电容单元及其电容屏的制作方法

专利名称:电容单元及其电容屏的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种电容单元及其电容屏，所述电容单元包括基板，在所述基板上依次设有纳米银导电层和银胶层，所述纳米银导电层包括视窗区和非视窗区，所述银胶层设置于所述纳米银导电层的非视窗区。本实用新型设计在非视窗区保留纳米银导电层，增大银胶与纳米银的接触面积，制作出来的材料，电阻稳定、接触性良好，此设计可以匹配所有的纳米银材料。
【专利说明】
电容单元及其电容屏
技术领域
[0001]本实用新型涉及电容屏技术领域，特别是涉及一种电容单元及其电容屏。
【背景技术】
[0002]目前，作为ITO导电薄膜的替代物，纳米级银丝导电薄膜(纳米银导电层)，被市场普遍看好。但自纳米级银丝导电薄膜被推出来后，普遍存在如下缺陷:
[0003]1、这类纳米级银丝导电薄膜普遍用镭射法蚀刻，但镭射蚀刻需要添购新镭射设备，费用较大。并且镭射的时间较长，难以提高生产效率。
[0004]2、这类纳米级银丝导电薄膜难以采用湿法蚀刻。蚀刻不净、线宽线距不均匀，侧蚀、银丝残留问题严重，难以满足一般电容单元的需求。
[0005]3、这类纳米级银丝导电薄膜与其他导电物质的接触性差，导致接触电阻不稳定。【实用新型内容】
[0006]基于此，本发明的目的是提供生产工艺简单，成本低的电容单元。
[0007]具体的技术方案如下:
[0008]—种电容单元，包括基板，在所述基板上依次设有纳米银导电层和银胶层，所述纳米银导电层包括视窗区和非视窗区，所述银胶层设置于所述纳米银导电层的非视窗区。
[0009]在其中一些实施例中，所述纳米银导电层的视窗区设有湿法蚀刻形成的图形化导电线路。
[0010]在其中一些实施例中，所述图形化导电线路的线距为30-50μπι。
[0011]在其中一些实施例中，所述纳米银导电层的厚度为2-10μπι。
[0012]在其中一些实施例中，所述银胶层的厚度为3_7μπι。
[0013]本发明的另一目的是提供一种电容屏。
[0014]具体的技术方案如下:
[0015]—种电容屏，包括至少I个所述的电容单元。
[0016]本发明的有益效果如下:
[0017]现有技术中，需要开发特殊的银胶来制作纳米银材料，以解决纳米银材料与其他导电物质(如银胶)接触性差的问题。这类银胶需要匹配特定的纳米银材料，难以匹配大多数的纳米银材料，应用受到限制。本实用新型设计在非视窗区保留纳米银导电层，增大银胶与纳米银的接触面积，制作出来的材料，电阻稳定、接触性良好，此设计可以匹配所有的纳米银材料。
【附图说明】

[0018]图1为本发明实施例1的电容单元结构示意图(101基板，102非视窗区，103视窗区，
104银胶层)。
【具体实施方式】
[0019]以下通过实施例对本申请做进一步阐述。
[0020]实施例1
[0021]参考图1，本实施例一种电容单元，包括基板101，在所述基板上依次设有纳米银导电层和银胶层104，所述纳米银导电层包括视窗区103和非视窗区102，所述银胶层104设置于所述纳米银导电层的非视窗区102。
[0022]所述纳米银导电层的视窗区设有湿法蚀刻形成的图形化导电线路。
[0023]所述图形化导电线路的线距为30_50μπι，所述纳米银导电层的厚度为5μπι，所述银胶层的厚度为5μηι。
[0024]上述电容单元的制备方法，包括如下步骤:
[0025]在所述基板上涂覆纳米银导电层；
[0026]采用湿法蚀刻在所述纳米银导电层的视窗区蚀刻出图形化导电线路；
[0027]所述湿法蚀刻所采用的蚀刻液包括如下质量百分含量的组份:58wt%的酸，3wt %的缓冲物，0.2wt %的表面活性剂，余量为水；
[0028]所述酸为盐酸和硝酸，所述缓冲物为氟化铵，所述表面活性剂为0P-10;
[0029]湿法蚀刻的工艺参数为:蚀刻温度:50°C、时间:1.5min ；
[0030]在所述纳米银导电层的非视窗区涂覆银胶层；
[0031]利用激光蚀刻工艺在所述银胶层蚀刻出图形化导电线路，所述激光蚀刻工艺的工艺参数为:速度:3300mm/秒，次数:3次；
[0032]即得所述电容单元。
[0033]—种电容屏的设计工艺(包括至少I个上述电容单元)，该设计结构在非视窗区的银胶走线下，保留纳米银通道，增加银胶和纳米银的接触面积，改善纳米银材料与其他材料接触不良的问题。本设计可以应用到所有纳米银的材料上，适合单、双层film等。其中的f i Im都可以用本设计制作。
[0034]以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
[0035]以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。
【主权项】
1.一种电容单元，包括基板，其特征在于，在所述基板上依次设有纳米银导电层和银胶层，所述纳米银导电层包括视窗区和非视窗区，所述银胶层设置于所述纳米银导电层的非视窗区。2.根据权利要求1所述的电容单元，其特征在于，所述纳米银导电层的视窗区设有湿法蚀刻形成的图形化导电线路。3.根据权利要求2所述的电容单元，其特征在于，所述图形化导电线路的线距为30-50μmD4.根据权利要求1-3任一项所述的电容单元，其特征在于，所述纳米银导电层的厚度为2—I Oy-1n ο5.根据权利要求1所述的电容单元，其特征在于，所述银胶层的厚度为3-7μπι。6.—种电容屏，其特征在于，包括至少I个权利要求1所述的电容单元。
【文档编号】G06F3/044GK205721718SQ201620204144
【公开日】2016年11月23日
【申请日】2016年3月16日
【发明人】赵丹, 陈艳丰, 李明麟
【申请人】意力(广州)电子科技有限公司