专利名称:Tft阵列基板d断线的判断方法
技术领域：
本发明涉及一种TFT阵列基板D断线的判断方法。
背景技术：
使用奥宝公司的AOI检查装置检查TFT(薄膜晶体管)阵列基板的D断线是目前液晶制造行业中普遍采用的技术。
在使用奥宝公司的AOI检查装置检查TFT阵列基板的D断线时，现有的VCS分类的类型有d_open、dust、metal、dust_s、s-d short等，其中的d_open从照片上看有好几种不同的特征，比如有些是半断，有些断线的断线宽度较窄(其中有些d_open明视野照片相似，但暗视野照片中断线处轮廓有些为暗显示有些为亮显示)，有些断线长度较长，有些是D线的局部变薄，有些是由于异物导致的断线，等等。这样如此多不同特征的d_open与其他非d_open的缺陷类型由于特征上相似而导致的误判。
现有技术把如此多特征的断线只用一种类型d_open分类，这样就很难提高d_open检出的准确率和抓取率。从而导致后期处理的难度。
发明内容本发明的目的是根据后期处理技术，通过建立新的分类标准，对断线情况进行细分，降低后期处理的难度，增加可操作性。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的一种判断TFT阵列基板D断线的方法，将d_open断线类型分为五个子类。
该五个子类是d_lack，指的是半断状态；d_open1，指的是由于异物导致断线的状态；d_open2，指的是断线长度较长的状态；d_open3，指的是D线中具有局部变薄区域的状态；d_open4，指的是D线中具有局部变薄区域的状态。
本发明的积极进步效果在于可以方便的改善现有VCS分类的对应处理方法，减少了不同特征的d_open与其他非d_open的缺陷类型由于特征上相似而导致的误判，提高了d_open检出的准确率和抓取率。
图1为本发明中五个子类的明、暗视野显微照片。
具体实施方式下面给出本发明较佳实施例，以详细说明本发明的技术方案。
在VCS分类时实际的D断和非D断因为照片的质量稍差和缺陷特征相似的原因，比如断线处较窄的D断和D线上有灰尘的缺陷就很容易混淆，导致再分类时对于D断检出的准确率和D断的抓取率较低，我们把d_open细分为d_lack、d_open1、d_open2、d_open3、d_open4。d_lack，指的是半断状态；d_open1，指的是由于异物导致断线的状态；d_open2，指的是断线长度较长的状态；d_open3，指的是D线中具有局部变薄区域的状态；d_open4，指的是D线中具有局部变薄区域的状态。这样可以把实际D断的特征整理归类。它们的明、暗视野的显微照片如图1所示。
权利要求
1.一种判断TFT阵列基板D断线的方法，其特征在于，将d_open断线类型分为五个子类。
2.根据权利要求
1所述的判断TFT阵列基板D断线的方法，其特征在于，该五个子类是d_lack，指的是半断状态；d_open1，指的是由于异物导致断线的状态；d_open2，指的是断线长度较长的状态；d_open3，指的是D线中具有局部变薄区域的状态；d_open4，指的是D线中具有局部变薄区域的状态。
专利摘要
本发明公开了一种提高TFT阵列基板生产过程中，提高漏线(D线)断线检查准确率和抓取率的方法，在现有VCS分类中，将其中的d_open断线类型，根据新的标准，再细分为d_lack、d_open1、d_open2、d_open3、d_open4五种特殊类型。由于给出了这五种具有不同特征的D断与其他非D断类型之间的差异，减少了不同特征的d_open与其他非d_open的缺陷类型由于特征上相似而导致的误判，可以方便的改善现有的对应处理方法，提高了d_open检出的准确率和抓取率。
文档编号G01M11/00GK1996440SQ200510112253
公开日2007年7月11日 申请日期2005年12月28日
发明者张俊峰 申请人:上海广电Nec液晶显示器有限公司导出引文BiBTeX, EndNote, RefMan