专利名称：有缺陷的挥发性内存重新格式化的方法及其装置的制作方法
技术领域：
本发明为一种有缺陷的挥发性内存重新格式化的方法及其装置，是利用非挥发性内存(non-volatile memory)的信息储存特性，以大幅节省“有缺陷的挥发性记忆体”(volatile memory with faulty location)于每次再启动时，重新格式化所耗费的等待时间。
有关习有“非挥发性内存”、“挥发性内存”及“有缺陷的挥发性内存”的主要特性、功能及成本比较，陈列于后，谨请参考习有的“非挥发性内存”，是不需要能量即可保持所储存的信息的记忆单元，亦即具有当电源切断时，所记忆的信息仍不会消灭的特征，例如EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-only Memory)的电子式可抹程序化只读内存、Flash-Memory的快闪内存等；但成本较高。
习有的“挥发性内存”，是需要能量才能保持所储存的信息的记忆单元，亦即当电源切断时，所记忆的信息亦随之消灭，例如SDRAM(Synchronous DRAM)、SRAM(Static Random Access Memory)、DRAM(Dynamic Random Access Memory)等；其成本比非挥发性记忆低。
而习有的“有缺陷的挥发性内存”，则是有缺陷位置(faulty location)存在的挥发性记忆单元，当断电再重新启动时，需要查出内存的缺陷位置，此一格式化动作耗时甚久，例如ASDRAM的单规SDRAM(Synchronous DRAM)、ASRAM的单规SRAM(Static Random Access Memory)、ADRAM的单规DRAM(DynamicRandom Access Memory)等；然而其成本，则较一般的挥发性记忆更低。
本发明的主要目的，即为提供一种“有缺陷的挥发性记忆体重新格式化的方法及其装置”，是利用“非挥发性记忆体”，将“有缺陷的挥发性内存”的缺陷位置等信息在产品封装出厂前予以记忆保存，使得“有缺陷的挥发性记忆体”在断电后重新启动时，可迅速获得该信息的方法及其装置。
本发明为了达成上述的目的及功效，该方法及装置所采行的技术手段至少包含以下的步骤(a)触发格式化动作，是在产品封装出厂前开始格式化的动作过程；可为一按压格式化按钮，或其他可触发格式化动作的机构动作过程，且仅在产品封装出厂前完成一次，并未授权予用户操作者；(b)划分有缺陷的挥发性内存成区块，是将有缺陷的挥发性内存逻辑化定义成固定大小的内存区块；(c)测试每一区块，是测试有缺陷内存中的“可用区域”及“损坏区域”；(d)将缺陷位置写入非挥发性内存，是生成一定义表于非挥发性内存，将测试结果“可用区域”定义为1，而“损坏区域”定义为0的方式，保存区块的测试结果；以及(e)断电后再重新启动的步骤。
且步骤(a)至(d)，是在产品封装出厂前完成，而步骤(e)则为用尸所操作。其中，断电后再重新启动的步骤，又包括(f)检查有缺陷的挥发性内存，是微处理器检查“有缺陷的挥发性内存”的文件配置表(File Allocation Table；、FAT)是否正确性；(g)从非挥发性内存读取测试结果，是当文件配置表为不正确时，微处理器即自动读取储存于非挥发性内存内的定义表；(h)将缺陷位置的讯息传给有缺陷的挥发性内存，是微处理器在读取定义表后，即将信息传递予有缺陷的挥发性内存；(i)重建文件配置表在有缺陷的挥发性内存，是依定义表的对应信息，重建正确的文件配置表于有缺陷的挥发性内存；以迅速完成重新格式化的目的。
而该装置，包含有缺陷的挥发性内存，是存在有缺陷位置的记忆单元，为欲使用的实际内存；非挥发性内存，是不需要能量即可保持所储存的资讯的记忆单元，用以记忆保存“有缺陷的挥发性内存”的缺陷位置等信息；微处理器，是运算及控制的处理单元，在产品封装出厂前运行有缺陷的挥发性内存逻辑化成区块及测试，并将缺陷位置写入非挥发性内存；而在每次电源开启时，可迅速检查有缺陷的挥发性内存或自动将储存于非挥发性记忆体内的缺陷位置信息，传递给有缺陷的挥发性内存，来节省重新格式化的时间及步骤。
该方法及装置明显具备下列优点、特征01、该方法所包含的触发格式化动作、划分有缺陷的挥发性内存成区块、测试每一区块、及将缺陷位置写入非挥发性内存等步骤，是在产品封装出厂前完成，产品于上市后，该装置在用户开启电源时，仅需运行“断电后再重新启动”的步骤即完成重新格式化的动作，且此步骤非常迅速，因而大幅节省习有重新格式化所耗费的等待时间。
02、该装置造价较为便宜，因“有缺陷的挥发性记忆体”是本发明欲使用的实际内存，其成本较一般的“非挥发性内存”及“挥发性记忆”更低，所以更具经济效益。
本发明的其他特性及具体实施例，继续用图式、图号详细说明如后图式说明如下
图1A是本发明于产品封装前的流程示意图；图1B是本发明于断电后再重新启动的流程示意图；图2是本发明的方块结构示意图；图3A是本发明一较佳实施例于产品封装前的流程示意图；图3B是本发明一较佳实施例于断电后再重新启动的流程示意图；图4是本发明一较佳实施例的方块结构示意图；图5是本发明一较佳实施例于产品封装前的操作流程示意图；图6是本发明一较佳实施例于每次启动的操作流程示意图；图7是本发明一较佳实施例是“内存规划”示意图；图8是本发明一较佳实施例运用于MP3随身听的电路结构示意图9是本发明一较佳实施例运用于MP3随身听的输入面板示意图；图10是本发明另一较佳实施例的方块结构示意图；图11是本发明又一较佳实施例的方块结构示意图。
图号说明如下有缺陷的挥发性内存1 ASDRAM11、81EEPROM12、82 Microprocessor13、23、33、83非挥发性内存2 ASRAM21Flash-Memory22、32微处理器3ADRAM31 按压格式化按钮41划分有缺陷的挥发性内存成区块42测试每一区块43将缺陷位置写入非挥发性内存44 检查有缺陷的挥发性内存51从非挥发性内存读取测试结果52将缺陷位置的讯息传给有缺陷的挥发性内存53重建文件配置表在有缺陷的挥发性内存54按压格式化按钮61 划分ASDRAM成区块62测试每一区块63将缺陷位置写入EEPROM64流程66流程661 流程67流程68回路69 指令691指令692 指令693 指令694指令695 指令696 检查ASDRAM71从EEPROM读取测试结果72将缺陷位置的讯息传给ASDRAM73重建文件配置表在ASDRAM74 流程75流程76流程761 流程77回路78指令781 指令782指令783 指令784 指令786PIN821PIN822 装置84装置85装置86 装置87装置88输入面板90 FORMAT按钮91定义表Ti 文件配置表FATi请参阅图1A、1B所示，是本发明在产品封装前的流程示意图、在断电后再重新启动的流程示意图及本发明的方块结构示意图；由图所示，该装置包括有缺陷的挥发性内存1，是存在有缺陷位非挥发性内存2，是不需要能量即可保持所储存的信息的记忆单元，用来记忆保存有缺陷的挥发性内存1的缺陷位置等信息；微处理器3，系为运算及控制的处理单元，在产品封装出厂前运行有缺陷的挥发性内存1逻辑化成区块及测试，并将缺陷位置写入非挥发性内存2；而在每次电源开启时，可迅速检查有缺陷的挥发性内存1或自动将储存于非挥发性内存内存2内的缺陷位置信息，传递予有缺陷的挥发性内存1，以节省重新格式化所耗费的等待时间。
该方法在产品封装前，其步骤包含触发格式化动作41，是开始格式化的动作过程；可为一按压格式化按钮，或其他可触发格式化动作的机构动作过程，且仅在产品封装出厂前完成一次，并未授权予使用者操作者；划分有缺陷的挥发性内存成区块42，是将有缺陷的挥发性内存1定义成固定大小的内存区块的逻辑化过程；测试每一区块43，是测试有缺陷的挥发性内存1中的“可用区域”及“损坏区域”的过程；将缺陷位置写入非挥发性内存44，是生成一定义表于非挥发性内存，将测试结果以“可用区域”定义为1，而“损坏区域”定义为0的方式，保存区块的测试结果的过程；而断电后再重新启动的步骤，包含检查有缺陷的挥发性内存51，是微处理器3在每次电源开启时，即迅速检查有缺陷的挥发性内存1的“文件配置表”其正确性的过程；因为每次电源消失后，被包含在有缺陷的挥发性内存1内的讯息也会完全地被消除，因此再启动时，必须经过确实的测试，以查出记忆体的损失区域，才可正常使用；从非挥发性内存读取测试结果52，是当微处理器3检查出有缺陷的挥发性内存1)的“文件配置表”不正确，即自动读取储存于非挥发性内存2内的定义表的过程；将缺陷位置的讯息传给有缺陷的挥发性内存53，是微处理器3在读取定义表后，即将信息传递予有缺陷的挥发性内存1的过程；重建文件配置表在有缺陷的挥发性内存54，是依定义表的对应信息，重建文件配置表于有缺陷的挥发性记忆体1的过程，有缺陷的挥发性内存1即可再次正常使用。
使得有缺陷的挥发性内存1于再次启动时，可迅速获得区块信息，而节省重新测试及格式化的等待时间及步骤。
请参阅图3A、3B、4所示，是本发明一较佳实施例于产品封装前的流程示意图、一较佳实施例在断电后再重新启动的流程示意图、及本发明一较佳实施例的方块结构示意图；由图所示，本发明实施于一较佳实施例中，其装置是由ASDRAM11、EEPROM12及Microprocessor13等所构成，其中ASDRAM11，是单规的SDRAM Synchronous DRAM，而存在有缺陷位置faultylocation的记忆单元，是将使用的实际记忆体；EEPROM12，是电子式可抹程序化唯读内存Electrically Erasable ProgrammableRead-only Memory的记忆单元，不需要能量即可保持所储存的信息，用以记忆保存ASDRAM11的缺陷位置等信息；Microprocessor13，是运算及控制的处理单元，在每次电源开启时，可迅速检查ASDRAM11或自动将储存于EEPROM12内的缺陷位置信息，传递予ASDRAM11，以节省重新格式化的时间及步骤。
在产品封装前，其步骤包含
触发格式化动作61，是一按压格式化按钮过程，或其他可触发格式化动作的机构按压格式化按钮；划分ASDRAM成区块62，是将ASDRAM11逻辑化定义成固定大小内存区块的过程；测试每一区块63，是测试ASDRAM11中的“可用区域”及“损坏区域”的过程；将缺陷位置写入EEPROM64，是将测试结果以“可用区域”定义为1，而“损坏区域”定义为0的方式所生成的定义表，写入于EEPROM12；在断电后再重新启动时，其步骤包含检查ASDRAM的过程71，是Microprocessor13在每次电源开启时，即迅速检查ASDRAM11的文件配置表是否正确，以查出内存的损失区域；从EEPROM读取测试结果72，是Microprocessor13检查出ASDRAM11的文件配置表不正确，即自动读取储存于EEPROM12内之定义表的过程；将缺陷位置的讯息传给ASDRAM的过程73，是Microprocessor13在读取定义表后，即将信息传递予ASDRAM11的过程；重建文件配置表在ASDRAM的过程74，是依定义表的对应信息，重建文件配置表于ASDRAM11的过程，ASDRAM11即可再次正常使用。
请参阅第5图所示，是本发明一较佳实施例于产品封装前的操作流程示意图；由图所示，其操作开始如后流程66，是定义ASDRAM内存区块，ASDRAM被逻辑化定义成固定大小的内存区块(例如16KBytes)，流程661定义区块总数为n；流程67，是有n项定义的表“T”在EEPROM，表“T”被视为一指针或索引，以指出所对应的ASDRAM区块是否可用；流程68，是按压格式化按钮，当启动格式化过程时，即运行回路69以完成ASDRAM的测试及格式化；回路69，是数个指令所组成的回路loop，指令691设定回路运行次数“i”第0次开始，指令692判断i是否小于n，当i小于n，则运行指令693以测试第i块区块，并以指令694判断第i块区块是否可用，如第i块区块为可用，则指令695定义其对应定义其表“T”的第i项为Ti)＝1；指令696将回路运行次数“i”累进次，以运行下一次的指令692；如第i块区块为不可用，则指令697定义其对应定义其表“T”的第i项为Ti＝0；指令696并将回路运行次数“i”累进一次，以运行下一次的指令692，直到当判断i等于n时，代表所有区块均已完成定义，则结束回路loop，即完成EEPROM的登录及ASDRAM的格式化。
请参阅第6图所示，是本发明一较佳实施例于每次启动的操作流程示意图；由图所示，其操作开始如后流程75，是判断当发生断电而再次启动时，即执行流程76以定义ASDRAM内存区块，否则运行流程79)以继续其他的操作，流程761定义区块总数为n；是生成并定义一有n个项目定义的文件配置表，n为ASDRAM内的区块总数，文件配置流程77，表被视为一指针或索引，以指出所有被储存在ASDRAM的实际资料的位置，也用来指示在ASDRAM所对应的区块是否可用；在文件配置表项目里面的数值EEEEh，指示对应的区块是不可用的，而不同的数值EEEEh则指示区块是可用的，而且FFFFh被当作内定值使用。
回路78，系为数个指令所组成的回路loop，指令781设定回路运行次数“i”从第0次开始，指令782判断i是否小于n，当i小于n，则运行指令783以从EEPROM读取表“T”第i项的Ti值，并以指令784判断Ti值是否等于0，如Ti值等于0，则指令785将FATi＝EEEEh的信息重建并定义于文件配置表的第i项；指令786将回路运行次数“i”累进一次，以运行下一次的指令782；如Ti值不等于0，则指令787将FATi＝FFFFh的信息重建并定义于文件配置表的第i项；指令786将回路运行次数“i”累进一次，以执行下一次的指令782，直到当判断i等于n时，代表所有区块均已完成定义，则结束回路loop，即完成ASDRAM其文件配置表FAT的重建，以节省重新格式化所耗费的时间及步骤。
请参阅图7所示，是本发明一较佳实施例的“记忆体规划”示意图；由图所示，EEPROM11)的定义表Ti与ASDRAM12的文件配置表FATi的对应关系，当T0＝1则FAT0＝FFFFh；当T1＝0则FAT1＝EEEEh；当Tn-2＝1则FATn-2＝FFFFh；而当Tn-1＝1则FATn-1＝FFFFh；依其定义ASDRAM12的BLOCK0为可用的区块，BLOCK1为不可用的区块，BLOCKn-2为可用的区块，而BLOCKn-1亦为可用的区块。
请参阅图8所示，是本发明一较佳实施例运用于MP3随身听的电路结构示意图；由图所示，其装置是由ASDRAM 81、EEPROM 82及Microprocessor83等所构成，其中EEPROM82具有PIN821及PIN822，PIN821是SDA为Serial Address/Data I/O，PIN822则是SCL为Serial Clock；装置84为PC接口电路PC InterfaceCircuit，装置85为输入电路keyboard Circuit，装置86为显示电路Display Circuit，装置87为音频解码器Audio Decoder，装置88为音频输出Audio Output。
请参阅图9所示，是本发明一较佳实施例运用于MP3随身听的输入面板示意图；由图所示，输入面板90上设有FORMAT按钮91，是按压格式化的按钮，以触发格式化的动作过程，被设置在输入面板90的下方而加以隐藏，仅供产品于封装出厂前完成一次格式化的按压动作，一般用户并无使用操作权。
请参阅图10所示，是本发明另一较佳实施例的方块结构示意图；由图所示，本发明装置，亦可实施为由ASRAM21、Flash-Memory22及Microprocessor23等所构成，其中ASRAM21，是单规SRAM的记忆单元，为欲使用的实际内存。
请参阅图11所示，是本发明又一较佳实施例的方块结构示意图；由图所示，本发明装置，亦可实施为由ADRAM31、Flash-Memory32及Microprocessor33等所构成，其中ADRAM31，是单规DRAM的记忆单元，为欲使用的实际内存。
此间拟予以提出说明，本发明装置包括有缺陷的挥发性内存1、非挥发性内存2及微处理器3等；其中，有缺陷的挥发性内存1可为ASDRAM11、ASRAM21ADRAM31、或其他类似；而非挥发性内存2则可为EEPROM12或Flash-Memory22、或其他类似；而构成间或以图11，12所示的方式互换，或另再组合，亦当为依本发明的较佳实施范例所推广，并循依本发明的精神所延伸的适用，故仍应包括在本案的专利范围内。
此间拟特别强调说明，是本发明最主要的创意精神在于提供一种“有缺陷的挥发性内存重新格式化的方法及其装置”，利用非挥发性内存2的信息储存特性，将有缺陷的挥发性内存1的缺陷位置等信息予以记忆保存，且此等较耗时的步骤是在产品封装出厂前完成，使有缺陷的挥发性内存1于重新启动时，可迅速从非挥发性记忆体2中获得该信息，以大幅节省重新格式所需耗费的等待时间，达到用户可快速启用的目的；实为本发明创意的精华所在。
权利要求
1.一种有缺陷的挥发性内存重新格式化的方法，包括(a)触发格式化动作，是在产品封装出厂前开始格式化的动作过程；(b)划分有缺陷的挥发性内存成区块，是将有缺陷的挥发性内存逻辑化定义成固定大小的内存区块；(c)测试每一区块，是测试有缺陷内存中“可用区域”及“损坏区域”；(d)将缺陷位置写入非挥发性内存，是生成一定义表于非挥发性内存，将测试结果用“可用区域”定义为1，而“损坏区域”定义为0的方式，保存区块的测试结果；以及(e)断电后再重新启动的步骤。且步骤(a)至(d)，是在产品封装出厂前完成，而步骤(e)则为用户所操作。
2.根据权利要求1所述的有缺陷的挥发性内存重新格式化的方法，其特征在于，该触发格式化动作，可为一按压格式化按钮的格式化触发过程。
3.根据权利要求1所述的有缺陷的挥发性内存重新格式化的方法，其特征在于，该触发格式化动作，也可为其他可触发格式化动作的机构动作过程。
4.根据权利要求1所述的有缺陷的挥发性内存重新格式化的方法，其特征在于，该断电后再重新启动的步骤，又包括(f)检查有缺陷的挥发性内存，是微处理器检查有缺陷的挥发性内存的文件配置表(File Allocation Table；FAT)是否正确性；(g)从非挥发性内存读取测试结果，当文件配置表为不正确时，微处理器即自动读取储存于非挥发性记忆体内的定义表；(h)将缺陷位置的讯息传给有缺陷的挥发性内存，是微处理器在读取定义表后，即将信息传递予有缺陷的挥发性内存；(i)重建文件配置表在有缺陷的挥发性内存，是依定义表的对应信息，重建正确的文件配置表于有缺陷的挥发性内存；以迅速完成重新格式化的目的。
5.一种有缺陷的挥发性内存重新格式化的装置，包括一有缺陷的挥发性内存，是存在有缺陷位置的记忆单元，为欲使用的实际内存；一非挥发性内存，是不需要能量即可保持所储存的信息的记忆单元，用以记忆保存有缺陷内存的缺陷位置等信息；一微处理器，是运算及控制的处理单元，在产品封装出厂前运行有缺陷的挥发性内存逻辑化成区块及测试，并将缺陷位置写入非挥发性内存；而在每次电源开启时，可迅速检查有缺陷的挥发性内存或自动将储存于非挥发性记忆体内的缺陷位置信息，传递予有缺陷的挥发性内存，以节省重新格式化的时间及步骤。
6.根据权利要求5所述的有缺陷的挥发性内存重新格式化的装置，其特征在于，该有缺陷的挥发性内存，可为ASDRAM的单规SDRAM。
7.根据权利要求5所述的有缺陷的挥发性内存重新格式化的装置，其特征在于，该有缺陷的挥发性内存，可为ADRAMD的单规DRAM。
8.根据权利要求5所述的有缺陷的挥发性内存重新格式化的装置，其特征在于，该有缺陷的挥发性内存，可为ASRAM的单规SRAM。
9.根据权利要求5所述的的有缺陷的挥发性内存重新格式化的装置，其特征在于，该非挥发性内存，可为EEPROM的电子式可抹程序化唯读内存。
10.根据权利要求5所述的有缺陷的挥发性内存重新格式化的装置，其特征在于，该非挥发性内存，可为Flash-Memory的快闪内存。
全文摘要
一种有缺陷的挥发性内存重新格式化的方法及其装置,是利用非挥发性内存(non－volatile memory)的信息储存特性,将有缺陷的挥发性内存(volatile memorywith faultylocation)的缺陷位置等信息在产品封装出厂前予以记忆保存,使得有缺陷的挥发性内存在断电后重新启动时,可迅速获得该信息的方法及其装置。
文档编号G06F12/00GK1336590SQ0012113
公开日2002年2月20日 申请日期2000年7月27日 优先权日2000年7月27日
发明者谢星倩, 连本源 申请人:乔工科技股份有限公司