一种芯片老化测试方法、装置、电子设备及存储介质与流程

本申请涉及芯片测试领域，尤其涉及一种芯片老化测试方法、装置、电子设备及存储介质。

背景技术：

1、芯片老化和压力测试是确保半导体产品质量和可靠性的关键步骤。它们通过在制造阶段筛选出潜在的故障芯片，从而提升了整体产品的质量和市场竞争力。然而在实际应用中，这些测试需要高度精确的测试设备和复杂的测试程序以及严苛的测试环境，以及较长的测试时间，来确保测试的有效性。

技术实现思路

1、本申请提供了一种芯片老化测试方法、装置、电子设备及存储介质，可以在仅通过两个测试通道完成所有测试项的同时，降低芯片各项测试的测试时间，进而减低测试成本、提高测试效率。

2、根据本申请的一方面，提供了一种芯片老化测试方法，所述方法包括：

3、通过通信协议转换控制器将待测试芯片内部用于芯片测试的标准五线通信转换为目标两线通信，得到目标芯片；

4、选取用于高电压应力测试的测试模式，并确定对所述目标芯片进行高电压应力测试的测试电压和测试时间；

5、在所述测试模式下，根据所述测试电压和所述测试时间对所述目标芯片进行测试，并将测试结果作为所述待测试芯片的老化测试结果。

6、根据本申请的另一方面，提供了一种芯片老化测试装置，所述装置包括：

7、通信转换模块，用于通过通信协议转换控制器将待测试芯片内部用于芯片测试的标准五线通信转换为目标两线通信，得到目标芯片；

8、测试准备模块，用于选取用于高电压应力测试的测试模式，并确定对所述目标芯片进行高电压应力测试的测试电压和测试时间；

9、老化测试模块，用于在所述测试模式下，根据所述测试电压和所述测试时间对所述目标芯片进行测试，并将测试结果作为所述待测试芯片的老化测试结果。

10、根据本申请的另一方面，提供了一种电子设备，所述电子设备包括：

11、至少一个处理器；以及

12、与所述至少一个处理器通信连接的存储器；其中，

13、所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的计算机程序，所述计算机程序被所述至少一个处理器执行，以使所述至少一个处理器能够执行本发明任一实施例所述的芯片老化测试方法。

14、根据本申请的另一方面，提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机指令，所述计算机指令用于使处理器执行时实现本发明任一实施例所述的芯片老化测试方法。

15、本申请实施例的技术方案，通过通信协议转换控制器将待测试芯片内部用于芯片测试的标准五线通信转换为目标两线通信，得到目标芯片；选取用于高电压应力测试的测试模式，并确定对所述目标芯片进行高电压应力测试的测试电压和测试时间；在所述测试模式下，根据所述测试电压和所述测试时间对所述目标芯片进行测试，并将测试结果作为所述待测试芯片的老化测试结果。本申请实施例的技术方案，通过将待测试芯片内部的标准五线通信转换为目标两线通信得到的目标芯片，并获取目标芯片在高电压应力测试下得到的测试结果作为老化测试结果，可以在仅通过两个测试通道完成所有测试项的同时，降低芯片各项测试的测试时间，进而减低测试成本、提高测试效率。

16、应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本发明的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本发明的范围。本发明的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。

技术特征：

1.一种芯片老化测试方法，其特征在于，所述方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述标准五线通信包括测试时钟tck、测试模式选择tms、测试数据输入tdi、测试数据输出tdo以及测试复位trst；所述目标两线通信包括测试时钟端口tpclk以及测试数据输入输出端口tpio；

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过测试时钟端口tpclk和测试数据输入输出端口tpio实现测试复位trst，包括：

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，确定对所述目标芯片进行高电压应力测试的测试电压和测试时间，包括：

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，根据所述样片确定所述目标芯片的测试电压，包括：

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述起始电压包括一路起始电压、二路起始电压以及三路起始电压；所述失效电压包括一路失效电压、二路失效电压以及三路失效电压；

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述击穿电压包括一路击穿电压、二路击穿电压以及三路击穿电压；所述测试电压包括一路测试电压、二路测试电压以及三路测试电压；

8.一种芯片老化测试装置，其特征在于，所述装置，包括：

9.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括：

10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质存储有计算机指令，所述计算机指令用于使处理器执行时实现权利要求1-7中任一项所述的芯片老化测试方法。

技术总结
本申请公开了一种芯片老化测试方法、装置、电子设备及存储介质。该方法包括：通过通信协议转换控制器将待测试芯片内部用于芯片测试的标准五线通信转换为目标两线通信，得到目标芯片；选取用于高电压应力测试的测试模式，并确定对目标芯片进行高电压应力测试的测试电压和测试时间；在测试模式下，根据测试电压和测试时间对目标芯片进行测试，并将测试结果作为待测试芯片的老化测试结果。通过将待测试芯片内部的标准五线通信转换为目标两线通信得到的目标芯片，并获取目标芯片在高电压应力测试下得到的测试结果作为老化测试结果，可以在仅通过两个测试通道完成所有测试项的同时，降低芯片各项测试的测试时间，进而减低测试成本、提高测试效率。

技术研发人员：余超,张军,李丰军,廖巨华,丁星火,周俊
受保护的技术使用者：无锡英迪芯微电子科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2025/2/27