一种缺氧ER类产品的检测方法与流程

本发明涉及锰锌铁氧体磁芯生产，特别是一种缺氧er类产品的检测方法。

背景技术：

1、锰锌软磁铁氧体制造过程为，使将粉料颗粒压制成型成为坯件，坯件在氮气氛保护窑炉中进行烧结，把坯件烧结成为具有一定形状和强度的半成品。

2、氮气氛保护窑炉在运行过程中，烧结温度和氧含量呈对应关系，窑炉保温区到降温区，即1380℃-1000℃之间，产品需要适当的吸氧，如若此时氧含量偏低，则会导致产品缺氧。缺氧产品在外观上很难识别，缺氧会造成产品功耗偏高，电感量降低，电性能恶化，必须要严格区分和分选出来这些缺氧不良品。

3、er类产品是扁平型产品，在窑炉上采用叠起来烧结的方式，这种烧结方式，氧气很难完全进入到产品之中，一旦氧含量稍偏低，就会有缺氧产品，原有的方法很难单个分选出er类缺氧产品，一旦确认产品缺氧，即整批报废，这样就会造成批量的损失，为此，设计了一种缺氧er类产品的检测方法。

技术实现思路

1、本发明的目的是为了解决上述问题，设计了一种缺氧er类产品的检测方法。

2、实现上述目的本发明的技术方案为，一种缺氧er类产品的检测方法，包括以下步骤：

3、步骤一：准备待检测产品；

4、步骤二：将待检测产品放置在磨床上；

5、步骤三：在产品上磨加工平面；

6、步骤四：对产品进行检测；

7、步骤五：判断产品是否合格。

8、作为本技术方案的进一步描述，所述步骤一中，准备待检测的er磁芯产品，将待检测的产品放置在磨床旁边的货架上。

9、作为本技术方案的进一步描述，所述步骤二中，将待检测的产品放置在磨床旁边的货架上的待检测的er磁芯产品放置在磨床的工作台面上。

10、作为本技术方案的进一步描述，所述步骤三，启动磨床，通过磨床的磨具对er磁芯产品的表面进行打磨作业，打磨面上的3mm宽度范围内为检测区域。

11、作为本技术方案的进一步描述，所述步骤四中，采用数显万用表对er磁芯产品的检测区域进行测试，平点在产品底部的磨加工面上3mm检测区域内，将数显外用表的测试针脚放置在检测区域，同时对测试针脚施加压力。

12、作为本技术方案的进一步描述，数显万用表用200kω。

13、作为本技术方案的进一步描述，两个测试针脚间距约8-12mm。

14、作为本技术方案的进一步描述，施加压力为0.5-1lgf。

15、作为本技术方案的进一步描述，所述步骤五中，测试结果＜10kω的产品，为缺氧产品，判定为缺氧不良品。

16、其有益效果在于，本技术方案的检测方法，操作简单，易操作，采用本技术方案的检测方法，实现了对er磁芯产品是否缺氧进行快速检测，有效提高了er磁芯产品的检测效率，也有效提高了er磁芯产品的检测精度，避免了因为单个产品缺氧，造成批量产品报废的损失。

技术特征：

1.一种缺氧er类产品的检测方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种缺氧er类产品的检测方法，其特征在于，所述步骤一中，准备待检测的er磁芯产品，将待检测的产品放置在磨床旁边的货架上。

3.根据权利要求2所述的一种缺氧er类产品的检测方法，其特征在于，所述步骤二中，将待检测的产品放置在磨床旁边的货架上的待检测的er磁芯产品放置在磨床的工作台面上。

4.根据权利要求3所述的一种缺氧er类产品的检测方法，其特征在于，所述步骤三，启动磨床，通过磨床的磨具对er磁芯产品的表面进行打磨作业，打磨面上的3mm宽度范围内为检测区域。

5.根据权利要求4所述的一种缺氧er类产品的检测方法，其特征在于，所述步骤四中，采用数显万用表对er磁芯产品的检测区域进行测试，平点在产品底部的磨加工面上3mm检测区域内，将数显外用表的测试针脚放置在检测区域，同时对测试针脚施加压力。

6.根据权利要求5所述的一种缺氧er类产品的检测方法，其特征在于，数显万用表用200kω。

7.根据权利要求5所述的一种缺氧er类产品的检测方法，其特征在于，两个测试针脚间距约8-12mm。

8.根据权利要求5所述的一种缺氧er类产品的检测方法，其特征在于，施加压力为0.5-1lgf。

9.根据权利要求1所述的一种缺氧er类产品的检测方法，其特征在于，所述步骤五中，测试结果＜10kω的产品，为缺氧产品，判定为缺氧不良品。

技术总结
本发明公开了一种缺氧ER类产品的检测方法，包括以下步骤：步骤一：准备待检测产品；步骤二：将待检测产品放置在磨床上；步骤三：在产品上磨加工平面；步骤四：对产品进行检测；步骤五：判断产品是否合格。本发明的有益效果是，本技术方案的检测方法，操作简单，易操作，采用本技术方案的检测方法，实现了对ER磁芯产品是否缺氧进行快速检测，有效提高了ER磁芯产品的检测效率，也有效提高了ER磁芯产品的检测精度，避免了因为单个产品缺氧，造成批量产品报废的损失。

技术研发人员：刘洪建
受保护的技术使用者：无锡斯贝尔磁性材料有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/12/10