一种新型晶体性能检测电路的制作方法
【技术领域】
[0001]发明属于元件测试技术领域，涉及一种新型晶体性能检测电路，适用于测试晶体性能的情况。
【背景技术】
[0002]晶体在现代电子电路设计中是不可缺少的元器件之一，晶体由于其固有频率稳定，通常用作电路系统中的时钟产生器，给系统提供稳定可靠的时钟源。
[0003]而通常，电子元器件被焊接或者进行实验之前，需要检查其好坏。检测晶体元器件好坏的时候，通常使用专用的高频示波器检测，但是示波器价格昂贵，而且携带不方便，所以存在着成本高和检测效率低的问题。
[0004]本发明，目的在于设计一种新型的晶体检测电路，专用于晶体好坏的检测，检测速度快，设备成本低。
【发明内容】
[0005]本发明的目的在于设计一种新型晶体性能检测电路，用于检测晶体是否能正常工作。
[0006]本发明的技术方案是:一种新型晶体性能检测电路，由待测晶体、第一三极管、第二三极管、第一二极管、第二二极管、灯泡、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容组成；其中第一电容与第二电容串联然后与待测晶体并联；第一三极管的基极与待测晶体连接，其集电极与电源正极连接；第二三极管的发射极与电源地连接，其集电极与灯泡连接。
[0007]上述的一种新型晶体性能检测电路，其特征在于待测晶体、第一三极管与第一电容、第二电容、第一电阻、第二电阻构成非调谐式考毕兹振荡电路，其可以根据被测晶体的频率在很宽的范围内变化。
[0008]上述的一种新型晶体性能检测电路，其特征在于第一二极管、第二二极管与第四电容构成半波整流、高通滤波电路，用于将振荡电路产生的交流信号变为直流电压信号。
[0009]上述的一种新型晶体性能检测电路，其特征在于电压信号为第二三极管提供直流偏置电压，该信号决定第二三极管的导通状态，从而控制灯泡的发光状态。
[0010]本发明电路，由两只晶体管构成的晶体性能测试电路，可以检测晶体能否振荡。
[0011]本发明的工作原理是:若待测晶体正常，当闭合开关后，电路就会以晶体标定的频率振荡。在第二电阻的两端就可以获得数伏的电压信号，该信号经第一二极管、第二二极管和第三电容、第四电容倍压整流滤波，该峰一峰电压在第二三极管的基极产生正向直流偏压，驱动第二三极管使灯泡发光。
【附图说明】
[0012]下面结合设计图对本发明作进一步说明:
图1是本发明一种新型晶体性能检测电路； 图1中:x、待测晶体；VT1、第一三极管；VT2、第二三极管；VD1、第一二极管；VD2、第二二极管；D、灯泡；C1、第一电容；C2、第二电容；C3、第三电容；C4、第四电容；R1、第一电阻；R2、第二电阻；R3、第三电阻；SA1、开关。
【具体实施方式】
[0013]实施例1:
如图1所示是本发明一种新型晶体性能检测电路，包括:待测晶体X、第一三极管VT1、第二三极管VT2、第一二极管VD1、第二二极管VD2、灯泡D、第一电容Cl、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4组成；其中第一电容Cl与第二电容C2串联然后与待测晶体X并联；第一三极管VTl的基极与待测晶体X连接，其集电极与电源正极连接；第一三极管VTl的发射极与电源地连接，其集电极与灯泡D连接。
[0014]待测晶体X、第一三极管VTl与第一电容Cl、第二电容C2、第一电阻R1、第二电阻R2构成非调谐式考毕兹振荡电路，其可以根据被测晶体X的频率在很宽的范围内变化。
[0015]本发明可以检测晶体是否振荡，如果适当的选择第一三极管VTl与第一电容Cl、第二电容C2、第一电阻R1、第二电阻R2。则可以扩大测试晶体的频率范围，
实施例2:
如图1所示是本发明一种新型晶体新能检测电路，其第一二极管VD1、第二二极管VD2与第四电容C4构成半波整流、高通滤波电路，用于将振荡电路产生的交流信号变为直流电压信号。电压信号为第二三极管VT2提供直流偏置电压，该信号决定第二三极管VT2的导通状态，从而控制灯泡D的发光状态。
[0016]若待测晶体X正常，当闭合开关SAl后，电路就会以晶体标定的频率振荡。在第_.电阻R2的两端就可以获得数伏的电压信号，该信号经第一二极管VD1、第二二极管VD2和第三电容C3、第四电容C4倍压整流滤波，该峰一峰电压在第二三极管VT2的基极产生正向直流偏压，驱动第二三极管VT2使灯泡D发光。
[0017]若待测晶体X不能正常工作，即不能振荡是，则没有信号通过第三电容C3，结果也没有直流偏压加至第二三极管VT2的基极，这时灯泡D不亮，以显示待测晶体X是坏的。
[0018]以上实施例仅是对本发明的参考说明，并不构成对本
【发明内容】
的任何限制，显然在本发明的思想下，可做出不同形式的结构变更，但这些均在本发明的保护之列。
【主权项】
1.一种新型晶体性能检测电路，其特征在于:主要由待测晶体(X)、第一三极管(VT1)、第二三极管(VT2)、第一二极管(VD1)、第二二极管(VD2)、灯泡(D)、第一电容(Cl)、第二电容(C2)、第三电容(C3)、第四电容(C4)组成；其中第一电容(Cl)与第二电容(C2)串联然后与待测晶体(X)并联；第一三极管(VTl)的基极与待测晶体(X)连接，其集电极与电源正极连接；第二三极管(VT2)的发射极与电源地连接，其集电极与灯泡(D)连接。
2.根据权利要求1所述的一种新型晶体性能检测电路，其特征在于:所述待测晶体(X)、第一三极管(VTl)与第一电容(Cl)、第二电容(C2)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)构成非调谐式考毕兹振荡电路，其可以根据被测晶体(X)的频率在很宽的范围内变化。
3.根据权利要求1所述的一种新型晶体性能检测电路，其特征在于:所述第一二极管(VD1)、第二二极管(VD2)与第四电容(C4)构成半波整流、高通滤波电路，用于将振荡电路产生的交流信号变为直流电压信号。
【专利摘要】本发明一种新型晶体性能检测电路，由待测晶体（X）、第一三极管（VT1）、第二三极管（VT2）、第一二极管（VD1）、第二二极管（VD2）、灯泡（D）、第一电容（C1）、第二电容（C2）、第三电容（C3）、第四电容（C4）组成；其中第一电容（C1）与第二电容（C2）串联然后与待测晶体（X）并联；第一三极管（VT1）的基极与待测晶体（X）连接，其集电极与电源正极连接；第二三极管（VT2）的发射极与电源地连接，其集电极与灯泡（D）连接。该检测电路是由两只晶体管构成的晶体性能测试电路，可以检测晶体能否振荡。
【IPC分类】G01R31-00
【公开号】CN104655952
【申请号】CN201310600944
【发明人】巨杰
【申请人】西安思创达通讯科技有限责任公司
【公开日】2015年5月27日
【申请日】2013年11月25日