本发明涉及传感器,具体为一种mems平板电容式差压压力传感器。
背景技术:
1、现有的mems压力计一般是先做一层薄膜结构,将压力作用到薄膜之上,使其产生形变,以薄膜的变化量来测量压力的变化。测量方式通常是在薄膜上添加电桥结构,通过测量电阻变化来反映压力的变化。还有一种测量方式是在薄膜附近设置平板电容,通过测量薄膜和平板电容之间电容的变化来检测压力的变化。上述测量方式存在的问题是均是依靠薄膜的单侧形变,导致误差较大。此外,中国专利cn102445298a公开了一种薄膜在中间变化,双面极板固定并打孔的结构,该结构存在的问题是压力介质通过小孔作用到中间感压膜上,测量时的响应速度较慢。
技术实现思路
1、本发明的目的在于提供一种mems平板电容式差压压力传感器,以解决上述背景技术中提出的问题。
2、为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
3、一种mems平板电容式差压压力传感器,包括:外框(1),用于作为承载结构;平板电极(4),固定设置在所述外框(1)内;第一薄膜(2)和第二薄膜(3),安装在外框(1)内,且分别位于所述平板电极(4)的两侧,配置为通过测量薄膜和平板电极(4)之间电容的变化,来反映压力的变化;刚性连接体(5),位于第一薄膜(2)和第二薄膜(3)之间,用于传导第一薄膜(2)、第二薄膜(3)的压力。
4、可选的,所述第一薄膜(2)用于被施加被测压力,所述第二薄膜(3)用于被施加固定压力。
5、可选的,所述平板电极(4)设置在所述刚性连接体(5)的周边。
6、可选的,所述平板电极(4)为一个连续的整体结构、两个对半的结构、或四个四份之一结构。
7、可选的,所述刚性连接体(5)为单个,位于所述第一薄膜(2)或所述第二薄膜(3)的中心处;或者所述刚性连接体(5)为多个,成阵列排布。
8、可选的,在所述外框(1)中,所述第一薄膜(2)与所述平板电极(4)之间设置有绝缘层(7)。
9、可选的,所述第一薄膜(2)和/或第二薄膜(3)的材料为硅,所述绝缘层(7)的材料为氧化硅。
10、可选的,所述第一薄膜(2)与所述平板电极(4)之间的距离为第一间距,该第一间距的范围为1μm~10μm;所述第二薄膜(3)与所述平板电极(4)之间的距离为第二间距,该第二间距的范围为1μm~10μm。
11、可选的,所述第一间距与所述第二间距相等。
12、可选的,所述刚性连接体(5)包括第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面,其中所述第一表面与所述第一薄膜(2)接触且固定,所述第二表面与所述第二薄膜(3)接触且固定。
13、与现有技术相比,本发明的有益效果是:本发明通过固定的平板电极以及平板电极两侧的薄膜结构,实现压力的差分测量,在减小误差的同时提高灵敏度。
1.一种mems平板电容式差压压力传感器,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的mems平板电容式差压压力传感器,其特征在于,所述第一薄膜(2)用于被施加被测压力,所述第二薄膜(3)用于被施加固定压力。
3.根据权利要求1所述的mems平板电容式差压压力传感器,其特征在于,所述平板电极(4)设置在所述刚性连接体(5)的周边。
4.根据权利要求1所述的mems平板电容式差压压力传感器,其特征在于,所述平板电极(4)为一个连续的整体结构、两个对半的结构、或四个四份之一结构。
5.根据权利要求1所述的mems平板电容式差压压力传感器,其特征在于,所述刚性连接体(5)为单个,位于所述第一薄膜(2)或所述第二薄膜(3)的中心处;或者所述刚性连接体(5)为多个,成阵列排布。
6.根据权利要求1至5中任意一项所述的mems平板电容式差压压力传感器,其特征在于,在所述外框(1)中,所述第一薄膜(2)与所述平板电极(4)之间设置有绝缘层(7)。
7.根据权利要求6所述的mems平板电容式差压压力传感器,其特征在于,所述第一薄膜(2)和/或第二薄膜(3)的材料为硅,所述绝缘层(7)的材料为氧化硅。
8.根据权利要求1所述的mems平板电容式差压压力传感器,其特征在于,所述第一薄膜(2)与所述平板电极(4)之间的距离为第一间距,该第一间距的范围为1μm~10μm;所述第二薄膜(3)与所述平板电极(4)之间的距离为第二间距,该第二间距的范围为1μm~10μm。
9.根据权利要求8所述的mems平板电容式差压压力传感器,其特征在于,所述第一间距与所述第二间距相等。
10.根据权利要求1所述的mems平板电容式差压压力传感器,其特征在于,所述刚性连接体(5)包括第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面,其中所述第一表面与所述第一薄膜(2)接触且固定,所述第二表面与所述第二薄膜(3)接触且固定。