定范围内时，将至少一个电极检测为正常电极的操作；以及当距离在指定范围之外时将至少一个电极检测为不良电极的操作。

25、根据各种实施例，操作方法可以包括基于在不良电极中形成的波形凹槽的形状来重新设置参考形状的操作，以及存储重新设置的参考形状的操作。

26、[有益效果]

27、根据本文所公开的各种实施例，根据被配置为检测电极的故障的检测设备和操作其的方法，通过基于电极的厚度变化来检测能够引起在电极组件中形成间隙的不良电极，可以制造确保性能在一定水平下的二次电池。

28、本文可以获得的效果不限于上述效果。

技术特征：

1.一种检测设备，被配置为检测不良电极，所述检测设备包括：

2.根据权利要求1所述的检测设备，其中，所述处理器被配置为以所述至少一个电极的参考厚度为基准，确认下述形式的所述波形凹槽：其中与所述参考厚度相比增加到一定水平或更多的平台区域以及与所述参考厚度相比减小到一定水平或更少的下沉区域连续地形成。

3.根据权利要求1所述的检测设备，其中，所述参考形状包括指定区域和指定深度中的至少一个。

4.根据权利要求1所述的检测设备，其中，所述处理器被配置为在厚度逐渐减小的倾斜部分中确认所述至少一个电极中形成的所述凹槽。

5.根据权利要求4所述的检测设备，其中，在制造所述至少一个电极的工艺当中，在切割或涂覆工艺中形成所述倾斜部分。

6.根据权利要求1所述的检测设备，其中，所述处理器被配置为在以在所述至少一个电极上形成的电极接线片的边缘为基准朝向另一端的一定范围内的所述电极的上端部分中确认所述凹槽。

7.根据权利要求1所述的检测设备，其中，所述处理器被配置为获取电极组件的厚度测量值，在所述电极组件中，具有基本相同尺寸的正极和负极在分隔膜被插入在其间的情况下被层叠。

8.根据权利要求2所述的检测设备，其中，所述处理器被配置为获取电极组件的厚度测量值，在所述电极组件中，具有相对较大尺寸的负极和具有相对较小尺寸的正极在分隔膜被插入在其间的情况下被层叠。

9.根据权利要求8所述的检测设备，其中，所述处理器被配置为：

10.根据权利要求1所述的检测设备，还包括存储器，

11.一种操作检测设备的方法，包括：

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述波形凹槽包括以所述至少一个电极的所述参考厚度为基准，与所述参考厚度相比增加到一定水平或更多的平台区域以及与所述参考厚度相比减小到一定水平或更少的下沉区域连续地形成的形式。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，所述参考形状包括指定区域和指定深度中的至少一个。

14.根据权利要求11所述的方法，包括在厚度逐渐减小的倾斜部分中确认所述至少一个电极中形成的所述凹槽的操作。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，在制造所述至少一个电极的工艺当中，在切割或涂覆工艺中形成所述倾斜部分。

16.根据权利要求11所述的方法，包括在以形成在所述至少一个电极上的电极接线片的边缘为基准朝向另一端的一定范围内的所述电极的上端部分中确认所述凹槽的操作。

17.根据权利要求11所述的方法，包括获取电极组件的厚度测量值的操作，在所述电极组件中，具有基本相同尺寸的正极和负极在分隔膜被插入在其间的情况下被层叠。

18.根据权利要求12所述的方法，包括获取电极组件的厚度测量值的操作，在所述电极组件中，具有相对较大尺寸的负极和具有相对较小尺寸的正极在分隔膜被插入在其间的情况下被层叠。

19.根据权利要求18所述的方法，包括：当确认对应于所述参考形状的所述波形凹槽时，确认所述平台区域后所述下沉区域开始的位置与所述正极的边缘之间的距离的操作；

20.根据权利要求11所述的方法，包括基于在所述不良电极中形成的所述波形凹槽的形状来重新设置所述参考形状的操作；以及

技术总结
根据各种实施例的被配置为检测不良电极的检测设备包括：测量模块，其被配置为获取至少一个电极的厚度测量值；以及处理器，其电连接到测量模块，其中，处理器基于厚度测量值来确认在至少一个电极中形成的凹槽，并且当确认对应于参考形状的波形凹槽时，将至少一个电极检测为不良电极。

技术研发人员：孙周焕
受保护的技术使用者：株式会社LG新能源
技术研发日：
技术公布日：2024/12/30