专利名称：一种高电源抑制比的线性电源电路的制作方法
技术领域：
本发明主要涉及线性电源电路的设计领域，特指一种高电源抑制比的线性电源电路。
背景技术：
对于模拟集成电路而言，其性能的好坏取决于很多因素，其中电源的好坏也是影响模拟集成电路性能的一个关键因素，特别是一些高精度模拟电路，如高精度模数转换器(ADC)、高精度数模转换器(DAC)、仪表放大器等，这类电路通常都需要一个高质量的电源供电，通常都是采用线性电源(LDO)，LDO的主要功能一是进行电压转换，二是滤除电源上的噪声。电源抑制比是衡量模拟电路的一个关键指标，当然也是衡量LDO的一个关键指标，它表征的是LDO输出抗电源干扰的能力，电源抑制比越高，其输出越稳定，模拟电路的性能越有保证，设计一个具有高电源抑制比的线性稳压器一直是一个难点。
发明内容
本发明要解决的问题就在于:针对现有技术存在的问题，提出一种高电源抑制比的线性电源电路。
本发明提出的解决方案为:本电路用过采用两个偏置电路，即偏置电路a，偏置电路b，上电时用偏置电路b给误差放大器提供基准电压和基准电流，偏置电路b的电源是系统电源VBAT，当电源稳定后，用线性电源的输出Vura给偏置电路a供电，此时偏置电路b已停止工作，由偏置电路a给误差放大器提供基准电压和基准电流，由于Vura的稳定性远大于电源Vbat，所以偏置电路a产生的基准电压和基准电流的稳定性远高于偏置电路b产生的基准电压和基准电流的稳定性，从而实现了一种高电源抑制比的线性电源电路。
图1是本发明的电路原理示意具体实施例方式以下将结合附图和具体实施对本发明做进一步详细说明。
如图1所示，偏置电路a和偏置电路b电路结构完全相同，只是供电电源有所区别，偏置电路a的供电电源是线性电源的输出Vura，偏置电路b的电源是系统电源Vbat，当电路上电时，Vura电压还没有建立好，此时误差放大器EA的偏置电压VMf、偏置电流IMf由偏置电路b提供，偏置电路a不工作。当Vbat逐渐上升，Vldo也会逐渐增大，当增大到一定值，偏置电路a也开始工作，此时EA的偏置电压VMf、偏置电流IMf由偏置电路a、b同时提供，此时NMOS管Ma5、Mb5的漏电流都通过电阻Rp和Rtl,由于Vura逐渐增大，所以Ma5的漏电流也逐渐增大，NMOS管Ma9、Mb9的栅极电压逐渐增大，由于NMOS管Ma9的W/L远小于Mb9的W/L，根据NMOS管饱和区漏电流表达式
权利要求
1.一种高电源抑制比的线性电源电路，其特征在于: 由偏置电路a、偏置电路b、电阻RP、电阻Rc^电阻Rp电阻R2、电容Cc、误差放大器EA以及功率管Mp组成；偏置电路a包括PMOS管Mal、PM0S管Ma2、PM0S管Ma3、PM0S管Ma4、NM0S管Ma5、NM0S管Ma6、NM0S管Ma7、NM0S管Ma8、NM0S管Ma9、电阻Ral、电阻Ra2，偏置电路a的电源为线性电源的输出V.，PMOS管Mal、Ma2, Ma3> Ma4以及电阻Ral的一端连接到V.，电阻Ral的另一端连接到NMOS管Ma7的栅极和NMOS管Ma8的漏极，电阻Ra2的一端接到NMOS管Ma7的源极和NMOS管Ma8的栅极，另一端接到地，NMOS管Ma8、Ma9的源极接地，PMOS管Ma4的栅漏短接并与PMOS管Ma3的栅极连接形成电流镜结构，并连接到NMOS管Ma7的漏极，NMOS管Ma6的栅漏短接并与NMOS管Ma5的栅极连接形成电流镜结构，并连接到PMOS管Ma3的漏极，NMOS管Ma5的源极连接到电阻Rp的一端，电阻Rp的另一端连接到电阻Rtl的一端和NMOS管Ma9的栅极，R0的另一端接到，PMOS管Ma2的栅漏短接并与PMOS管Mal的栅极连接形成电流镜结构，并连接到NMOS管Ma5的漏极，PMOS管Mal的漏极连接到Iref ;偏置电路b由PMOS管Mbl、PMOS管Mb2、PMOS 管 Mb3、PMOS 管 Mb4、NMOS 管 Mb5、NMOS 管 Mb6、NMOS 管 Mb7、NMOS 管 Mb8、NMOS 管 Mb9、电阻Rbl、电阻Rb2组成，其供电电源为系统电源VBAT，偏置电路b的电路结构和连接关系与偏置电路a完全一致；误差放大器EA的正输入端连接反馈电压VF，即电阻R1和电阻R2的一端，负输入端连接到VMf，其参考电流输入为IMf，EA的输出连接到PMOS功率管Mp的栅极，Mp的源极连接到电源VBAT，漏极连接到电阻R1和电容Cc的一端，电阻R2和电容Cc另一端接地，Mp的漏极Vuw即线性 电源的输出。
全文摘要
本发明公开了一种高电源抑制比的线性电源电路。本电路用过采用两个偏置电路，即偏置电路a，偏置电路b，上电时用偏置电路b给误差放大器提供基准电压和基准电流，偏置电路b的电源是系统电源VBAT，当电源稳定后，用线性电源的输出VLDO给偏置电路a供电，此时偏置电路b已停止工作，由偏置电路a给误差放大器提供基准电压和基准电流，由于VLDO的稳定性远大于电源VBAT，所以偏置电路a产生的基准电压和基准电流的稳定性远高于偏置电路b产生的基准电压和基准电流的稳定性，从而实现了一种高电源抑制比的线性电源电路。
文档编号G05F1/56GK103149963SQ201210459930
公开日2013年6月12日 申请日期2012年11月15日 优先权日2012年11月15日
发明者蒋仁杰 申请人:长沙景嘉微电子股份有限公司