一种电流源电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及电流源。
【背景技术】
[0002]设计了一种电流源电路。
【发明内容】
[0003]本实用新型旨在提供一种电流源电路。
[0004]一种电流源电路，包括第一 PMOS管、第二 PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第一 NMOS管、第二 NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第六PMOS管和第七PMOS管:
[0005]所述第一 PMOS管的栅极接所述第四PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极和漏极和所述第六PMOS管的栅极和所述第七PMOS管的栅极和所述第二 NMOS管的漏极，漏极接所述第二 PMOS管的源极和所述第三PMOS管的栅极，源极接电源电压VCC ;
[0006]所述第二 PMOS管的栅极接地，漏极接地，源极接所述第一 PMOS管的漏极和所述第三PMOS管的栅极；
[0007]所述第三PMOS管的栅极接所述第一 PMOS管的漏极和所述第二 PMOS管的源极，漏极接所述第四PMOS管的漏极和所述第一 NMOS管的栅极和漏极和所述第二 NMOS管的栅极，源极接电源电压VCC ;
[0008]所述第四PMOS管的栅极接所述第一 PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极和漏极和所述第六PMOS管的栅极和所述第七PMOS管的栅极和所述第二 NMOS管的漏极，漏极接所述第三PMOS管的漏极和所述第一 NMOS管的栅极和漏极和所述第二 NMOS管的栅极，源极接电源电压VCC ;
[0009]所述第五PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一 PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第六PMOS管的栅极和所述第七PMOS管的栅极和所述第二 NMOS管的漏极，源极接电源电压VCC ;
[0010]所述第一 NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第三PMOS管的漏极和所述第四PMOS管的漏极和所述第二 NMOS管的栅极，源极接地；
[0011]所述第二 NMOS管的栅极接所述第三PMOS管的漏极和所述第四PMOS管的漏极和所述第一 NMOS管的栅极和漏极，漏极接所述第一 PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极和漏极和所述第六PMOS管的栅极和所述第七PMOS管的栅极，源极接所述第三NMOS管的漏极；
[0012]所述第三NMOS管的栅极接所述第四NMOS管的栅极和漏极和所述第六PMOS管的漏极，漏极接所述第二 NMOS管的源极，源极接地；
[0013]所述第四NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第三NMOS管的栅极和所述第六PMOS管的漏极，源极接地；
[0014]所述第六PMOS管的栅极接所述第一 PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极和漏极和和所述第七PMOS管的栅极和所述第二 NMOS管的漏极，漏极接所述第三NMOS管的栅极和所述第四NMOS管的栅极和漏极，源极接电源电压VCC ;
[0015]所述第七PMOS管的栅极接所述第一 PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极和漏极和所述第六PMOS管的栅极和所述第二 NMOS管的漏极，漏极作为电流输出端10UT，源极接电源电压VCC。
[0016]所述第一 PMOS管、所述第二 PMOS管和所述第三PMOS管构成启动电路部分，所述第二 PMOS管的栅极通过所述第二 PMOS管的栅极接地而导通，有启动电流传给由所述第一NMOS管、所述第二 NMOS管、所述第三NMOS管构成电流源的核心部分，启动电流通过所述第一NMOS管镜像给所述第二 NMOS管进而使整个电流源开始工作，再通过所述第五PMOS管和所述第四PMOS管反馈电路传给电流源的核心部分；启动电路提供启动电流后，电流源正常工作后，由于所述第一 PMOS管导通使得所述第三PMOS管的栅极拉高，所述第三PMOS管的漏极就不会有电流流出，使启动电路部分关闭；所述第三NMOS管处于线性区，其源漏之间的电流是所述第一 NMOS管的阈值电压除以所述第三NMOS管的RDS电阻，其电流再通过所述第五PMOS管镜像给所述第七PMOS管电流10UT。
【附图说明】
[0017]图1为本实用新型的电流源电路的电路图。
【具体实施方式】
[0018]以下结合附图对本【实用新型内容】进一步说明。
[0019]一种电流源电路，如图1所示，包括第一 PMOS管101、第二 PMOS管102、第三PMOS管 103、第四 PMOS 管 104、第五 PMOS 管 105、第一 NMOS 管 106、第二 NMOS 管 107、第三 NMOS管108、第四NMOS管109、第六PMOS管110和第七PMOS管111:
[0020]所述第一 PMOS管101的栅极接所述第四PMOS管104的栅极和所述第五PMOS管105的栅极和漏极和所述第六PMOS管110的栅极和所述第七PMOS管111的栅极和所述第二NMOS管107的漏极，漏极接所述第二 PMOS管102的源极和所述第三PMOS管103的栅极，源极接电源电压VCC ;
[0021 ] 所述第二 PMOS管102的栅极接地，漏极接地，源极接所述第一 PMOS管101的漏极和所述第三PMOS管103的栅极；
[0022]所述第三PMOS管103的栅极接所述第一 PMOS管101的漏极和所述第二 PMOS管102的源极，漏极接所述第四PMOS管104的漏极和所述第一 NMOS管106的栅极和漏极和所述第二 NMOS管107的栅极，源极接电源电压VCC ;
[0023]所述第四PMOS管104的栅极接所述第一 PMOS管101的栅极和所述第五PMOS管105的栅极和漏极和所述第六PMOS管110的栅极和所述第七PMOS管111的栅极和所述第二 NMOS管107的漏极，漏极接所述第三PMOS管103的漏极和所述第一 NMOS管106的栅极和漏极和所述第二 NMOS管107的栅极，源极接电源电压VCC ;
[0024]所述第五PMOS管105的栅极和漏极接在一起再接所述第一 PMOS管101的栅极和所述第四PMOS管104的栅极和所述第六PMOS管110的栅极和所述第七PMOS管111的栅极和所述第二 NMOS管107的漏极，源极接电源电压VCC ;
[0025]所述第一 NMOS管106的栅极和漏极接在一起再接所述第三PMOS管103的漏极和所述第四PMOS管104的漏极和所述第二 NMOS管107的栅极，源极接地；
[0026]所述第二 NMOS管107的栅极接所述第三PMOS管103的漏极和所述第四PMOS管104的漏极和所述第一 NMOS管106的栅极和漏极，漏极接所述第一 PMOS管101的栅极和所述第四PMOS管104的栅极和所述第五PMOS管105的栅极和漏极和所述第六PMOS管110的栅极和所述第七PMOS管111的栅极，源极接所述第三NMOS管108的漏极；
[0027]所述第三NMOS管108的栅极接所述第四NMOS管109的栅极和漏极和所述第六PMOS管110的漏极，漏极接所述第二 NMOS管107的源极，源极接地；
[0028]所述第四NMOS管109的栅极和漏极接在一起再接所述第三NMOS管108的栅极和所述第六PMOS管110的漏极，源极接地；
[0029]所述第六PMOS管110的栅极接所述第一 PMOS管101的栅极和所述第四PMOS管104的栅极和所述第五PMOS管105的栅极和漏极和和所述第七PMOS管111的栅极和所述第二 NMOS管107的漏极，漏极接所述第三NMOS管108的栅极和所述第四NMOS管109的栅极和漏极，源极接电源电压VCC ；
[0030]所述第七PMOS管111的栅极接所述第一 PMOS管101的栅极和所述第四PMOS管104的栅极和所述第五PMOS管105的栅极和漏极和所述第六PMOS管110的栅极和所述第二 NMOS管107的漏极，漏极作为电流输出端10UT，源极接电源电压VCC。
[0031]所述第一 PMOS管101、所述第二 PMOS管102和所述第三PMOS管103构成启动电路部分，所述第二 PMOS管103的栅极通过所述第二 PMOS管102的栅极接地而导通，有启动电流传给由所述第一 NMOS管106、所述第二 NMOS管107、所述第三NMOS管108构成电流源的核心部分，启动电流通过所述第一 NMOS管106镜像给所述第二 NMOS管107进而使整个电流源开始工作，再通过所述第五PMOS管105和所述第四PMOS管104反馈电路传给电流源的核心部分；启动电路提供启动电流后，电流源正常工作后，由于所述第一PMOS管101导通使得所述第三PMOS管103的栅极拉高，所述第三PMOS管103的漏极就不会有电流流出，使启动电路部分关闭；所述第三NMOS管108处于线性区，其源漏之间的电流是所述第一 NMOS管106的阈值电压除以所述第三NMOS管108的RDS电阻，其电流再通过所述第五PMOS管105镜像给所述第七PMOS管111电流10UT。
【主权项】
1.一种电流源电路，其特征在于:包括第一 PMOS管、第二 PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第一 NMOS管、第二 NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第六PMOS管和第七PMOS管； 所述第一 PMOS管的栅极接所述第四PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极和漏极和所述第六PMOS管的栅极和所述第七PMOS管的栅极和所述第二 NMOS管的漏极，漏极接所述第二 PMOS管的源极和所述第三PMOS管的栅极，源极接电源电压VCC ; 所述第二 PMOS管的栅极接地，漏极接地，源极接所述第一 PMOS管的漏极和所述第三PMOS管的栅极； 所述第三PMOS管的栅极接所述第一 PMOS管的漏极和所述第二 PMOS管的源极，漏极接所述第四PMOS管的漏极和所述第一 NMOS管的栅极和漏极和所述第二 NMOS管的栅极，源极接电源电压VCC ; 所述第四PMOS管的栅极接所述第一 PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极和漏极和所述第六PMOS管的栅极和所述第七PMOS管的栅极和所述第二 NMOS管的漏极，漏极接所述第三PMOS管的漏极和所述第一 NMOS管的栅极和漏极和所述第二 NMOS管的栅极，源极接电源电压VCC ； 所述第五PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一 PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第六PMOS管的栅极和所述第七PMOS管的栅极和所述第二 NMOS管的漏极，源极接电源电压VCC ; 所述第一 NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第三PMOS管的漏极和所述第四PMOS管的漏极和所述第二 NMOS管的栅极，源极接地； 所述第二 NMOS管的栅极接所述第三PMOS管的漏极和所述第四PMOS管的漏极和所述第一 NMOS管的栅极和漏极，漏极接所述第一 PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极和漏极和所述第六PMOS管的栅极和所述第七PMOS管的栅极，源极接所述第三NMOS管的漏极； 所述第三NMOS管的栅极接所述第四NMOS管的栅极和漏极和所述第六PMOS管的漏极，漏极接所述第二 NMOS管的源极，源极接地； 所述第四NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第三NMOS管的栅极和所述第六PMOS管的漏极，源极接地； 所述第六PMOS管的栅极接所述第一 PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极和漏极和和所述第七PMOS管的栅极和所述第二 NMOS管的漏极，漏极接所述第三NMOS管的栅极和所述第四NMOS管的栅极和漏极，源极接电源电压VCC ; 所述第七PMOS管的栅极接所述第一 PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极和漏极和所述第六PMOS管的栅极和所述第二 NMOS管的漏极，漏极作为电流输出端1UT，源极接电源电压VCC。
【专利摘要】本实用新型公开了一种电流源电路。电流源电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第六PMOS管和第七PMOS管。
【IPC分类】G05F1/56
【公开号】CN204808092
【申请号】CN201520513368
【发明人】陶霞菲
【申请人】杭州宽福科技有限公司
【公开日】2015年11月25日
【申请日】2015年7月13日