专利名称：应变式厚膜力传感器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及传感器技术。
国内已有各种力传感器，虽然生产厂家较多，品种也较齐全，但绝大多数产品的基本结构均为电阻应变式，即在金属弹性体上粘贴金属箔式应变计或半导体应变片，利用应变计(片)的电阻变化将传感器载荷后引起的弹性体形变转换为电信号。这种结构的传感器存在以下不足1.应变片(计)用胶粘贴，蠕变大，输出漂移大；2.工作温度范围小，尤其粘贴半导体应变片的力传感器，由于半导体材料对温度敏感，温度系数大，目前工作温度一般为-10℃～+60℃，难以再提高；3.弹性体加工复杂，成本高。
由于上述缺陷的存在，特别是成本偏高，从而大大限制了力传感器在国内的推广应用。
本实用新型的目的在于提供一种蠕变小，工作温度范围宽，结构简单，成本低，性能价格比高的应变式厚膜力传感器。
以下结合附图，对本实用新型说明之。
附
图1是本实用新型的结构图；附图2(a)是本实用新型陶瓷弹性体及应变电阻的示意图；附图2(b)是受力后，传感器变形状态的示意图。
图中R1、R2、R3、R4为厚膜应变电阻；1为陶瓷双孔梁弹性体；2为钯一银导带；F为力。
本实用新型的结构见附图1，是在长方体的陶瓷双孔梁弹性体(1)的上下两面都印烧有钯一银导带(2)，在钯一银导带(2)上分别印烧有厚膜应变电阻R1、R2、R3、R4。R1～R4连成惠斯顿全桥。
本实用新型的工作原理见附图2(a)、2(b)。图2(a)是本实用新型陶瓷弹性体及应变电阻示意图；图2(b)是受力后，本实用新型变形状态示意图。当力F作用在双孔梁上时，印烧有厚膜应变电阻R1～R4的弹性梁随即产生形变，R1～R4相应受应力，其中R1、R3受拉应力，阻值增大；R2、R4受压应力，阻值减小。因R1～R4连成全桥，这样通过电桥的输出，所测力F就被转换成与之大小成正比的电信号。
本实用新型的特点在于，采用高铝瓷做弹性体，并在陶瓷弹性主体上直接印烧厚膜应变电阻，因此具有以下优点1.应变电阻和弹性体牢固地烧成一体，无需用胶粘贴，因此蠕变小，漂移小，性能优良，动态特性好；2.工作温度范围宽达-40℃～120℃；3.耐腐蚀，能在恶劣环境下工作；4.弹性体性能优良，加工方便，成本低廉，适合大量生产；5.结构简单，性能价格比高。
本实用新型可用于工业，化工，国防系统中称重和力的测量，以及民用，商业电子称中作力，称重测量。此外还可作为小量程荷重传感器，用于工业过程控制和自动检测，总之，本实用新型有着广阔的应用前景。
权利要求1.一种由弹性体，应变电阻等组成的应变式厚膜力传感器，其特征在于，在长方体陶瓷双孔梁弹性体的上下两面，都印烧有钯一银导带，在上面的钯一银导带上印烧有厚膜应变电阻R1、R2，在下面的钯一银导带上印烧有厚膜应变电阻R3、R4。
专利摘要本实用新型涉及传感器技术，公开了一种主要由长方形陶瓷双孔梁弹性体(1)和上下两面都印烧有钯-银导带(2)，而钯-银导带(2)上分别印烧有厚膜应变电阻R
文档编号G01L1/20GK2247331SQ95240509
公开日1997年2月12日 申请日期1995年9月13日 优先权日1995年9月13日
发明者马以武, 常慧敏, 刘高生, 张绪萌, 储智 申请人:中国科学院合肥智能机械研究所