专利名称：一种宽输入电压高电源抑制比基准电压源的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种基准电压源，具体是指一种宽输入电压高电源抑制比基准电压 源。
背景技术：
无论是在数字电路、模拟电路抑或是数模混合电路中，高性能的基准电压源都是 不可或缺的，它对整个系统的性能起着决定性的作用。通常情况下基准电压决定了比较器 的翻转电平、振荡器的振荡频率、功率管中流过的电流值等重要的系统指标。正是基于以上 情况，对于基准电压源电路的要求不断提高，出现了很多电路结构。如
图1所示，是一种传 统的基准电压源的设计方法。这个电路包括了具有正负输入端及输出端口的运算放大器， 电阻R1、R2、R3及两个晶体管Q1、Q2。其中电阻R1=R2=R，晶体管Ql的发射极面积为Q2的 发射极面积的N倍。在电路的实际工作过程中，由于运算放大器的开环增益很大，所以两个 输入端的差模电压很小，可以认为近似相等，这样就有V(+)=V(-)，V(+)，V(-)分别为运算 放大器的正相输入端电压和反相输入端电压，即vbei+Ici*R3=VBE2式中Vbei，Vbe2分别为Ql，Q2的基极-发射极电压，Ici为Ql的集电极电流，由于集电极电流
权利要求
1.一种宽输入电压高电源抑制比基准电压源，其特征在于包括依次连接的自偏置电 路(1)、第一级预调整电路(2)、第二级预调整电路(3)，所述第二级预调整电路(3)分别与 带隙基准核心电路(4)和信号反馈电路(5)连接，所述带隙基准核心电路(4)与信号反馈电 路(5)连接。
2.根据权利要求1所述的一种宽输入电压高电源抑制比基准电压源，其特征在于所 述的自偏置电路(1)包括MOS管MP1、电阻Rl、三极管Ql、三极管Q2，其中MOS管MP1的源 极与外部电源VIN连接，MPl的漏极和栅极连接后通过电阻Rl同时与三极管Ql的集电极 和基极连接，三极管Ql的发射极同时与三极管Q2的集电极和基极连接，Q2的发射极接地， MPl的栅极作为自偏置电路(1)的输出与第一级预调整电路(2)连接，三极管Ql的集电极 与电阻Rl连接后与第二级预调整电路(3)连接。
3.根据权利要求1所述的一种宽输入电压高电源抑制比基准电压源，其特征在于所 述的第一级预调整电路(2)包括MOS管MP2、丽1、二极管ZDl、电容Cl，所述MP2的源极与 外部电源VIN连接，MP2的栅极与自偏置电路(1)连接，MP2的漏极分别与丽1的栅极、二 极管ZDl的阴极连接，MNl的漏极与外部电源VIN连接，MNl的源极作为第一级预调整电路 (2)的输出端VDDl与第二级预调整电路(3)连接，二极管ZDl的阳极接地，且在二极管ZDl 的两端并联有电容Cl。
4.根据权利要求3所述的一种宽输入电压高电源抑制比基准电压源，其特征在于所 述的二极管ZDl为齐纳二极管。
5.根据权利要求1所述的一种宽输入电压高电源抑制比基准电压源，其特征在于所 述第二级预调整电路(3)包括三个MOS管MP3、MP4、MP5，两个三极管Q3、Q4，一个电阻R2， 所述的MP3的源极与第一级预调整电路(2)的输出端VDDl连接，MP3的栅极与自偏置电路 (1)连接，MP3的漏极分别与Q4的集电极、电阻R2的一端连接，电阻R2的另一端分别与三 极管Q3的集电极、Q3的基极、Q4的基极连接，Q3的基极与Q4的基极连接，Q3的发射极与 MP4的源极连接，Q4的发射极与MP5的源极连接，并作为第二级预调整电路(3)的输出端 VREF分别与带隙基准核心电路(4)、信号反馈电路(5)连接，MP4的栅极与MP5的栅极连接 后与信号反馈电路(5)连接，MP4的漏极与MP5的漏极同时接地。
6.根据权利要求1所述的一种宽输入电压高电源抑制比基准电压源，其特征在于所 述的带隙基准核心电路(4)包括三个电阻R3、R4、R5，两个三极管Q6、Q7，所述的电阻R3和 R4的一端连接后与第二级预调整电路(3)的输出端VREF连接，R3的另一端分别与信号反 馈电路(5)、三极管Q6的集电极连接，Q6的基极和Q7的基极相连后与信号反馈电路(5)连 接，Q6的发射极通过电阻R5接地，电阻R4的另一端接到三极管Q7的集电极和基极，Q7的 发射极接地。
7.根据权利要求1所述的一种宽输入电压高电源抑制比基准电压源，其特征在于所 述的信号反馈电路(5 )包括两个MOS管MP6、MP7，两个三极管Q5、Q8，一个电容C2，其中，MP6 的源极和MP7的源极分别与第二级预调整电路(3)的输出端VREF连接，MP6的栅极、MP7的 栅极和MP7的漏极连接，MP6的漏极与三极管Q5的集电极连接，Q5的基极与带隙基准核心 电路(4)连接，且通过电容C2与第二级预调整电路(3)的输出端VREF连接，Q5的发射极接 地，MP7的栅极和MP7的漏极连接后与三极管Q8的集电极连接，Q8的基极与带隙基准核心 电路(4)连接，Q8的发射极接地。
全文摘要
本发明公布了一种宽输入电压高电源抑制比基准电压源，包括依次连接的自偏置电路(1)、第一级预调整电路(2)、第二级预调整电路(3)、带隙基准核心电路(4)、信号反馈电路(5)。本发明采用了自偏置电流镜结构的自偏置电路，电路就可以自启动，而不再需要额外的启动电路；将第二级预调整电路的输出直接作为基准电压输出并同时给带隙基准核心电路供电，这样的连接方式可以提高基准电压的带载能力；采用了无运放反馈环路调节，与传统基准电压源电路相比，减少了一个进行钳位的运放，节省了面积，减小了静态功耗；输出基准电压的电源抑制比比传统的带隙基准电压源电路有很大提高，特别是在高频下的特性。
文档编号G05F1/56GK102053645SQ20111003308
公开日2011年5月11日 申请日期2011年1月31日 优先权日2011年1月31日
发明者刘中伟, 林秀龙 申请人:成都瑞芯电子有限公司