电源抑制增强器的制作方法

本公开的各方面通常涉及电压调节，并且更特别地涉及增强电压调节器的电源抑制。

背景技术：

1、电压调节器可用于从噪声电源向电路提供干净的调节电压。电源抑制(psr)测量电压调节器在调节器的输出端处抑制电源噪声的能力。psr越高，提供给电路的调节电压就越干净。

技术实现思路

1、以下呈现一个或多个实现的简化概述，以便提供对此类实现的基本理解。该
技术实现要素：
不是所有预期实现的广泛综述，并且既不旨在标识所有实现方式的关键或重要元素，也不旨在界定任何或所有实现方式的范围。其唯一目的是以简化的形式呈现一个或多个实现方式的一些构思，作为稍后呈现的更详细描述的序言。

2、第一方面涉及一种系统。该系统包括具有输入端和输出端的放大电路，其中放大电路的输入端耦合到低压差(ldo)调节器的传输晶体管的栅极。该系统还包括耦合在放大电路的输出端与放大电路的输入端之间的金属氧化物半导体(mos)电容器。

3、第二方面涉及一种用于增强低压差(ldo)调节器的电源抑制的方法。该方法包括使用金属氧化物半导体(mos)电容器产生负电容，并且将负电容耦合到ldo调节器的传输晶体管的栅极。

4、第三方面涉及一种系统。该系统包括低压差(ldo)调节器，其中ldo调节器包括：传输晶体管，耦合在供电轨与ldo调节器的输出端之间；以及放大器，具有被配置为接收参考电压的第一输入端、经由反馈路径耦合到ldo调节器的输出端的第二输入端以及耦合到传输晶体管的栅极的输出端。该系统还包括具有输入端和输出端的放大电路，其中放大电路的输入端耦合到传输晶体管的栅极。系统还包括耦合在放大电路的输出端与放大电路的输入端之间的金属氧化物半导体(mos)电容器。

技术特征：

1.一种系统，包括：

2.根据权利要求1所述的系统，其中所述mos电容器包括金属氧化物半导体(mos)晶体管，所述mos晶体管具有耦合到所述放大电路的所述输入端的栅极，以及耦合到所述放大电路的所述输出端的漏极和源极。

3.根据权利要求2所述的系统，其中所述传输晶体管和所述mos晶体管具有相同的晶体管类型。

4.根据权利要求2所述的系统，其中所述传输晶体管包括第一p型金属氧化物半导体(pmos)晶体管，并且所述mos晶体管包括第二pmos晶体管。

5.根据权利要求2所述的系统，其中所述传输晶体管包括第一n型金属氧化物半导体(nmos)晶体管，并且所述mos晶体管包括第二nmos晶体管。

6.根据权利要求2所述的系统，其中所述mos晶体管与所述传输晶体管成比例。

7.根据权利要求2所述的系统，其中所述传输晶体管的尺寸是所述mos晶体管的尺寸的倍数。

8.根据权利要求2所述的系统，其中所述传输晶体管的栅极宽度或栅极面积是所述mos晶体管的栅极宽度或栅极面积的倍数。

9.根据权利要求1所述的系统，还包括电流感测晶体管，所述电流感测晶体管具有耦合到所述传输晶体管的所述栅极的栅极，以及耦合到所述放大电路的漏极。

10.根据权利要求9所述的系统，其中所述传输晶体管和所述电流感测晶体管具有相同的晶体管类型。

11.根据权利要求9所述的系统，其中所述传输晶体管包括第一p型金属氧化物半导体(pmos)晶体管，并且所述电流感测晶体管包括第二pmos晶体管。

12.根据权利要求1所述的系统，还包括耦合在所述放大电路的所述输入端与所述传输晶体管的所述栅极之间的第一开关。

13.根据权利要求12所述的系统，还包括耦合在所述放大电路的所述输入端与接地之间的第二开关。

14.根据权利要求1所述的系统，还包括耦合在所述传输晶体管的所述栅极与所述放大电路的所述输入端之间的高通滤波器。

15.根据权利要求14所述的系统，其中所述高通滤波器包括：

16.根据权利要求15所述的系统，其中所述电阻器耦合在所述放大电路的所述输入端与所述ldo调节器的输出端之间。

17.根据权利要求1所述的系统，其中所述放大电路包括：

18.根据权利要求17所述的系统，其中所述第一电阻器耦合在所述放大器的所述第二输入端与所述ldo调节器的输出端之间。

19.根据权利要求17所述的系统，其中所述放大器包括：

20.根据权利要求19所述的系统，还包括电流感测晶体管，所述电流感测晶体管具有耦合到所述传输晶体管的所述栅极的栅极和耦合到所述电流镜的漏极。

21.根据权利要求20所述的系统，其中所述电流镜的第一端子耦合到所述电流感测晶体管的所述漏极，并且所述电流镜的第二端子耦合到所述第一输入晶体管的所述源极和所述第二输入晶体管的所述源极。

22.根据权利要求21所述的系统，其中所述电流镜被配置为在所述电流镜的所述第二端子处镜像流入所述电流镜的所述第一端子的电流。

23.根据权利要求19所述的系统，其中所述放大器还包括耦合在所述负载电路与所述放大器的所述输出端之间的电压缓冲电路。

24.一种用于增强低压差(ldo)调节器的电源抑制的方法，包括：

25.根据权利要求24所述的方法，其中产生所述负电容包括将所述mos电容器耦合在放大电路的输出端与所述放大电路的输入端之间。

26.根据权利要求24所述的方法，其中所述mos电容器包括金属氧化物半导体(mos)晶体管。

27.根据权利要求26所述的方法，其中所述mos晶体管的漏极和源极耦合在一起。

28.根据权利要求26所述的方法，其中将所述负电容耦合到所述ldo调节器的所述传输晶体管的所述栅极包括：将所述mos晶体管的栅极耦合到所述传输晶体管的所述栅极。

29.根据权利要求26所述的方法，其中所述传输晶体管和所述mos晶体管具有相同的晶体管类型。

30.根据权利要求26所述的方法，其中所述传输晶体管包括第一p型金属氧化物半导体(pmos)晶体管，并且所述mos晶体管包括第二pmos晶体管。

31.根据权利要求26所述的方法，其中所述传输晶体管包括第一n型金属氧化物半导体(nmos)晶体管，并且所述mos晶体管包括第二nmos晶体管。

32.一种系统，包括：

33.根据权利要求32所述的系统，其中所述mos电容器包括金属氧化物半导体(mos)晶体管，所述mos晶体管具有耦合到所述放大电路的所述输入端的栅极，以及耦合到所述放大电路的所述输出端的漏极和源极。

34.根据权利要求33所述的系统，其中所述传输晶体管包括第一p型金属氧化物半导体(pmos)晶体管，并且所述mos晶体管包括第二pmos晶体管。

35.根据权利要求34所述的系统，其中所述传输晶体管的源极耦合到所述供电轨，并且所述传输晶体管的漏极耦合到所述ldo调节器的所述输出端。

36.根据权利要求33所述的系统，其中所述传输晶体管包括第一n型金属氧化物半导体(nmos)晶体管，并且所述mos晶体管包括第二nmos晶体管。

37.根据权利要求36所述的系统，其中所述传输晶体管的漏极耦合到所述供电轨，并且所述传输晶体管的源极耦合到所述ldo调节器的所述输出端。

技术总结
在某些方面，系统包括具有输入端和输出端的放大电路，其中放大电路的输入端耦合到低压差(LDO)调节器的传输晶体管的栅极。系统还包括耦合在放大电路的输出端和放大电路的输入端之间的金属氧化物半导体(MOS)电容器。

技术研发人员：K·C·郭,关华,姜吉泽
受保护的技术使用者：高通股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15