一种用于基准电压源的补偿电路的制作方法

本发明属于电源电路设计领域，具体涉及一种用于基准电压源的补偿电路。

背景技术：

基准电压源是当代模拟集成电路极为重要的组成部分，它为串联型稳压电路、a/d和d/a转化器提供基准电压，也是大多数传感器的稳压供电电源或激励源。另外，基准电压源也可作为标准电池、仪器表头的刻度标准和精密电流源。

传统的带隙基准电压源，当温度变化时，基准电压温漂大，不能达到高精度的目的.虽然通过增加三极管发射极面积减小运放的输入失调电压，但是该结构精度低温漂大，并且会产生一定的电磁干扰噪声。

技术实现要素：

为了解决现有技术中存在的上述问题，本发明提供了一种用于基准电压源的补偿电路。本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现：

本发明实施例提供了一种用于基准电压源的补偿电路，包括第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、第四场效应管、第五场效应管、第六场效应管、第七场效应管、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第一电容、第二电容、第三电容；

所述第一场效应管源极、第二场效应管源极、第三场效应管源极、第四场效应管源极、第五场效应管源极均连接电压源；所述第一场效应管漏极连接所述第一电阻一端，所述第一电阻r1另一端接地，所述第一场效应管栅极连接所述第二场效应管栅极、所述第二场效应管漏极、所述第一三极管集电极；所述第三场效应管漏级连接所述第六场效应管漏级、所述第三场效应管栅极、所述第四场效应管栅极、第五场效应管栅极；所述第四场效应管漏级连接所述第二三极管集电极；所述第五场效应管漏级连接所述第一三极管基极、所述第三三极管集电极；所述第六场效应管源级依次串联所述第三电阻、所述第一电容，所述第一电容另一端接地，所述第六场效应管栅极通过第二电阻连接所述第一电阻；所述第七场效应管漏级连接所述第一三极管发射极、所述第二三极管发射极，所述第七场效应管源极依次串联所述第四电阻、所述第二电容，所述第二电容另一端接地，所述第七场效应管连接所述第二三极管基极、所述第三三极管基极、所述第五电阻一端，所述第五电阻另一端连接所述第四场效应管漏级；所述第三三极管发射极依次串联所述第六电阻、所述第三电容，所述第三电容另一端接地。

进一步地，所述第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、第四场效应管、第五场效应管均为p型mos管；所述第六场效应管、第七场效应管均为n型mos管。

进一步地，所述第一电阻、第三电阻、第四电阻、第六电阻的阻值相同。

与现有技术相比，本发明的有益效果：

本发明的用于基准电压源的补偿电路通过调整场效应管m1-m5的电流镜的比例，实现对流入电流的补偿，并在补偿过程中不会使电路的温度较高，温漂较小，且降低功耗，此外通过电阻器、电容器的设置，能够更好的滤除杂波干扰，进一步优化补偿性能。

附图说明

图1为本发明实施例提供的一种用于基准电压源的补偿电路图。

具体实施方式

下面结合具体实施例对本发明做进一步详细的描述，但本发明的实施方式不限于此。

实施例一

图1为本发明实施例提供的一种用于基准电压源的补偿电路图，包括第一场效应管m1、第二场效应管m2、第三场效应管m3、第四场效应管m4、第五场效应管m5、第六场效应管m6、第七场效应管m7、第一三极管q1、第二三极管q2、第三三极管q3、第一电阻r1、第二电阻r2、第三电阻r3、第四电阻r4、第五电阻r5、第六电阻r6、第一电容c1、第二电容c2、第三电容c3；

所述第一场效应管m1源极、第二场效应管m2源极、第三场效应管m3源极、第四场效应管m4源极、第五场效应管m5源极均连接电压源vcc；所述第一场效应管m1漏极连接所述第一电阻r1一端，所述第一电阻r1另一端接地，所述第一场效应管m1栅极连接所述第二场效应管m2栅极、所述第二场效应管m2漏极、所述第一三极管q1集电极；所述第三场效应管m3漏级连接所述第六场效应管m6漏级、所述第三场效应管m3栅极、所述第四场效应管m4栅极、第五场效应管m5栅极；所述第四场效应管m4漏级连接所述第二三极管q2集电极；所述第五场效应管m5漏级连接所述第一三极管q1基极、所述第三三极管q3集电极；所述第六场效应管m6源级依次串联所述第三电阻r3、所述第一电容c1，所述第一电容c1另一端接地，所述第六场效应管m6栅极通过第二电阻r2连接所述第一电阻r1；所述第七场效应管m7漏级连接所述第一三极管q1发射极、所述第二三极管q2发射极，所述第七场效应管m7源极依次串联所述第四电阻r4、所述第二电容c2，所述第二电容c2另一端接地，所述第七场效应管m7连接所述第二三极管q2基极、所述第三三极管q3基极、所述第五电阻r5一端，所述第五电阻r5另一端连接所述第四场效应管m4漏级；所述第三三极管q3发射极依次串联所述第六电阻r6、所述第三电容c3，所述第三电容c3另一端接地。

在一个具体实施方式中，所述第一场效应管m1、第二场效应管m2、第三场效应管m3、第四场效应管m4、第五场效应管m5均为p型mos管；所述第六场效应管m6、第七场效应管m7均为n型mos管。

在一个具体实施方式中，所述第一电阻r1、第三电阻r3、第四电阻r4、第六电阻r6的阻值相同。

本发明的用于基准电压源的补偿电路通过调整场效应管m1-m5的电流镜的比例，实现对流入电流的补偿，并在补偿过程中不会使电路的温度较高，温漂较小，且降低功耗，此外通过电阻器、电容器的设置，能够更好的滤除杂波干扰，进一步优化补偿性能。

以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。

技术特征：

技术总结
本发明公开了一种用于基准电压源的补偿电路，包括第一场效应管(M1)、第二场效应管(M2)、第三场效应管(M3)、第四场效应管(M4)、第五场效应管(M5)、第六场效应管(M6)、第七场效应管(M7)、第一三极管(Q1)、第二三极管(Q2)、第三三极管(Q3)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第五电阻(R5)、第六电阻(R6)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、第三电容(C3)。本发明的用于基准电压源的补偿电路通过调整场效应管M1‑M5的电流镜的比例，实现对流入电流的补偿，并在补偿过程中不会使电路的温度较高，温漂较小，且降低功耗，此外通过电阻器、电容器的设置，能够更好的滤除杂波干扰，进一步优化补偿性能。

技术研发人员：闫家伟
受保护的技术使用者：西安智盛锐芯半导体科技有限公司
技术研发日：2017.12.08
技术公布日：2019.06.18