专利名称：热激发电荷效应传感器的制作方法
技术领域：
本实用新型属于热激发电荷效应传感器的设计。
日本竹内宽1980年在日本国内技术简报26卷第三期第413-423页公开了题为《高分子热释电红外探测器》技术。其探测器是由硅窗孔，弹簧，溥膜架，陶瓷环等组成的红外吸收系统，另外壳体内充填了干燥的氮气，并进行气密处理，内部结构复杂，工艺苛刻，不利于大规模工业化生产，本实用新型的目的是设计一种热激发电荷传感器，它主要是由聚偏二氟乙烯黑化膜与相当高阻抗的场效应管连接，配装聚乙烯绝缘环、反射板组成。
本实用新型利用聚偏二氟乙烯膜可以把温度变化转换成电荷变化的特性，通过场效应管的阻抗变换输出原理设计一种热激发电荷效应传感器。
本实用新型热激发电荷效应传感器实施方案结合附图描述如下附
图1为热激发电荷效应传感器示意图。
图中片形底座(7)的边缘向上带有档环，底座中间有内接线柱(11)、(12)、(13)带有三个极的场效应管(6)放在底座上，场效应管(6)的源极(8)与底座内接线柱(11)相接作输出，漏极(10)与内接线柱(13)相接作输入，栅极(9)向上弯至聚乙烯绝缘环(5)的顶部，圆筒形的聚乙烯绝缘环(5)套在场效应管(6)外与底座(7)的档环同径吻合，反射板(4)为圆片状，其直径与聚乙烯绝缘环相同与场效应管向上弯的栅极(9)相接，聚偏二氟乙烯黑化膜(3)外径同反射板，铺在反射板(4)上，圆片状金属环(2)外径与聚偏二氟乙烯黑化膜(3)同，铺在聚偏二氟乙烯黑化膜上，顶部带有一片状档环的圆筒形外壳(1)直径大于金属环直径，套至下端底座(7)边缘的档环外与之吻合。
本实用新型设计的热激发电荷效应传感器内部结构简单，工艺合理，价格低廉，易于加工及大规模工业化生产。
权利要求1.一种热激发电荷效应传感器，其特征在于底座(7)的边缘向上带有档环，底座中间有内接线柱(11)、(12)、(13)带有三个极的场效应管(6)放在底座上，场效应管(6)的源极(8)与底座内接线柱(11)相接作输出，漏极(10)与内接线柱(13)相接作输入，栅极(9)向上弯至聚乙烯绝缘环(5)的顶部，圆筒形的聚乙烯绝缘环(5)套在场效应管(6)外与底座(7)的档环同径吻合，反射板(4)为圆片状，其直径与聚乙烯绝缘环相同与场效应管向上弯的栅极(9)相接，聚偏二氟乙烯黑化膜(3)外径同反射板，铺在反射板(4)上，圆片状金属环(2)外径与聚偏二氟乙烯黑化膜(3)同，铺在聚偏二氟乙烯黑化膜上，顶部带有一片状档环的圆筒形外壳(1)直径大于金属环直径，套至下端底座(7)边缘的档环外与之吻合。
专利摘要本实用新型属于热激发电荷效应传感器设计。本实用新型利用聚偏二氟乙烯膜可以把温度变化转换成电荷变化的特性,通过场效应管的阻抗变换输出原理设计的一种热激发电荷效应传感器。它主要是由聚偏二氟乙烯黑化膜与相当高阻抗的场效应管连接,配装聚乙烯绝缘环、反射板组成。本实用新型设计的热激发电荷效应传感器内部结构简单,工艺合理,价格低廉,易于加工及大规模工业化生产。
文档编号G01K7/01GK2296000SQ9625017
公开日1998年10月28日 申请日期1996年12月25日 优先权日1996年12月25日
发明者刘雅言, 董向明, 何爱丽 申请人:中国科学院长春应用化学研究所