一种新型光电传感器电路的制作方法

本发明涉及光电传感器领域，具体涉及一种新型光电传感器电路。

背景技术：

1、现行市面上的光电传感器主要分两种：1、分立式器件方案，其不足是：分立式元器件较多，pcb板占据空间较大，整个系统运行稳定性差；整个电路设计中保护电路由各电子元器件实现，保护电路较少；2、半集成芯片方案，其不足是：芯片设计保护功能较少，仅有负载过流保护，其余防反接保护与稳压功能仍由外接电子元器件实现；除芯片外，其余电子元器件相对较多，系统稳定性较差。

技术实现思路

1、本发明解决了目前光电传感器电路所需电子元器件多或者缺少保护电路的问题，提出一种新型光电传感器电路，整体电路设计所需的电子元器件少，且整体电路系统稳定性大幅度提高；集成芯片内部集成了多种保护电路，提高电路的安全性。

2、为了实现上述目的，本发明采用以下技术方案：一种新型光电传感器电路，包括集成芯片u3，所述集成芯片u3分别连接有红外信号发生器u1以及红外信号接收器u2；所述集成芯片u3包括逻辑控制电路和恒流发射电路，所述逻辑控制电路分别连接有负载保护模块以及电压冲击保护模块；所述逻辑控制电路包括若干个开关芯片。

3、本技术方案中，设置有一个集成芯片u3，其不仅仅具备有控制功能，还设置有多种保护模块，例如负载保护模块和电压冲击保护模块；同时，由于集成芯片u3集成了大量的功能，故其一个元器件能够抵上多个元器件，整个电路所需的电子元器件少，且大量的保护模块能够保证整体电路运行的安全性。

4、本发明还进一步设置为：所述恒流发射电路包括三极管q3的集电极连接有电阻r3，所述电阻r3连接有电阻r6，所述电阻r6连接有二极管u1，所述二极管u1连接有三极管q4的集电极，所述三极管q4的基极连接三极管q3的集电极，所述三极管q4的发射极分别连接有电阻r7和三极管q3的基极，所述电阻r7连接三极管q3的发射极。

5、本技术方案中，由三极管q3、三极管q4、电阻r3、电阻r6、电阻r7和二极管u1组成的恒流发射电路发出红外信号。

6、本发明还进一步设置为：所述电压冲击保护模块包括高压nmos，所述高压nmos的栅极分别连接有若干个稳压二极管和mos管avdd。

7、本技术方案中，电压冲击保护模块能够起到电压保护的作用。

8、本发明还进一步设置为：所述负载保护模块包括过流保护单元和短路保护单元，所述过流保护单元包括第一比较器，所述过流保护单元包括第二比较器，第一比较器和第二比较器相连接，第一比较器和第二比较器均连接逻辑控制电路。

9、本技术方案中，负载保护模块能够起到短路保护和过流保护的作用。

10、本发明还进一步设置为：所述集成芯片u3的接地引脚连接有电容c1，所述电容c1的另一端分别连接集成芯片u3的第一电源引脚和电阻r1，所述电阻r1的另一端连接电源端。

11、本技术方案中，电阻r1、电容c1能够组成rc滤波电路。

12、本发明还进一步设置为：所述集成芯片u3还连接有输出信号动作显示模块，所述输出信号动作显示模块包括发光二极管led1，所述发光二极管led1的正极与集成芯片u3的显示引脚连接，所述发光二极管led1的负极接地。

13、本技术方案中，发光二极管led1能够显示输出信号动作。

14、本发明还进一步设置为：所述开关芯片包括第一开关芯片q5和第二开关芯片q6，所述第一开关芯片q5和第二开关芯片q6分别连接有三极管q1和三极管q2。

15、本技术方案中，第一开关芯片q5和第二开关芯片q6能够对上述的三极管q1和三极管q2进行输出控制。

16、本发明还进一步设置为：所述逻辑控制电路还连接有过温保护模块。

17、本技术方案中，过温保护模块能够防止集成芯片u3温度过高。

18、本发明还进一步设置为：所述发光二极管led1采用侧贴方式设置。

19、本技术方案中，发光二极管led1采用侧贴方式进行设计能够降低设计成本。

20、本发明还进一步设置为：所述红外信号发生器u1以及红外信号接收器u2采用侧贴方式设置。

21、本技术方案中，上述的设计能够有效降低外壳设计空间与pcba组装焊接成本。

22、本发明能够带来如下的有益效果：

23、本发明涉及的一种新型光电传感器电路，整体电路设计所需的电子元器件少，且整体电路系统稳定性大幅度提高；集成芯片内部集成了多种保护电路，提高电路的安全性。

技术特征：

1.一种新型光电传感器电路，其特征在于，包括集成芯片u3，所述集成芯片u3分别连接有红外信号发生器u1以及红外信号接收器u2；所述集成芯片u3包括逻辑控制电路和恒流发射电路，所述逻辑控制电路分别连接有负载保护模块以及电压冲击保护模块；所述逻辑控制电路包括若干个开关芯片。

2.根据权利要求1所述的一种新型光电传感器电路，其特征在于，所述恒流发射电路包括三极管q3的集电极连接有电阻r3，所述电阻r3连接有电阻r6，所述电阻r6连接有二极管u1，所述二极管u1连接有三极管q4的集电极，所述三极管q4的基极连接三极管q3的集电极，所述三极管q4的发射极分别连接有电阻r7和三极管q3的基极，所述电阻r7连接三极管q3的发射极。

3.根据权利要求1或2所述的一种新型光电传感器电路，其特征在于，所述电压冲击保护模块包括高压nmos，所述高压nmos的栅极分别连接有若干个稳压二极管和mos管avdd。

4.根据权利要求3所述的一种新型光电传感器电路，其特征在于，所述负载保护模块包括过流保护单元和短路保护单元，所述过流保护单元包括第一比较器，所述过流保护单元包括第二比较器，第一比较器和第二比较器相连接，第一比较器和第二比较器均连接逻辑控制电路。

5.根据权利要求1或2或4所述的一种新型光电传感器电路，其特征在于，所述集成芯片u3的接地引脚连接有电容c1，所述电容c1的另一端分别连接集成芯片u3的第一电源引脚和电阻r1，所述电阻r1的另一端连接电源端。

6.根据权利要求1或2或4所述的一种新型光电传感器电路，其特征在于，所述集成芯片u3还连接有输出信号动作显示模块，所述输出信号动作显示模块包括发光二极管led1，所述发光二极管led1的正极与集成芯片u3的显示引脚连接，所述发光二极管led1的负极接地。

7.根据权利要求5所述的一种新型光电传感器电路，其特征在于，所述开关芯片包括第一开关芯片q5和第二开关芯片q6，所述第一开关芯片q5和第二开关芯片q6分别连接有三极管q1和三极管q2。

8.根据权利要求所述的一种新型光电传感器电路，其特征在于，所述逻辑控制电路还连接有过温保护模块。

9.根据权利要求6所述的一种新型光电传感器电路，其特征在于，所述发光二极管led1采用侧贴方式设置。

10.根据权利要求1或2或4所述的一种新型光电传感器电路，其特征在于，所述红外信号发生器u1以及红外信号接收器u2采用侧贴方式设置。

技术总结
本发明公开了一种新型光电传感器电路，涉及光电传感器领域，旨在解决目前光电传感器电路所需电子元器件多或者缺少保护电路的问题，一种新型光电传感器电路，包括集成芯片U3，集成芯片U3分别连接有红外信号发生器U1以及红外信号接收器U2；集成芯片U3包括逻辑控制电路和恒流发射电路，逻辑控制电路分别连接有负载保护模块以及电压冲击保护模块；逻辑控制电路包括若干个开关芯片。本发明中，整体电路设计所需的电子元器件少，且整体电路系统稳定性大幅度提高；集成芯片内部集成了多种保护电路，提高电路的安全性。

技术研发人员：王世忠,陈早阳,钱俊,刘阳,武晋,沈宏旭
受保护的技术使用者：宁波亚德客自动化工业有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/7/15