本发明涉及芯片测试,尤其涉及一种芯片测试方法、装置及电子设备。
背景技术:
1、在半导体制造过程中,芯片测试是确保产品质量和性能的关键环节。它涉及到对每个制造出来的芯片进行细致入微的检测,以确保其满足设计和性能规格。
2、芯片测试通常包含晶圆在制造完出厂前的可接收测试(wafer accept test,简称wat)、芯片在封装前的晶圆级测试(wafer sorting,简称ws)、芯片封装后的终测(finaltest,简称ft)、芯片上板子后的系统级测试(system level test,简称slt)。
3、由于芯片测试所用的测试设备,通常都具有规格限制,如果将芯片在测试设备上进行盲目测试,容易导致测试设备受损。
技术实现思路
1、有鉴于此,本发明实施方式提供一种芯片测试方法、装置及电子设备,有利于减少或避免测试设备受损的情况发生。
2、第一方面,本发明实施方式提供一种芯片测试方法,包括:获取芯片在前置测试工序中的至少一个指定测试项的测试参数值;将所述至少一个指定测试项的测试参数值,作为目标测试项的预测模型的输入,通过所述预测模型输出所述目标测试项的预测参数值;判断所述预测参数值是否大于预设阈值;若所述预测参数值大于预设阈值,则以所述预测参数值,作为所述芯片的所述目标测试项的实际测试参数值;若所述预测参数值小于或等于预设阈值,则对所述芯片的所述目标测试项进行实际测试,以得到所述目标测试项的实际测试参数值。
3、根据本发明一可实现实施方式,所述获取芯片在前置测试工序中的至少一个指定测试项的测试参数值,包括:获取晶圆在制造完出厂前的可接收测试工序和/或芯片在封装前的晶圆级测试工序中的至少一个指定测试项的测试参数值。
4、根据本发明一可实现实施方式,所述目标测试项为漏电测试项;所述预设阈值小于或等于对所述芯片进行漏电测试的测试设备的安全电流值;其中,所述将所述至少一个指定测试项的测试参数值,作为目标测试项的预测模型的输入,通过所述预测模型输出所述目标测试项的预测参数值,包括:将所述至少一个指定测试项的测试参数值,作为漏电测试项的预测模型的输入,通过所述预测模型输出所述漏电测试项的预测参数值。
5、根据本发明一可实现实施方式,所述指定测试项包括如下测试项中的至少一项:可接收测试器件级漏电测试参数或器件级开启工作电流参数;芯片在封装前的晶圆级测试中器件级漏电或工作电流;晶圆级测试中管脚间开短路测试参数;晶圆级测试中管脚漏电测试;芯片的温控热阻测试;晶圆级测试前级静态漏电。
6、根据本发明一可实现实施方式,在将所述至少一个指定测试项的测试参数值,作为所述目标测试项的预测模型的输入之前,所述方法还包括:构建目标测试项的预测模型函数;基于预先建立的目标测试项的测试参数的样本集,通过有监督机器学习,以求解误差函数最小值为目标,训练所述预测模型函数,得到所述目标测试项的预测模型。
7、根据本发明一可实现实施方式,在得到所述目标测试项的实际测试参数值之后,所述方法还包括:判断所述目标测试项的实际测试参数值是否符合产品设计规格;若符合,则对所述芯片进行下一测试项目的测试,否则,将所述芯片确定为失效芯片。
8、第二方面,本发明实施方式还提供一种芯片测试装置,包括:前置参数值获取模块,用于获取芯片在前置测试工序中的至少一个指定测试项的测试参数值;参数值预测模块,用于将所述至少一个指定测试项的测试参数值,作为目标测试项的预测模型的输入,通过所述预测模型输出所述目标测试项的预测参数值;第一比较模块,用于判断所述预测参数值是否大于预设阈值;赋值模块,用于若所述预测参数值大于预设阈值,则以所述预测参数值,作为所述芯片的所述目标测试项的实际测试参数值;实测模块,用于若所述预测参数值小于或等于预设阈值,则对所述芯片的所述目标测试项进行实际测试,以得到所述目标测试项的实际测试参数值。
9、根据本发明一可实现实施方式,所述前置参数值获取模块,具体用于:获取晶圆在制造完出厂前的可接收测试工序和/或芯片在封装前的晶圆级测试工序中的至少一个指定测试项的测试参数值。
10、根据本发明一可实现实施方式,所述参数值预测模块,具体用于:将所述至少一个指定测试项的测试参数值,作为漏电测试项的预测模型的输入,通过所述预测模型输出所述漏电测试项的预测参数值。
11、根据本发明一可实现实施方式,所述的芯片测试装置,还包括:机器学习模块,用于构建目标测试项的预测模型函数,并基于预先建立的目标测试项的测试参数的样本集,通过有监督机器学习,以求解误差函数最小值为目标,训练所述预测模型函数,得到所述目标测试项的预测模型。
12、根据本发明一可实现实施方式,所述的芯片测试装置,还包括:第二比较模块,用于判断所述目标测试项的实际测试参数值是否符合产品设计规格;测试模块,用于若所述目标测试项的实际测试参数值符合产品设计规格,则对所述芯片进行下一测试项目的测试;失效分类模块,用于若所述目标测试项的实际测试参数值不符合产品设计规格,则将所述芯片确定为失效芯片。
13、第三方面,本发明实施方式还提供一种电子设备,包括:壳体、处理器、存储器、电路板和电源电路,其中,电路板安置在壳体围成的空间内部,处理器和存储器设置在电路板上;电源电路,用于为上述电子设备的各个电路或器件供电;存储器用于存储可执行程序代码;处理器通过读取存储器中存储的可执行程序代码来运行与可执行程序代码对应的程序,用于执行前述任一实施方式所述的芯片测试方法。
14、第四方面,本发明实施方式还提供一种计算机可读存储介质,所述计算机可读存储介质存储有一个或者多个程序,所述一个或者多个程序可被一个或者多个处理器执行,以实现前述任一实施方式所述的芯片测试方法。
15、本发明芯片测试方法、装置及电子设备实施方式中,根据预测参数值是否大于预设阈值的判断结果,可确定是否将芯片在测试设备上进行目标测试项的实际测试,以减少对芯片在测试设备上进行目标测试项的盲目测试,而导致测试设备受损的情况发生。
1.一种芯片测试方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的芯片测试方法,其特征在于,所述获取芯片在前置测试工序中的至少一个指定测试项的测试参数值,包括:
3.根据权利要求1所述的芯片测试方法,其特征在于,所述目标测试项为漏电测试项;所述预设阈值小于或等于对所述芯片进行漏电测试的测试设备的安全电流值;
4.根据权利要求3所述的芯片测试方法,其特征在于,所述指定测试项包括如下测试项中的至少一项:
5.根据权利要求1所述的芯片测试方法,其特征在于,在将所述至少一个指定测试项的测试参数值,作为目标测试项的预测模型的输入之前,所述方法还包括:
6.根据权利要求1所述的芯片测试方法,其特征在于,在得到所述目标测试项的实际测试参数值之后,所述方法还包括:
7.一种芯片测试装置,其特征在于,包括:
8.根据权利要求7所述的芯片测试装置,其特征在于,所述前置参数值获取模块,具体用于:获取晶圆在制造完出厂前的可接收测试工序和/或芯片在封装前的晶圆级测试工序中的至少一个指定测试项的测试参数值。
9.根据权利要求7所述的芯片测试装置,其特征在于,所述参数值预测模块,具体用于:将所述至少一个指定测试项的测试参数值,作为漏电测试项的预测模型的输入,通过所述预测模型输出所述漏电测试项的预测参数值。
10.根据权利要求7所述的芯片测试装置,其特征在于,还包括:
11.根据权利要求7所述的芯片测试装置,其特征在于,还包括:
12.一种电子设备,其特征在于,所述电子设备包括:壳体、处理器、存储器、电路板和电源电路,其中,电路板安置在壳体围成的空间内部,处理器和存储器设置在电路板上;电源电路,用于为上述电子设备的各个电路或器件供电;存储器用于存储可执行程序代码;处理器通过读取存储器中存储的可执行程序代码来运行与可执行程序代码对应的程序,用于执行前述权利要求1-6任一所述的芯片测试方法。
13.一种计算机可读存储介质,其特征在于,所述计算机可读存储介质存储有一个或者多个程序,所述一个或者多个程序可被一个或者多个处理器执行,以实现前述权利要求1-6任一所述的芯片测试方法。