一种用于高压功率mosfet电路中的高压大电流控制电路的制作方法
【专利摘要】一种用于高压功率MOSFET中的高压大电流控制电路，包括PMOS管MP1、MP2和MP3，三极管Q1和Q2，MOSFET管M1和M2，电阻R1和R2。MP1、MP2和MP3共栅极，源极与VDD连接，MP2和MP3的漏极分别与Q1和Q2的集电极连接。Q1和Q2的基极互连，Q1和Q2的发射极分别与R1和R2连接。M1和M2共栅极，共漏极，M1的源极与R1连接。M2的源极、R1和R2接地。Q1与Q2互相匹配，R1与R2是按照比例关系的匹配电阻。M1和M2的宽长比为一定比例。本发明不考虑晶体管沟道长度调制效应，由R1引入负反馈，将大电流转化为电流比较信号，实现了在高电压大电流模式下对电流的精确控制。
【专利说明】—种用于高压功率MOSFET电路中的高压大电流控制电路
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种用于高压功率MOSFET的电流控制电路，尤其涉及一种精确设置普通M0S管电流基准转化为高压功率MOSFET电路的高压大电流控制电路。
【背景技术】
[0002]图1是已知的电流源镜像电路，镜像参考电流IMf由低温度系数模块的电流基准源，即BIAS产生，MP1与MP2为普通PM0S管，丽1和丽2为普通NM0S管。流过NM0S管丽1的漏极电流ID1和流过NM0S管丽2的漏极电流ID2分别为:
[0003]
【权利要求】
1.一种用于高压功率MOSFET中的大电流控制电路，其特征在于，包括MOSFET管(Ml)、MOSFET 管(M2)、PMOS 管(MPl)、PMOS 管(MP2)、PMOS 管(MP3)、电阻(Rl)、电阻(R2)、三极管(Ql)和三极管(Q2);所述PMOS管(MPl)的源极、所述PMOS管(MP2)的源极和所述PMOS管(MP3)的源极与电源VDD连接；所述PMOS管(MP3)的栅极、所述PMOS管(MP2)的栅极、所述PMOS管(MPl)的栅极和所述PMOS管(MPl)的漏极的电流为基准电流I,ef ;所述PMOS管(MP2)的漏极与所述三极管(Ql)的集电极连接；所述PMOS管(MP3)的漏极分别与所述三极管(Q2)的集电极、所述MOSFET管(Ml)的栅极和所述MOSFET管(M2)的栅极连接； 所述三极管(Ql)的基极分别与自身的集电极和所述三极管(Q2)的基极连接；所述三极管(Ql)的发射极接入所述MOSFET管(Ml)和所述电阻(Rl)之间；所述三极管(Q2)集电极与所述PMOS管(MP3)的漏极、所述MOSFET管(Ml)的栅极和所述MOSFET管(M2)的栅极连接；所述三极管(Q2)的发射极与所述电阻(R2)连接，所述电阻(R2)的另一端直接接地； 所述MOSFET管(Ml)的源极分别与所述三极管(Ql)的发射极和所述电阻(Rl)连接，所述电阻(Rl)的另一端直接接地；所述MOSFET管(Ml)的漏极与所述MOSFET管(M2)的漏极相连；所述MOSFET管(M2)的源极直接接地； 所述PMOS管(MPl )、所述PMOS管(MP2)和所述PMOS管(MP3)均采用长沟道的PMOS管。
2.如权利要求1所述的一种用于高压功率MOSFET中的大电流控制电路，其中，所述MOSFET管(Ml)和所述MOSFET管(M2)的衬底与源极接相同电位。
3.如权利要求1所述的一种用于高压功率MOSFET中的大电流控制电路，其中，所述三极管(Ql)和所述三极管(Q2)的面积相同且完全匹配。
4.如权利要求3所述的一种用于高压功率MOSFET中的大电流控制电路，其中，所述电阻(R2)和所述电阻(Rl)的大小比例为N:1。
5.如权利要求4所述的一种用于高压功率MOSFET中的大电流控制电路，其中，所述MOSFET管(Ml)的宽长比和所述MOSFET管(M2)的宽长比的比例为1:M。
6.如权利要求5所述的一种用于高压功率MOSFET中的大电流控制电路，其中，所述MOSFET 管(M2)的电流为 1ut=(N-1) X (M+l) X IKEF。
【文档编号】G05F1/56GK103645765SQ201310719131
【公开日】2014年3月19日 申请日期:2013年12月20日 优先权日:2013年12月20日
【发明者】朱铁柱, 王良坤, 张明星, 夏存宝, 陈路鹏, 黄武康, 殷明 申请人:嘉兴中润微电子有限公司