激光检测用恒流源的制作方法

文档序号:6313941阅读:545来源:国知局
激光检测用恒流源的制作方法
【专利摘要】激光检测用恒流源。半导体激光器是一种新型固体光源,具有单色性好、体积小、重量轻、使用方便等优点,广泛应用于激光检测系统,半导体激光器的工作稳定性主要依靠驱动电源的稳定,目前一般电流源的稳定性很难达到激光检测的要求。本实用新型的组成包括:机箱(1),所述的机箱内安装有降压电路(2)、整流电路(3)、调整管(4)、基准电路(5)、采样电路(6)和放大电路(7),所述的降压电路与整流电路连接,所述的整流电路分别与所述的调整管、所述的基准电路连接,所述的基准电路、所述的采样电路分别与所述的放大电路连接,所述的放大电路与所述的调整管连接。本实用新型用于激光检测系统驱动激光器稳定工作。
【专利说明】激光检测用恒流源
[0001]【技术领域】:
[0002]本实用新型涉及一种激光检测用恒流源。
[0003]【背景技术】:
[0004]随着科学技术的发展,激光技术的应用领域不断扩大,对激光光源的要求越来越高。半导体激光器是一种新型固体光源,具有单色性好、体积小、重量轻、价格低廉、使用方便等优点,广泛应用于激光检测系统,半导体激光器的工作稳定性主要依靠驱动电源的稳定,目前一般电流源的稳定性很难达到激光检测的要求。
[0005]
【发明内容】
:
[0006]本实用新型的目的是提供一种激光检测用恒流源,可输出0_50mA连续可调的恒定电流,驱动激光器并使其保持稳定工作,进而提高激光检测系统的稳定性和准确度。
[0007]上述的目的通过以下的技术方案实现:
[0008]一种激光检测用恒流源,其组成包括:机箱,所述的机箱内安装有降压电路、整流电路、调整管、基准电路、采样电路和放大电路,所述的降压电路与所述的整流电路连接,所述的整流电路分别与所述的调整管、所述的基准电路连接,所述的基准电路、所述的采样电路分别与所述的放大电路连接,所述的放大电路与所述的调整管连接。
[0009]所述的激光检测用恒流源,所述的调整管是由N沟道结型场效应管Tl与NPN型晶体三极管T2构成的复合功率管T,所述的N沟道结型场效应管Tl的栅极为复合管T的栅极,所述的NPN型晶体三极管T2的发射极为复合管T的漏极,所述的N沟道结型场效应管Tl的源极与所述的NPN型晶体三极管T2的集电极连接为复合管T的源极,所述的N沟道结型场效应管Tl的漏极与所述的NPN型晶体三极管T2的基极连接。
[0010]所述的激光检测用恒流源,所述的放大电路包括运算放大器U1。
[0011]所述的激光检测用恒流源,所述的基准电路包括基准源D1、限流电阻Rl和分压电位器W1,所述的基准源Dl采用具有温控功能的基准源LM199。
[0012]所述的激光检测用恒流源,所述的采样电路包括采样电阻RN,所述的采样电阻使用精密绕线电阻,所述的精密绕线电阻与输出回路串联。
[0013]有益效果:
[0014]1.本实用新型能够输出恒定电流,为激光检测系统的光源提供驱动,具有预热速度快,长期稳定性好,输出可连续调整等特点,能确保激光检测系统的激光器稳定工作。
[0015]2.本实用新型的调整管由结型场效应管与晶体三极管复合而成,复合后的三端元件可以等效为电压控制元件,输入阻抗高,输出功率大,有利于提高恒流输出的稳定性。
[0016]3.本实用新型的基准电路采用具有温控功能的基准源LM199,可有效降低环境温度变化对其影响。
[0017]4.本实用新型的通过电位器Wl来改变输出电流,在0-50mA范围内连续可调,为不同型号半导体激光器提供驱动。
[0018]5.本实用新型的电路简洁,温度系数小,抗干扰能力强,长期稳定性好,也适用于其他需要恒定电流输出的场合。[0019]【专利附图】

【附图说明】:
[0020]附图1是本实用新型的一种机箱结构示意图。
[0021]附图2是本实用新型的电路结构图。
[0022]附图3是本实用新型的电路原理图。
[0023]附图4是本实用新型的调整管的复合连接图。
[0024]附图5是附图4的等效电路图。
[0025]图中:8是恒流源的负载RL。
[0026]【具体实施方式】:
[0027]实施例1:
[0028]一种激光检测用恒流源,其组成包括:机箱1,所述的机箱内安装有降压电路2、整流电路3、调整管4、基准电路5、采样电路6和放大电路7,所述的降压电路所述的与整流电路连接,所述的整流电路分别与所述的调整管、所述的基准电路连接,所述的基准电路、所述的采样电路分别与所述的放大电路连接,所述的放大电路与所述的调整管连接。
[0029]实施例2:
[0030]根据实施例1所述的激光检测用恒流源,所述的调整管是由N沟道结型场效应管Tl与NPN型晶体三极管T2构成的复合功率管T,所述的N沟道结型场效应管Tl的栅极为复合管T的栅极,所述的NPN型晶体三极管T2的发射极为复合管T的漏极,所述的N沟道结型场效应管Tl的源极与所述的NPN型晶体三极管T2的集电极连接为复合管T的源极,所述的N沟道结型场效应管Tl的漏极与所述的NPN型晶体三极管T2的基极连接。
[0031]实施例3:
[0032]根据实施例1或2所述的激光检测用恒流源,所述的放大电路包括运算放大器U1。
[0033]实施例4:
[0034]根据实施例1或2所述的激光检测用恒流源,所述的基准电路包括基准源D1、限流电阻Rl和分压电位器Wl,所述的基准源Dl采用具有温控功能的基准源LM199。
[0035]实施例5:
[0036]根据实施例1或2所述的激光检测用恒流源,所述的采样电路包括采样电阻RN,所述的采样电阻使用精密绕线电阻,所述的精密绕线电阻与输出回路串联,对输出电流进行采样。
【权利要求】
1.一种激光检测用恒流源,其组成包括:机箱,其特征是:所述的机箱内安装有降压电路、整流电路、调整管、基准电路、采样电路和放大电路,所述的降压电路与所述的整流电路连接,所述的整流电路分别与所述的调整管、所述的基准电路连接,所述的基准电路、所述的采样电路分别与所述的放大电路连接,所述的放大电路与所述的调整管连接。
2.根据权利要求1所述的激光检测用恒流源,其特征是:所述的调整管是由N沟道结型场效应管Tl与NPN型晶体三极管T2构成的复合功率管T,所述的N沟道结型场效应管Tl的栅极为复合管T的栅极,所述的NPN型晶体三极管T2的发射极为复合管T的漏极,所述的N沟道结型场效应管Tl的源极与所述的NPN型晶体三极管T2的集电极连接为复合管T的源极,所述的N沟道结型场效应管Tl的漏极与所述的NPN型晶体三极管T2的基极连接。
3.根据权利要求1或2所述的激光检测用恒流源,其特征是:所述的放大电路包括运算放大器Ul。
4.根据权利要求1或2所述的激光检测用恒流源,其特征是:所述的基准电路包括基准源D1、限流电阻Rl和分压电位器W1,所述的基准源Dl采用具有温控功能的基准源LM199。
5.根据权利要求1或2所述的激光检测用恒流源,其特征是:所述的采样电路包括采样电阻RN,所述的采样电阻使用精密绕线电阻,所述的精密绕线电阻与输出回路串联。
【文档编号】G05F1/56GK203706008SQ201420080791
【公开日】2014年7月9日 申请日期:2014年2月26日 优先权日:2014年2月26日
【发明者】牛滨, 王伟煜, 苑加和, 白竹 申请人:哈尔滨理工大学
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