一种控温装置

本技术涉及光子晶体加工领域，特别是涉及一种用于激光直写非线性光子晶体时的控温装置。

背景技术：

1、随着激光技术的发展以及在工业加工、通信存储、医疗领域、物理研究等领域越来越多的应用，对于不同波段激光器的研发需求也越来越迫切。激光频率变换技术是激光及非线性光学领域的一个重要分支,通过频率变换能够获得各种波长的相干辐射,满足各种实际应用的需要。频率变换需要通过非线性光子晶体来实现，非线性光子晶体制备方法可大致分为以下几类：(1)相同成分的晶体：利用电场极化法处理；(2)不同成分的晶体：表面杂质扩散或离子交换；(3)晶体生长过程中利用电流的偏移或温度波动来制备；(4)电子束方法处理；(5)飞秒激光直写技术。

2、飞秒激光直写技术相较于其他制备方法优势在于可以制备三维的结构，由于非线性光子晶体由待加工晶体加工而来，而待加工晶体会在某个或某段温度节点，即居里点发生相变。通过改变待加工晶体的温度来改变其中的极化状态，为飞秒激光直写非线性光子晶体提供了更多的可能性。

技术实现思路

1、本实用新型要解决的技术问题是为了克服现有技术的问题，提供一种飞秒激光直写制备非线性光子晶体时的控温装置。

2、本实用新型是通过下述技术方案来解决上述技术问题：一种控温装置，其特征在于，包括固定装置，用于固定加热部件和待加工晶体，

3、加热装置连接至加热部件，用于对加热部件加热，进而控制待加工晶体的温度；

4、温度探测装置连接至所述加热部件，用于对加热部件的温度进行实时探测；

5、所述待加工晶体固定于所述加热部件上。

6、优选地，所述固定装置包括可调支架，所述可调支架的表面设有凹槽，所述凹槽的形状与加热部件相匹配，用于放置所述加热部件，所述加热部件放入所述凹槽后与可调支架的表面齐平。

7、优选地，所述加热部件还包括设于其外表面的导热结构，所述导热结构固定所述待加工晶体。

8、优选地，所述导热结构为一体或者多片，中间的位置用于定位所述待加工晶体。

9、优选地，所述导热结构的外径尺寸与加热部件的外径相匹配。

10、优选地，所述温度探测装置包括至少一个探头，所述探头为贴片，所述贴片连接至所述加热部件。

11、优选地，所述温度探测装置能够实时显示的温度精度为0.1℃，测量精度±0.3％fs。

12、优选地，所述可调支架包括叠放的移动架和固定架，所述移动架能相对于所述固定架改变其俯仰角度。

13、优选地，所述固定架和移动架之间，位于移动架的至少对称的两侧位置上，设有调节装置，所述调节装置用于调节该侧固定架与移动架之间的距离。

14、优选地，所述加热部件为发热陶瓷。

15、本实用新型的积极进步效果在于：本实用新型的控温装置，通过发热陶瓷来控制待加热的待加工晶体的温度，不但实现温度的准确可调，而且可调精度较高，而且还能够调节代加工的待加工晶体的俯仰角度，实现加工时的精确到对准，提高加工精度。

技术特征：

1.一种控温装置，其特征在于，包括固定装置(1)，用于固定加热部件(4)和待加工晶体(6)，

2.根据权利要求1所述的控温装置，其特征在于，所述固定装置(1)包括可调支架(10)，所述可调支架(10)的表面设有凹槽(11)，所述凹槽(11)的形状与加热部件(4)相匹配，用于放置所述加热部件(4)，所述加热部件(4)放入所述凹槽(11)后与可调支架(10)的表面齐平。

3.根据权利要求1所述的控温装置，其特征在于，所述加热部件(4)还包括设于其外表面的导热结构(5)，所述导热结构(5)固定所述待加工晶体(6)。

4.根据权利要求3所述的控温装置，其特征在于，所述导热结构(5)为一体或者多片，中间位置用于定位所述待加工晶体(6)。

5.根据权利要求3或4所述的控温装置，其特征在于，所述导热结构(5)的外径尺寸与加热部件(4)的外径相匹配。

6.根据权利要求1所述的控温装置，其特征在于，所述温度探测装置(2)包括至少一个探头，所述探头为贴片，所述贴片连接至所述加热部件(4)。

7.根据权利要求1所述的控温装置，其特征在于，所述温度探测装置能够实时显示的温度精度为0.1℃，测量精度±0.3％fs。

8.根据权利要求2所述的控温装置，其特征在于，所述可调支架(10)包括叠放的移动架(12)和固定架(13)，所述移动架(12)能相对于所述固定架(13)改变其俯仰角度。

9.根据权利要求8所述的控温装置，其特征在于，所述固定架(13)和移动架(12)之间，位于移动架(12)的至少对称的两侧位置上，设有调节装置(14)，所述调节装置(14)用于调节该侧固定架(13)与移动架(12)之间的距离。

10.根据权利要求1所述的控温装置，其特征在于，所述加热部件为发热陶瓷。

技术总结
本技术公开了一种控温装置，其特征在于，包括固定装置，用于固定加热部件和待加工晶体，加热装置连接至加热部件，用于对加热部件加热，进而控制待加工晶体的温度；温度探测装置连接至所述加热部件，用于对加热部件进行加热；所述待加工晶体固定于所述加热部件上。本技术的控温装置，通过发热陶瓷来控制待加热的待加工晶体的温度，不但实现温度的准确可调，而且可调精度较高，而且还能够调节代加工的待加工晶体的俯仰角度，实现加工时的精确到对准，提高加工精度。

技术研发人员：赵如薇,徐天翔,盛艳,王森
受保护的技术使用者：宁波大学
技术研发日：20230814
技术公布日：2024/2/25