本发明及ldo电路,具体为一种ldo过流保护电路。
背景技术:
1、低压差稳压器(英语:low-dropout regulator,ldo),又称低压差线性稳压器、低压降稳压器,是线性直流稳压器的一种,用途同是提供稳定的直流电压电源。相比于一般线性直流稳压器,低压差稳压器能于更小输出输入电压差的情况下工作。
2、在高温环境下,ldo(low dropout voltage regulator,低压差线性稳压器)的功率管过流检测变大的现象,这通常与多个因素相关。功率晶体管(如mosfet或bjt)的性能在高温下会发生变化。mosfet的阈值电压会随温度升高而降低,这可能导致在相同栅压下,流过晶体管的电流增大。其作用机制如下:
3、(1)基准电压漂移:
4、ldo内部用于比较的基准电压可能会随温度变化而发生漂移。如果基准电压在高温下升高,那么为了维持输出电压的稳定,误差放大器可能会增加对功率晶体管的控制信号,导致流过晶体管的电流增大。
5、(2)误差放大器增益变化:
6、误差放大器的增益也可能受温度影响。在高温下,如果误差放大器的增益降低,那么它对输出电压变化的响应速度会变慢,可能导致在检测到过流之前,电流已经超过了设定的阈值。
技术实现思路
1、本发明要解决的技术问题是提供一种ldo过流保护电路,以解决背景技术所述现有技术的不足。
2、为解决上述技术问题,本发明的实施例提供如下技术方案:一种ldo过流保护电路,包括误差放大器、功率管和反馈电阻模块,所述误差放大器输出端连接功率管和反馈电阻模块,所述功率管和反馈电阻模块反馈信号输出端连接误差放大器;所述功率管和反馈电阻模块包括pmos管pm6、补偿电容c1以及反馈电阻r0、r1,所述pmos管pm6栅极连接误差放大器控制信号输出端,所述pmos管pm6漏极连接电阻r0一端,所述电阻r0另一端连接电阻r1一端,所述电阻r1另一端接地,所述pmos管pm6漏极与接地端之间连接负载,所述pmos管pm6栅极与漏极之间连接补偿电容c1,所述pmos管pm6源极连接电源vcc;所述误差放大器控制信号输出端设置自动钳制电路,所述自动钳制电路输出端与误差放大器控制信号输出端同时连接pmos管pm6栅极。
3、进一步的,所述自动钳制电路包括pmos管pm7、pm8、pm9,电阻r1、r2,以及nmos管nm8a、nm8b、nm9a、nm9b;所述pmos管pm7、pm8、pm9源极连接电源vdd;所述pmos管pm7漏极连接nmos管nm8a漏极,所述pmos管pm8漏极连接nmos管nm8b、nm9a漏极,所述nm8a栅极连接nm8b栅极,所述nm9a栅极连接nm9b栅极,所述nm8a、nm8b、nm9a、nm9b源极接地,所述nm9b漏极通过电阻r2连接电源vdd,所述pmos管pm7漏极和源极连接电阻r1。
4、进一步的,所述nm9b漏极连接pmos管pm9的衬底电压端vsub,所述pm9漏极连接所述pmos管pm6栅极为功率管和反馈电阻模块提供钳位电压。
5、进一步的,所述pmos管pm7栅极与源极连接。
6、进一步的,所述nmos管nm8a、nm9a栅极与漏极相连。
7、进一步的,所述pmos管pm9栅极与漏极连接。
8、进一步的,所述电源vcc连接pmos管pm0源极,所述pm0栅极与漏极连接,所述pm0漏极接地。
9、进一步的,所述误差放大器为运算放大器芯片。
10、进一步的,所述pm0栅极与漏极连接。
11、进一步的,所述pmos管pm8栅极输入外部控制信号。
12、本发明的上述技术方案的有益效果如下:
13、本发明通过在传统ldo电路的误差放大器输出端设置自动钳制模块,可以在ldo电路工作在高温状态下时,通过自动钳制模块输出钳位电压,抑制误差放大器在高温下增加对功率晶体管的控制信号增加的趋势,最终避免因温度升高造成ldo电路功率晶体管电流增大的问题。
1.一种ldo过流保护电路,包括误差放大器、功率管和反馈电阻模块,所述误差放大器输出端连接功率管和反馈电阻模块,所述功率管和反馈电阻模块反馈信号输出端连接误差放大器;所述功率管和反馈电阻模块包括pmos管pm6、补偿电容c1以及反馈电阻r0、r1,所述pmos管pm6栅极连接误差放大器控制信号输出端,所述pmos管pm6漏极连接电阻r0一端,所述电阻r0另一端连接电阻r1一端,所述电阻r1另一端接地,所述pmos管pm6漏极与接地端之间连接负载,所述pmos管pm6栅极与漏极之间连接补偿电容c1,所述pmos管pm6源极连接电源vcc;其特征在于,所述误差放大器控制信号输出端设置自动钳制电路,所述自动钳制电路输出端与误差放大器控制信号输出端同时连接pmos管pm6栅极。
2.根据权利要求1所述的ldo过流保护电路,其特征在于,所述自动钳制电路包括pmos管pm7、pm8、pm9,电阻r1、r2,以及nmos管nm8a、nm8b、nm9a、nm9b;所述pmos管pm7、pm8、pm9源极连接电源vdd;所述pmos管pm7漏极连接nmos管nm8a漏极,所述pmos管pm8漏极连接nmos管nm8b、nm9a漏极,所述nm8a栅极连接nm8b栅极,所述nm9a栅极连接nm9b栅极,所述nm8a、nm8b、nm9a、nm9b源极接地,所述nm9b漏极通过电阻r2连接电源vdd,所述pmos管pm7漏极和源极连接电阻r1。
3.根据权利要求2所述的ldo过流保护电路,其特征在于,所述nm9b漏极连接pmos管pm9的衬底电压端vsub,所述pm9漏极连接所述pmos管pm6栅极为功率管和反馈电阻模块提供钳位电压。
4.根据权利要求2所述的ldo过流保护电路,其特征在于,所述pmos管pm7栅极与源极连接。
5.根据权利要求2所述的ldo过流保护电路,其特征在于,所述nmos管nm8a、nm9a栅极与漏极相连。
6.根据权利要求2所述的ldo过流保护电路,其特征在于,所述pmos管pm9栅极与漏极连接。
7.根据权利要求1所述的ldo过流保护电路,其特征在于,所述电源vcc连接pmos管pm0源极,所述pm0漏极接电流源ib1,所述pm0栅极与pm1栅极相连。
8.根据权利要求1所述的ldo过流保护电路,其特征在于,所述误差放大器为运算放大器芯片。
9.根据权利要求7所述的ldo过流保护电路,其特征在于,所述pm0栅极与漏极连接。
10.根据权利要求2所述的ldo过流保护电路,其特征在于,所述pmos管pm8栅极输入外部控制信号。