半导体试验装置以及半导体装置的制造方法与流程

本发明涉及半导体试验装置以及半导体装置的制造方法。

背景技术：

1、对半导体装置的电特性进行评价的半导体试验装置使得用于进行电输入输出的探针与在该半导体装置的表面设置的电极接触。在半导体装置具有电流沿纵向即与表面垂直的方向流动的纵向型构造的情况下，在该试验中，有时在半导体装置的与工作台相同电位的部分和半导体装置的表面的电极之间产生放电(以下称为局部放电)。该局部放电引起半导体装置的局部破损、半导体装置的故障等。

2、在专利文献1中公开的试验装置在对载置有被试验体的压力容器内的气压进行了加压的状态下进行试验。由此，试验装置防止了在被试验体的高电压试验中产生的局部放电。

3、专利文献1：日本特开2011-252792号公报

4、半导体试验装置的探针存在将其直径小型化的趋势，例如提出了细线化的导线探针等各个种类的探针。根据探针的种类的不同，探针可能由于在加压时向压力容器内的气体封入而变形。这样的变形对半导体装置的电特性的试验的品质造成影响。

技术实现思路

1、本发明用于解决上述的课题，其目的在于，提供一种能够减少局部放电的产生，并且稳定地进行半导体装置的电特性的试验的半导体试验装置。

2、本发明涉及的半导体试验装置对半导体装置的电特性进行评价。半导体试验装置包含工作台、探针、分离部以及气体供给部。探针对在工作台保持的半导体装置进行电输入输出。分离部将在工作台保持的半导体装置的上方的空间分离为加压空间和包含探针的探针空间。气体供给部向加压空间供给气体，对加压空间进行加压。

3、发明的效果

4、根据本发明，提供一种能够减少局部放电的产生，并且稳定地进行半导体装置的电特性的试验的半导体试验装置。

5、本发明的目的、特征、方案以及优点通过以下的详细说明和附图而变得更加明确。

技术特征：

1.一种半导体试验装置，其对半导体装置的电特性进行评价，

2.根据权利要求1所述的半导体试验装置，其中，

3.根据权利要求1或2所述的半导体试验装置，其中，

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体试验装置，其中，

5.一种半导体装置的制造方法，其使用权利要求1至4中任一项所述的半导体试验装置对半导体装置的电特性进行评价而制造所述半导体装置，

6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中，

7.根据权利要求5或6所述的半导体装置的制造方法，其中，

8.根据权利要求5至7中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

9.根据权利要求5至8中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

10.根据权利要求5至9中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

11.根据权利要求5至10中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

技术总结
涉及半导体试验装置以及半导体装置的制造方法。减少局部放电的产生，并且稳定地进行半导体装置的电特性的试验。半导体试验装置(101)包含工作台(10)、探针(20)、分离部(30)以及气体供给部(40)。探针(20)对在工作台保持的半导体装置(200)进行电输入输出。分离部(30)将在工作台(10)保持的半导体装置(200)的上方的空间分离为加压空间(50)和包含探针(20)的探针空间(60)。气体供给部(40)向加压空间(50)供给气体，对加压空间(50)进行加压。

技术研发人员：野村典嗣,吉村卓哉
受保护的技术使用者：三菱电机株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/9/5