本发明构思涉及一种检查温度控制系统的方法,更具体地,涉及一种检查包括布置成矩阵的多个加热器的温度控制系统的方法。
背景技术:
1、制造半导体设备的工艺是在高度受控的参数(例如,温度、大气压力和气氛)下进行的。因此,在其中执行制造半导体设备的工艺的工艺腔室包括用于调整参数的各种元件。
2、用于调整参数的一个元件是温度控制系统,在该温度控制系统中,多个加热器和多个二极管布置成矩阵。多个二极管的缺陷导致加热器的不必要的操作,这降低了温度控制系统的操作可靠性。
3、因此,需要一种识别包括在温度控制系统中的多个二极管中出现的缺陷和缺陷性二极管(defective diode)的方法。
技术实现思路
1、本公开提供了一种通过识别包括在温度控制系统中的多个二极管中出现的缺陷和缺陷性二极管来检查温度控制系统的方法。
2、附加方面将部分地在下面的描述中进行陈述,并且部分地将从描述中变得显而易见,或者可以通过本公开的所呈现的实施方案的实施进行了解。
3、根据本公开的方面,一种检查温度控制系统的方法,该温度控制系统包括布置成矩阵的多个加热器和多个二极管,该方法包括:基于温度控制系统的电流测量值生成测量矩阵;基于测量矩阵计算与测量矩阵具有相同维度的变换矩阵;基于变换矩阵计算与测量矩阵具有相同维度的辅助矩阵;以及基于辅助矩阵与变换矩阵之间的差运算(differentoperation)来计算表示多个二极管中的缺陷性二极管的缺陷矩阵,其中测量矩阵的每个分量和变换矩阵的每个分量取决于连接至与多个二极管中的矩阵的分量相对应的二极管的缺陷性二极管的数量。
4、根据本公开的另一方面,提供了一种检查温度控制系统的方法,该温度控制系统包括:多个行总线;多个行开关元件,该多个行开关元件分别连接至多个行总线;多个列总线;多个列开关元件,该多个列开关元件分别连接至多个列总线;多个加热器,该多个加热器连接至多个行总线;以及多个二极管,该多个二极管分别连接至多个加热器并分别连接至多个列总线。该方法包括:在接通从多个行开关元件中选择的一个行开关元件且切断从多个列开关元件中选择的一个列开关元件之后,通过检测通过多个列总线输出的电流来确定测量矩阵;基于测量矩阵计算变换矩阵;基于变换矩阵计算辅助矩阵;以及基于辅助矩阵和变换矩阵计算表示多个二极管中的缺陷性二极管的缺陷矩阵,其中,根据下面的等式确定变换矩阵,
5、
6、其中,tij是变换矩阵的(i,j)分量,kij是测量矩阵的(i,j)分量,并且基于多个列总线的数量和多个行总线的数量来确定α。
7、根据本公开的另一方面,提供了一种检查温度控制系统的方法,该温度控制系统包括:多个行总线;多个行开关元件,该行多个开关元件分别连接至多个行总线;多个列总线;多个列开关元件,该多个列开关元件分别连接至多个列总线;多个加热器,该多个加热器连接至多个行总线;以及多个二极管,该多个二极管分别连接至多个加热器并分别连接至多个列总线。该方法包括:计算变换矩阵的每个分量,该变换矩阵的每个分量与连接至列总线的缺陷性二极管的数量相同,多个二极管中与变换矩阵的每个分量相对应的二极管连接至多个列总线中的列总线;基于变换矩阵计算辅助矩阵;以及基于辅助矩阵与变换矩阵之间的运算来计算表示多个二极管中的缺陷性二极管的缺陷矩阵,其中辅助矩阵的每个分量与包括在变换矩阵的同一列中的分量的值中的最大值相同。
1.一种检查温度控制系统的方法,所述温度控制系统包括布置成矩阵的多个加热器和多个二极管,所述方法包括:
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述方法还包括将与所述缺陷矩阵的分量中值为1的分量相对应的多个二极管确定为所述缺陷性二极管。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述方法还包括将与所述缺陷矩阵的分量中值为0的分量相对应的多个二极管确定为正常二极管。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述方法还包括将与所述缺陷矩阵的分量中小于阈值的值的分量相对应的多个二极管确定为正常二极管,并且将与所述缺陷矩阵的分量中大于或等于阈值的值的分量相对应的多个二极管确定为缺陷性二极管。
5.根据权利要求1所述的方法,其中,所述温度控制系统还包括:
6.根据权利要求5所述的方法,其中,所述变换矩阵的每个分量的值与连接至列总线的缺陷性二极管的数量相同,与所述多个二极管中的所述变换矩阵的每个分量相对应的二极管连接至所述多个列总线的所述列总线。
7.根据权利要求6所述的方法,其中,在接通所述多个行开关元件中任一个行开关元件且断开所述多个列开关元件中任一个列开关元件之后,基于通过所述多个列总线输出的电流的测量值的总和来确定所述测量矩阵的每个分量。
8.根据权利要求6所述的方法,其中,在仅接通所述多个行开关元件中的一个行开关元件且仅断开所述多个列开关元件中的一个列开关元件之后,基于通过所述多个列总线输出的电流的测量值的总和来确定所述测量矩阵的每个分量。
9.根据权利要求6所述的方法,其中,在仅接通所述多个行开关元件中的一个行开关元件且仅断开所述多个列开关元件中的一个列开关元件之后,基于通过所述多个行总线输入的电流的测量值的总和来确定所述测量矩阵的每个分量。
10.根据权利要求1所述的方法,其中,所述辅助矩阵的每个分量与包括在所述变换矩阵的同一列中的分量的值中的最大值相同。
11.一种检查温度控制系统的方法,该温度控制系统包括:多个行总线;多个行开关元件,所述多个行开关元件分别连接至所述多个行总线;多个列总线;多个列开关元件,所述多个列开关元件分别连接至所述多个列总线;多个加热器,所述多个加热器连接至所述多个行总线;以及多个二极管,所述多个二极管分别连接至所述多个加热器并分别连接至所述多个列总线,所述方法包括:
12.根据权利要求11所述的方法,其中,α根据下式确定
13.根据权利要求11所述的方法,其中,基于所述辅助矩阵与所述变换矩阵之间的差运算来计算所述缺陷矩阵。
14.根据权利要求11所述的方法,其中,所述方法还包括将与所述缺陷矩阵中值为0的分量相对应的多个二极管确定为所述缺陷性二极管。
15.根据权利要求11所述的方法,其中,所述方法还包括将与所述缺陷矩阵中值为非0的分量相对应的多个二极管确定为正常二极管。
16.根据权利要求11所述的方法,其中,将与所述缺陷矩阵中具有大于或等于阈值的值的分量相对应的多个二极管确定为所述缺陷性二极管,并且将与所述缺陷矩阵中具有小于所述阈值的值的分量相对应的多个二极管确定为正常二极管。
17.一种检查温度控制系统的方法,所述温度控制系统包括:多个行总线;多个行开关元件,所述多个行开关元件分别连接至所述多个行总线;多个列总线;多个列开关元件,所述多个列开关元件分别连接至所述多个列总线;多个加热器,所述多个加热器连接至所述多个行总线;以及多个二极管,所述多个二极管分别连接至所述多个加热器并分别连接至所述多个列总线,所述方法包括:
18.根据权利要求17所述的方法,其中,基于所述辅助矩阵与所述测量矩阵之间的差运算来计算所述缺陷矩阵。
19.根据权利要求17所述的方法,其中,所述方法还包括将与所述缺陷矩阵的分量中值为1的分量相对应的多个二极管确定为所述缺陷性二极管,并且将与所述缺陷矩阵的分量中值为0的分量相对应的多个二极管确定为正常二极管。
20.根据权利要求17所述的方法,其中,所述方法还包括将与所述缺陷矩阵的分量中小于阈值的值的分量相对应的多个二极管确定为正常二极管,并且将与所述缺陷矩阵的分量中大于或等于阈值的值的分量相对应的多个二极管确定为缺陷性二极管。