专利名称：一种电流源启动电路的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及集成电路设计领域，具体涉及一种电流源。
背景技术：
在集成电路的设计中，电流源电路的启动问题如果没有处理好，会影响整个系统的稳定以及其正常工作，如图1所示的由MOS管Ml、M2、M3、M4和电阻Rl组成的典型的电流源电路，需要由MOS管M5以及其他器件组成的启动电路来启动，所述启动电路在电流源工作时仍需要消耗电能，增加了低功耗产品的功耗，也增加了器件成本。
发明内容本实用新型要解决的问题是提供一种电流源启动电路，可以解决现有技术的电流源启动电路增加产品功耗和器件成本的问题。本实用新型通过以下技术方案实现:一种电流源启动电路，包括芯片的电流源主体部分，所述电流源主体部分由启动电路提供启动电压，所述启动电路包括PMOS管，所述PMOS管的源极接电源VDD，漏极与电流源主体部分相连,栅极通过延时电路接收启动信号。本实用新型的进一步方案是，启动信号为启动系统的使能信号或者复位电路发出复位信号。本实用新型的进一步方案是，PMOS管为增强型PMOS管。本实用新型的进一步方案是，电流源主体部分包括个MOS管和个电阻，其中，第一 MOS管为增强型PMOS管，源极接电源VDD，漏极与栅极相连；第二 MOS管为增强型PMOS管，源极连接至电源VDD，并分别与第一 MOS管和启动电路的PMOS管的源极相连，所述第二 MOS管栅极与第一 MOS管的栅极相连； 第三MOS管为增强型NMOS管，源极接地，漏极与栅极相连，并分别与第二 MOS管的漏极以及启动电路的PMOS管的漏极相连；第四MOS管为增强型NMOS管，源极经电阻与第三MOS管的源极相连并接地，栅极与第三MOS关的栅极相连，漏极与第一 MOS管的漏极相连。本实用新型与现有技术相比的优点在于:直接利用芯片的使能信号或复位信号来实现电流源的启动，降低功耗，同时也降低芯片的器件成本。
图1为现有技术的电流源及启动电路的电路结构图。图2为本实用新型所述的电流源启动电路的电路结构图。
具体实施方式
[0017]如图2所示的一种电流源启动电路，包括芯片的电流源主体部分1，所述电流源主体部分I由启动电路2提供启动电压，所述启动电路2包括PMOS管21，所述PMOS管21的源极接电源VDD，漏极与电流源主体部分I相连，栅极通过延时电路22接收启动信号23。如图2所示，启动信号23为启动系统的使能信号或者复位电路发出复位信号。如图2所示，PMOS管21为增强型PMOS管。如图2所示，电流源主体部分I包括4个MOS管和I个电阻，其中，第一 MOS管11为增强型PMOS管，源极接电源VDD，漏极与栅极相连；第二 MOS管12为增强型PMOS管，源极连接至电源VDD，并分别与第一 MOS管11和启动电路2的PMOS管21的源极相连，所述第二 MOS管12栅极与第一 MOS管11的栅极相连；第三MOS管13为增强型NMOS管，源极接地，漏极与栅极相连，并分别与第二 MOS管12的漏极以及启动电路2的PMOS管21的漏极相连；第四MOS管14为增强型NMOS管，源极经电阻15与第三MOS管13的源极相连并接地，栅极与第三MOS关13的栅极相连，漏极与第一 MOS管11的漏极相连。芯片通电时，复位信号输出一个电压，经延时电路使PMOS管21导通，继而第三MOS管13和第四MOS管14导通，第一 MOS管11和第四MOS管14的回路导通，产生电流，电流源启动成功；当达到延时电路的预定时间时，PMOS管21切断，启动电路2停止工作，电流源电路一直导通，不受启动电路2影响，达到了启动的要求。
权利要求1.一种电流源启动电路，包括芯片的电流源主体部分(I)，所述电流源主体部分(I)由启动电路(2 )提供启动电压，其特征在于:所述启动电路(2 )包括PMOS管(21)，所述PMOS管(21)的源极接电源VDD，漏极与电流源主体部分(I)相连，栅极通过延时电路(22)接收启动信号(23)。
2.如权利要求1所述的电流源启动电路，其特征在于:所述启动信号(23)为启动系统的使能信号或者复位电路发出复位信号。
3.如权利要求1所述的电流源启动电路，其特征在于:所述PMOS管(21)为增强型PMOS 管。
4.如权利要求1所述的电流源启动电路，其特征在于:所述电流源主体部分(I)包括4个MOS管和I个电阻， 其中，第一 MOS管(11)为增强型PMOS管，源极接电源VDD，漏极与栅极相连； 第二 MOS管(12 )为增强型PMOS管，源极连接至电源VDD，并分别与第一 MOS管(11)和启动电路(2 )的PMOS管(21)的源极相连，所述第二 MOS管(12 )栅极与第一 MOS管(11)的栅极相连； 第三MOS管(13)为增强型NMOS管，源极接地，漏极与栅极相连，并分别与第二 MOS管(12)的漏极以及启动电路(2)的PMOS管(21)的漏极相连； 第四MOS管(14)为增强型NMOS管，源极经电阻(15)与第三MOS管(13)的源极相连并接地，栅极与第三MOS关(13)的栅极相连，漏极与第一 MOS管(11)的漏极相连。
专利摘要本实用新型公开了一种电流源启动电路，涉及集成电路设计领域，包括芯片的电流源主体部分，所述电流源主体部分由启动电路提供启动电压，所述启动电路包括PMOS管，所述PMOS管的源极接电源VDD，漏极与电流源主体部分相连，栅极通过延时电路接收启动信号。本实用新型直接利用芯片的使能信号或复位信号来实现电流源的启动，降低功耗，同时也降低芯片的器件成本。
文档编号G05F1/56GK202939530SQ20122062073
公开日2013年5月15日 申请日期2012年11月22日 优先权日2012年11月22日
发明者谢卫国 申请人:江苏格立特电子有限公司