阱电阻的描述方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及半导体集成电路设计领域，特别是指一种阱电阻的描述方法。
【背景技术】
[0002] 模拟电路设计不仅要求电阻精度高，更需要有精确的电阻参数来正确描述电阻性 能。目前阱电阻的评价均采用常规电阻的评价方法，即两端电阻法，对于埋层的影响有所忽 略，其电阻参数抽取表征公式为：
[0003]R(V) =R0*(l+VCl*(nln2)+VC2*(nln2)2)
[0004] 但是在实际电路应用中，经常需要在埋层加高电位，且埋层加载的不同电位，对阱 电阻阻值的影响甚大。埋层电位对于常规阱电阻的电压参数的提取尤为重要，精准的电压 依存性系数为电路应用者提供一个更为精确的阱电阻。因此在阱电阻评价中引入埋层电压 依存性系数是关键所在。
【发明内容】
[0005] 本发明所要解决的技术问题是提供一种阱电阻的描述方法，能精确地计算阱电 阻。
[0006] 为解决上述问题，本发明所述的阱电阻采用如下的公式描述：
[0007]
【主权项】
1. 一种阱电阻的描述方法，其特征在于：采用如下的公式描述：
公式中v(nl, n2)表示nl、n2两节点之间的电压，V(n2, n3)表示n2、n3两节点之间的 电压，L是电阻长度，W是电阻宽度，dl指由于工艺误差带来的电阻长度的偏差，dw指由于 工艺误差带来的电阻宽度的偏差，RO指阱电阻方块阻值，VC1、VC2是常规阱电阻一阶、二阶 电压系数，VC3、VC4是埋层电压影响阱电阻抽取的一阶、二阶电压系数，VC5、VC6是由埋层 电压抬高对阱电阻长度影响的一阶、二阶电压系数，VC7、VC8是由埋层电压抬高对阱电阻宽 度影响的一阶、二阶电压系数；所述VCl~VC8为阱电阻系数。
2. 如权利要求1所述的阱电阻的描述方法，其特征在于：所述阱电阻系数抽取方法如 下： a) 当阱下埋层电位为0电位时，通过R (V)计算公式抽取阱电阻系数dl、dw、VCl、VC2、 RO ； b) 当阱下埋层电位抬高时，选择3~5种不同埋层电压时的阱电阻测试值，选择电阻长 度和宽度都大于IOym的阱电阻，通过R (V)计算公式，由于电阻宽度和长度很大，此时将 R (V)计算公式中的2dw和2dl的影响去除，抽取阱电阻系数VC3、VC4 ; c) 选择3~5种不同埋层电压时的阱电阻测试值，通过R (V)计算公式，选择一组长度 相同且大于10 μ m，而宽度不同的讲电阻，抽取讲电阻系数VC7、VC8 ; d) 选择3~5种不同埋层电压时的阱电阻测试值，通过R (V)计算公式，选择一组宽度 相同且大于10 μ m，而长度不同的讲电阻，抽取讲电阻系数VC5、VC6。
【专利摘要】本发明公开了一种阱电阻描述方法，在常规的阱电阻评价基础上，抬高阱电阻的埋层电位，使阱电阻阻值发生变化，将埋层电位对阱电阻的影响因素列入阱电阻的评价过程中，能更精确地描述阱电阻阻值。
【IPC分类】G01R31-26
【公开号】CN104749511
【申请号】CN201310752999
【发明人】武洁, 徐萍
【申请人】上海华虹宏力半导体制造有限公司
【公开日】2015年7月1日
【申请日】2013年12月31日