专利名称：不同工艺规则sram图形的快速修改方法
技术领域：
本发明涉及一种集成电路版图的数据处理方法，特别是涉及一种集成 电路版图中SRAM图形的快速修改方法。
背景技术：
在深亚微米工艺的IC产品中，客户提交的版图中经常会使用经过OPC (光学临近效应修正)处理的SRAM Cell (静态存储器版图单元)。由于业 内采用的OPC模型不尽相同，因此客户提交的版图往往不符合代工制造商 的生产工艺要求。为了解决该问题，需要修改客户提交的版图，将其中不 符合生产工艺的SRAM Cell修改为符合生产工艺的SRAM Cell。这个过程是 由代工制造商的掩模版设计工程师完成的，目前是通过人工査阅客户提交 的整个版图，查找出其中的每一个SRAMCell，将其与自身可实施的每一个 SRAM Cell进行逐一对比，找到与之最接近的SRAM Cell;然后使用自身可 实施的、且与客户使用的SRAM Cell最接近的SRAM Cell替换客户使用的 SRAMCell。上述査找、比较和替换的全套人工操作不仅效率低下，而且存 在较大的设计出错风险。
GDSII文件是目前IC业界通用的集成电路版图存储格式，它是一种二 进制的数据结构，以二进制数据流形式进行存储。目前GDSII格式有着70 种记录(record)用于存储版图的各种信息，包括版图的结构信息、坐标 信息、层次信息等。以GDSII文件直接进行数据处理，往往比利用版图编辑工具效率更高，因为可以省掉数据导入和导出的时间。如果可以利用
GDSII文件直接进行版图中SRAM图形的査找、比较和替换的工作，则不仅 可以大幅度提高效率，而且大大增强了可靠性。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种不同工艺规则间集成电路版图 中SRAM图形的快速修改方法。
为解决上述技术问题，本发明不同工艺规则SRAM图形的快速修改方法 包括以下步骤
第一步，建立一个SRAM Cell库，该SRAM Cell库中存储着所有可实 施的SRAM Cell版图数据，该SRAM Cell库是以GDSII格式存储的；
第二步，同时读入待修改的版图文件和SRAM Cell库，查找出这两个 GDSII文件中的每一个SRAM Cell;
第三步，利用GDSII文件的阶层化结构，以二维图形的布尔运算为基 础，比较待修改的版图文件中的一个SRAM Cell和SRAM Cell库中的每一 个SRAM Cell,直至找出与待修改的版图文件中的SRAM Cell相似的SRAM Cell库中的SRAM Cell;
第四步，将待修改的版图文件中的SRAM Cell以SRAM Cell库中的与 之相似的SRAM Cell进行替换；
第五步，重复上述第三步至第四步，直至待修改的版图文件中的每一 个SRAM Cell都找出了与之相似的SRAM Cell库中的SRAM Cell,并以SRAM Cell库中的与之相似的SRAM Cell进行替换。所述的不同工艺规则SRAM图形的快速修改方法，是以二进制的方式读 入GDSII文件，以二进制数据流的方式査找SRAM Cell,以二进制数据流的 方式替换SRAM Cell的。
本发明可以达到的技术效果是使得不同工艺规则间SRAM图形的快速修 改成为可能，同时可以大幅度提高效率并增强可靠性。根据本发明原理设 计的程序在某0. 18um工艺的集成电路上进行实验，在其他条件相同的情 况下，原先人工操作需要一天多才能完成的SRAM图形修改任务，现在仅需 约8分钟即可完成。
下面结合附图和实施例对本发明作进一步详细的说明
图1是待修改的版图文件中一个SRAM Cell的示意图2是SRAM Cell库中一个SRAM Cell的示意图3是本发明不同工艺规则SRAM图形的快速修改方法的流程图4是本发明比较两个SRAM Cell是否相似的流程图5是两个相同的SRAM Cell在同一层中图形重叠的示意图6是两个SRAM Cell图形比较的示意图。
具体实施例方式
请参阅图l，图l是待修改的版图文件中一个SRAM Cell的示意图。图 1 (a)是一个SRAMCell，它可以分为三层分别如图1 (b)、图l (c)和图 1 (d)所示。三层叠加在一起，就是一个整体的SRAM Cell。请参阅图2， 图2是SRAM Cell库中一个SRAM Cell的示意图。与图1类似，它也可以分为三层分别如图2 (a)、图2 (b)和图2 (c)所示。图1和图2所示的 SRAM Cell都是以GDSII文件存储版图数据的。GDSII文件的一大特性就是 阶层化结构，也就是按层记录版图数据，因此在数据处理的过程中可以方 便地分层进行。
请参阅图3，图3是本发明不同工艺规则SRAM图形的快速修改方法的 流程图。通常，面对客户提交的不符合代工制造商生产工艺的版图数据，
本发明的技术方案描述如下
第一步，代工制造商建立一个SR雇Cell库，该SRAM Cell库中存储 着所有该代工制造商可实施的SRAM Cell版图数据，并且该SRAM Cell库 是以GDSII格式存储的。
第二步，通过软件程序同时以二进制的方式读入客户的版图文件和 SRAMCell库，通过对这两个GDSII文件的二进制数据流的査找，寻找到这 两个GDSII文件中的每一个SRAM Cell。
第三步，利用GDSII文件的阶层化结构，以二维图形的布尔运算为基 础，比较待修改的版图文件中的一个SRAM Cell和SRAM Cell库中的每一 个SRAM Cell是否相似，直至找出与待修改的版图文件中的一个SRAM Cell 相似的SRAM Cell库中的一个SRAM Cell。
第四步，将待修改的版图文件中的一个SRAM Cell以与之相似的SRAM Cell库中的一个SRAM Cell进行替换，替换是以二进制数据流的形式完成 的。
第五步，将上述第三步至第四步的比较、替换的过程不断重复，直至待修改的版图文件中的每一个SRAM Cell都以SRAM Cell库中的与之相似 的一个SRAM Cell进行替换。
结合图1和图2，本发明是通过比较图l (b)和图2 (b)、图l (c) 和图2 (c)、图1 (d)和图2 (d)的相似性，来实现对图1 (a)和图2 (a) 相似性的比较，充分利用了GDSII文件的阶层化结构，并以二维图形的布 尔运算为基础。
请参阅图4，图4是本发明比较两个SRAMCell是否相似的流程图，也 就是对图3中比较两个SRAM Cell是否相似的具体实现方法，该方法具体 描述如下
第一步，比较两个SRAM Cell的层数，如果层数不相同，则判定为不 相似；如果层数相同，则继续进行比较。
第二步，两个SRAM Cell中的第一层图形分别与自身进行或运算，然 后计算两个SRAM Cell中与自身进行过或运算的第一层图形的面积，将其 中较大的面积值设为A。
这一步的目的是消除同一层中图形重叠对面积计算的影响，请参阅图 5，图5是两个相同的SRAMCell在同一层中图形重叠的示意图。其中，10 和11是两个相同的SRAM Cell在同一层的图形，它们有一小部分区域100 是重叠的。这样无论是对图形10还是图形11，都出现了一个SR旭Cell的 同一层中图形重叠的情况。在计算该SRAM Cell的该层面积时，如果不进 行特别处理，区域100的面积会被重复计算。为了避免这种情况，就需要 对该SRAM Cell的该层图形进行与自身的二维图形或运算，这样在计算面积时可以抵销同一层中图形重叠对面积计算的影响。
第三步，对两个SRAM Cell中与自身进行过或运算的第一层图形进行 与运算，将运算所得图形的面积值设为B。
这一步运算结果所得到的图形就是两个SRAM Cell的第一层图形的重 叠区域，B也就是这部分重叠区域的面积。
第四步，计算误差图形面积A， A = |A-B|/A。
第五步，为入值设定一个上限，如果入值在该上限外，则判定为不相 似；如果入值在该上限内，则继续进行比较。
第六步，对两个SRAM Cell中的第二层图形、第三层图形……第n层 图形重复上述第二步至第五步，直至两个SRAM Cell的所有相同层比较完 毕，如果所有相同层的入值都在该上限内，则判定为相似；如果有任何入 值在该上限外，则判定为不相似。
请参阅图6，图6是两个SRAMCe11图形比较示意图。其中，图6 (a) 是待修改的版图文件中的一个SRAM Cell，图6 (b)是SRAM Cell库中的 一个SRAMCell。通常，SRAM Cell图形的整体形状较为特定，差异主要体 现在图形的边角处，即图6 (b)中的虚线圆形处。根据实际比较的结果统 计，误差图形面积入值一般在5%以内。因此，将5%作为入值的上限的一 个优选值，入值的上限也可以取得更小如4%、 3%、 2%或1%，视代工制 造商的要求而定。
权利要求
1.一种不同工艺规则SRAM图形的快速修改方法，其特征是该方法包括以下步骤第一步，建立一个SRAM Cell库，该SRAM Cell库中存储着所有可实施的SRAM Cell版图数据，该SRAM Cell库是以GDSII格式存储的；第二步，同时读入待修改的版图文件和SRAM Cell库，查找出这两个GDSII文件中的每一个SRAM Cell；第三步，利用GDSII文件的阶层化结构，以二维图形的布尔运算为基础，比较待修改的版图文件中的一个SRAM Cell和SRAM Cell库中的每一个SRAM Cell，直至找出与待修改的版图文件中的SRAM Cell相似的SRAMCell库中的SRAM Cell；第四步，将待修改的版图文件中的SRAM Cell以SRAM Cell库中的与之相似的SRAM Cell进行替换；第五步，重复上述第三步至第四步，直至待修改的版图文件中的每一个SRAM Cell都找出了与之相似的SRAM Cell库中的SRAM Cell，并以SRAMCell库中的与之相似的SRAM Cell进行替换。
2. 根据权利要求1所述的不同工艺规则SRAM图形的快速修改方法，其 特征是该方法是以二进制的方式读入GDSII文件，以二进制数据流的方 式查找SRAM Cell,以二进制数据流的方式替换SRAM Cell的。
3. 根据权利要求1所述的不同工艺规则SRAM图形的快速修改方法，其 特征是该方法比较两个SRAM Cell是否相似包括以下步骤第一步，比较两个SRAM Cell的层数，如果层数不相同，则判定为不相似；如果层数相同，则继续进行比较；第二步，两个SRAM Cell中的第一层图形分别与自身进行或运算，然 后计算两个SRAM Cell中与自身进行过或运算的第一层图形的面积，将其 中较大的面积值设为A;第三步，对两个SRAM Cell中与自身进行过或运算的第一层图形进行 与运算，将运算所得图形的面积值设为B;第四步，计算误差图形面积入，X = |A-B|/A;第五步，为入值设定一个上限，如果入值在该上限外，则判定为不相 似；如果M直在该上限内，则继续进行比较；第六步，对两个SRAM Cell中的第二层图形、第三层图形……第n层 图形重复上述第二步至第五步，直至两个SRAM Cell的所有相同层比较完 毕，如果所有相同层的入值都在该上限内，则判定为相似；如果有任何X 值在该上限外，则判定为不相似。
4.根据权利要求3所述的不同工艺规则SRAM图形的快速修改方法，其 特征是入值的上限为小于或等于5%。全文摘要
本发明公开了一种不同工艺规则SRAM图形的快速修改方法，该方法利用GDSII文件的阶层化结构，以二维图形的布尔运算为基础，通过计算两个SRAM Cell的误差图形面积λ来确定图形的相似性。本发明再通过软件程序建立SRAM Cell库，查找待修改文件中的SRAM Cell，通过比较找到与之相似的可实施的SRAM Cell库中的SRAM Cell，最后以与之相似的可实施的SRAM Cell替代原始SRAM Cell。所有过程均通过软件程序自动完成，与传统的人工操作相比，本发明不仅大大提高效率，而且准确度和可靠性都有较大提升。
文档编号G06F17/50GK101308516SQ20071004071
公开日2008年11月19日 申请日期2007年5月16日 优先权日2007年5月16日
发明者张兴洲 申请人:上海华虹Nec电子有限公司