存储载体及其驱动方法

专利名称：存储载体及其驱动方法
技术领域：
本发明涉及以无线方式收发信号的存储栽体。
技术背景以无线方式发送/接收信号来识别个体的技术(RFID:射频识别， Radio frequency identification )在各种领域中正在被实用化，并且预 料作为新信息通讯的方式进一步扩大其市场。在RFID中，主要在称 为读取器、读取写入器或询问应答机的询问器和RF标签之间以无线 方式发送/接收信号。RF标签储存有识别信息，并且通过在与询问器 之间以无线方式发送/接收信号，可以以非接触的方式读出RF标签所 储存的识别信息来进行对象物的个体识别。在很多情况下，RF标签 的形状是卡片状或比卡片更小的芯片状，然而根据用途可以采用各种 各样的形状。可以将识别信息储存在RF标签所具有的存储器中，并且根据其 存储器的种类RF标签被分为如下两类不能重写识别信息的类型； 可以重写识别信息的类型。在不能重写信息的RF标签中，基本上一 直原样保持写入了的识别信息。对于可以重写的RF标签来说，在进 行一系列的利用之际一般也不重写识别信息。但是，可以重写的RF 标签和不能重写的RF标签之间的不同之处在于可以通过在一系列 的利用结束之后重写识别信息来再度利用可以重写的RF标签。可是，从现状来说，当读取识别信息等数据时，与条码相比， RF标签的可靠性没有高到适合实用化的程度。 一般地说，所读出的 数据不对或者不能读出数据那样的RF标签的错误动作以1%左右的 比例发生，因此未到达实现实用化的水平。于是，有如下动机通过 并用RF标签和条码而防备当读取RF标签时发生错误动作，来实现RF标签的实用化。下面的专利文件1记载有具有RFID功能的条码 用封缄(seal)。[专利文件1日本特开2001-5931号^>才艮条码需要以极近距离进行读取，所以不得不缩短通讯距离，因此不方便；但是与RF标签不同，具有当进行读取时几乎不发生错误动作的优点。因此，即使当读取RF标签时发生错误动作，也可以通过 并用条码基本上准确地读取数据。于是，预先准备用来结合条码所具 有的数据和RF标签所具有的识别信息的数据库，并且通过利用该数 据库从条码所具有的数据提取RF标签所具有的识别信息，即使当读 取RF标签时发生错误动作，也可以识别个体。然而，当并用条码和RF标签时，需要分别利用不同工序来制造 条码和RF标签。此外，由于可以简单地视觉读取条码所具有的数据， 因此当想要极其保密地处理识别信息时使用可以容易认识与识别信 息有关系的该数据的条码是在安全上不是优选的。再者，对可以重写数据的RF标签来说，当再度利用RF标签时 需要重写所储存的识别号码。在此情况下，不能重写条码所具有的数 据，而需要更换RF标签所安装有的条码，因此工作很麻烦。发明内容鉴于上述问题，本发明的目的在于提供一种不需要分别利用不同 工序来制造条码和RF标签的存储栽体。本发明的目的还在于提供一 种能够选择是否显示条码的存储载体。本发明的目的还在于提供一种 当重写数据时可以避免更换条码的麻烦工作的存储载体。本发明的存储载体能够接收以无线方式从称为读取器、读取写入 器或询问应答机的询问器发送来的信号，根据该信号以无线方式将包 含存储器所储存的数据的信号发送给询问器，并且具有显示用于利用 光学标记识别(OMR: Optical Mark Recognition )来读取存储器所 储存的数据的代码的显示装置。通过具有该显示装置，当存储载体发 生任何故障而询问器不能识别存储器所储存的数据时，可以从显示装置所显示的代码光学地读出数据。具体地说，本发明的存储载体包括用来储存数据的存储器；根 据以无线方式从询问器发送来的信号，从所述存储器读取所述数据的 控制电路；根据算法(algorithm)转换所读出的所述数据的转换器； 利用被所述转换器转换的所述数据来产生图像信号的图像信号产生 电路；利用所述图像信号来显示代码的显示装置。注意，代码可以是一维代码(条码)或二维代码。只要可以光学 性地读出数据，就可以使用具有各种各样的形式的代码。此外，本发 明的存储载体也可以具有用来在与询问器之间以无线方式发送/接收 信号的天线电路。此外，在本发明的存储载体中，也可以在一个衬底上形成存储器、 控制电路、调制电路、转换器、图像信号产生电路等的集成电路和显 示装置。此外，在本发明中，也可以将根据算法转换的数据储存在存储器 中。在此情况下，也可以在存储栽体中不设置用来根据算法进行转换 的转换器。既可以在一个存储器内的不同区域中储存转换之前的数据 和转换之后的数据，又可以在不同存储器中储存转换之前的数据和转 换之后的数据。此外，显示装置包括具有多个像素的像素部；根据图像信号来 控制该像素部的驱动的驱动电路。各像素包括显示元件，该显示元件 可以根据图像信号来至少显示二值灰度。作为显示元件，可以使用例 如用于称为电子纸或数字纸(Digital Paper)的显示装置那样的利用电 压的施加可以控制灰度并且具有存储器特性的元件。具体地说，可以将如下显示元件使用于显示装置非水类电泳型 显示元件；在两个电极之间的高分子材料中分散有液晶的小滴 (droplet)的PDLC (聚合物分散液晶；polymer dispersed liquid crystal )方式的显示元件；在两个电极之间具有旋光向列液晶(chiral nematie liquid crystal)或者胆齒醇液晶(cholesteric liquid crystal) 的显示元件；在两个电极之间具有带电的微粒子且利用电场使该微粒子在粉体中移动的粉体移动型显示元件；等等。此外，非水类电泳型 显示元件包括将分散有带电的微粒子的分散液夹在两个电极之间的 显示元件；在将绝缘膜夹在中间的两个电极上具有分散有带电的微粒 子的分散液的显示元件；在两个电极之间将具有分别带着不同电荷的 两种颜色的半球的扭转球分散于溶剂中的显示元件；在两个电极之间 具有微囊的显示元件，在该微囊中多个带电的微粒子分散于溶液中； 等等。此外，作为可以使用于显示装置的显示元件，还可以使用以有机 发光元件(OLED)为代表的发光元件、液晶元件等。对本发明的存储栽体来说，通过在与集成电路相同的衬底上形成 显示装置且使该显示装置显示代码，就没必要如传统那样另外形成代 码和集成电路。此外，本发明的存储载体可以选择是否使显示装置显示代码。因 此，跟现有的带条码的RF标签相比，可以期待各种各样的用途诸如 当想要提高安全水平时不使显示装置显示代码等等。此夕卜，本发明的存储载体即使当在存储器中重写数据时也可以根 据该数据改变所显示的代码，因此可以避免更换代码的麻烦工作。


图1A和1B是表示本发明的存储栽体的结构的方框图； 图2是表示本发明的存储载体的结构的方框图； 图3是表示本发明的存储载体的结构的方框图； 图4是表示本发明的存储载体的结构的方框图； 图5是表示本发明的存储载体的结构的方框图； 图6是表示本发明的存储载体的结构的方框图； 图7是表示本发明的存储栽体的结构的方框图； 图8A和8B是表示本发明的存储载体的结构的立体图； 图9A和9B是表示本发明的存储载体所具有的像素部的结构的 俯视图以及截面图；图10A和10B是表示本发明的存储栽体所具有的像素部的结构 的俯视图以及截面图；图11A和11B是表示本发明的存储栽体所具有的像素部的结构 的俯视图；图12A和12B是表示本发明的存储载体所具有的像素部的结构 的俯视图；图13A至13C是表示本发明的存储载体的制造方法的图； 图14A至14C是表示本发明的存储载体的制造方法的图； 图15A至15C是表示本发明的存储载体的制造方法的图； 图16A和16B是表示本发明的存储载体的制造方法的图； 图17A和17B是表示本发明的存储栽体的制造方法的图。
具体实施方式
以下参照附图来说明本发明的实施方式。但是，本发明可以以多 种不同方式而实施，所属技术领域的普通人员可以很容易地理解一个 事实，就是其方式及详细内容可以被变换为各种各样的形式而不脱离 本发明的宗旨及其范围。因此，本发明不应该被解释为仅限定在本实 施方式所记载的内容中。实施方式1参照图1A说明本发明的存储栽体的结构。图1A是粗略表示本 发明的存储载体的一个形式的方框图。在图1A中，存储载体100包 括用来储存数据的存储器109、根据从询问器以无线方式发送来的信 号从存储器109读出数据的控制电路108、根据算法转换所读出的数 据的转换器113、利用被转换器113转换的数据来产生图像信号的图 像信号产生电路112、利用图像信号来显示代码的显示装置104。图2表示图1A所表示的存储栽体100的更具体结构的一个例子。 图2是表示本发明的存储载体的一个形式的方框图。在图2中，存储 载体100包括天线电路101、集成电路102、蓄电池103、显示装置 104。集成电路102包括电源电路105、解调电路106、调制电路107、控制电路108、存储器109、充电电路IIO、图像信号产生电路112、 转换器113。此外，显示装置104包括驱动电路114、像素部115。当信号从询问器120以无线方式发送来时，天线电路101接收该 信号而产生包含来自询问器120的指令的信号。解调电路106解调天 线电路IOI所产生的信号，并向后级的控制电路108输出。控制电路 108分析从解调电路106输入的信号，并且根据从询问器120发送来 的指令内容来读出存储器109所储存的数据。注意，控制电路108也 可以根据从解调电路106输入的信号进行运算处理。当进行上述运算 处理时，可以使用存储器109的区域的一部分或者另外设置的存储器 作为一次高速緩冲存储器或者二次高速緩冲存储器。在控制电路108中，包含从存储器109读出来的数据的输出用信 号被编码化且被发送到调制电路107。调制电路107根据该信号调制 天线电路IOI所接收的无线信号。被调制的无线信号被询问器120接 收。通过上述一系列工作，可以以无线方式将存储栽体100所具有的 存储器109中的数据发送到询问器120。因此，可以识别存储栽体100 的识别信息等数据。另一方面，电源电路105通过将天线电路IOI所接收的信号的电 压整流并平滑，来产生电源用电压。电源电路105所产生的电源用电 压被供给到控制电路108和充电电路110。注意，也可以在将由天线 电路101所接收的信号整流并平滑后，利用调整器(regulator)等恒 压电路使电压稳定化后供给到控制电路108和充电电路110作为电源 用电压。充电电路IIO调整来自电源电路105的电源用电压的大小， 并且利用该所调整的电压对蓄电池103进行充电。此外，电源电路105 所产生的电源用电压被供给到集成电路102中的解调电路106、调制 电路107、控制电路108、存储器109、图像信号产生电路112、转换 器113等各种电路、以及显示装置104。注意，也可以在集成电路102中设置用来控制电源电路105的充 电控制电路，以便防止对蓄电池103进行过度的充电。此外，电源电 路105可以由整流电路、平滑用电容器、调整器、开关电路等构成。通过将二极管使用于上述开关电路，即使不使用充电控制电路也可以抑制对蓄电池103进行过度的充电。此外，在本发明的存储载体100中，根据来自解调电路106的信 号，利用控制电路108读出存储器109所储存的数据，并且该数据被 发送到转换器113,转换器113根据由所规定的算法转换所输入的数 据，来产生用来显示代码的图像信号，并且将该图像信号输出于图像 信号产生电路112。该算法既可以由存储器109储存，又可以由另外 准备的存储器储存。转换器113通过利用控制电路108从存储器读出 来的算法，进行数据的转换。图像信号产生电路112对根据显示装置 104的规格而输入的图像信号施行信号处理，并且将该图像信号输入 于显示装置104。在显示装置104中，通过使驱动电路114根据所输入的图像信号 控制像素部115的动作，来使像素部115显示对应于存储器109所储 存的数据的代码。可以通过利用扫描器(scanner)等从像素部115 所显示的代码中光学地读取数据。注意，所显示的代码的种类可以是一维代码(条码)或二维代码， 只要可以光学地读出数据，就还可以使用具有上述以外的形式的代 码。此外，也可以通过设置用于转换数据的算法彼此不同的多个转换 器113，来切换显示于显示装置的代码的种类。注意，虽然在图2中说明使用蓄电池103的存储栽体的结构，但 是本发明不局限于该结构。也可以使用一次电池而代替蓄电池。图3 是表示使用一次电池的本发明的存储载体的一个形式的方框图。在图 3中也利用相同附图标记来表示在图2中已经表示的部分。图3所表示的存储载体100包括天线电路101、集成电路102、 一次电池lll、显示装置104。集成电路102包括解调电路106、调制 电路107、控制电路108、存储器109、图像信号产生电路112、转换 器113。此外，显示装置104包括驱动电路114、像素部115。在图3 所表示的存储载体IOO中，从一次电池lll将电源用电压供给到集成 电路102中的解调电路106、调制电路107、控制电路108、存储器109、图像信号产生电路112、转换器113等各种电路、以及显示装置 104。此外，在图2和图3所表示的本发明的存储载体100中，既可以 始终使显示装置104显示代码，又可以根据来自询问器120的指令切 换代码的显示/不显示。当存储器109是能够重写的类型时，也可以根 据重写的数据改变显示装置104所显示的代码。再者，在图2和图3所表示的本发明的存储载体100中，当在像 素部115中将具有存储器特性的显示元件使用于像素时，除了重写时 以外，几乎不消耗电力，而可以长期间维持代码的显示。因此，即使 产生如下问题，也只要使显示装置104至少一次显示代码后，就可以 利用扫描器等从所显示的代码中光学地读出数据存储器109损坏而 不能读出数据；不能将电源用电压供给到显示装置104;集成电路102 所具有的各种电路产生问题而在存储栽体100和询问器120之间不能 进行通讯；等等。通过调制用作载波的信号，来实现图2和图3所表示的存储栽体 100和询问器之间以无线方式进行的信号的发送/接收。根据规格有各 种各样的载波诸如125kHz、 13.56MHz、 950MHz、 2.45GHz等。此 外，根据规格有各种各样的调制方式诸如幅度调制、频率调制、相位 调制等，但是只要是适应规格的调制方式就可以使用任一种调制方 式。再者，根据载波的波长可以将询问器120和存储栽体100之间的 信号传输方式分类为各种种类诸如电磁耦合方式、电磁感应方式、微 波方式等。此外，在图2和图3所表示的存储载体100中，存储器109优选 为非易失性存储器。但是，只要可以通过始终将电源用电压供给到存 储器109来保存数据，就可以使用易失性存储器。例如可以使用 SRAM、 DRAM、快闪存储器、EEPROM、 FeRAM等作为存储器109。虽然在图2和图3中说明具有天线电路IOI的存储载体100的结 构，但是本发明的存储载体不一定要具有天线电路101。注意，虽然 设想天线电路101具有天线和与该天线并联的电容器，但是根据天线的种类不一定要在天线电路101中设置电容器。对天线的形状来说，只要是能够以无线方式接收信号的，就可以。例如，可以使用偶极天 线、平板天线、环形天线、八木天线等。根据载波的波长、传输方式 适当地选择天线的形状，即可。此外，虽然在图2和图3中说明仅仅具有一个天线电路101的存 储载体100的结构，但是本发明不局限于该结构。存储栽体100也可 以具有两个天线电路即用来接收电力的天线电路和用来接收信号的 天线电路。当存储栽体100仅仅具有一个天线电路时，例如在以 950MHz的电波进行电力的供给和信号的传输的情况下，有可能大电 力被传输到远方，从而妨碍其他无线设备的接收。因此，优选的是， 降低电波的频率且以近距离进行电力的供给，但是在此情况下通讯距 离必然变短。但是，当存储栽体100具有两个天线电路时，可以分別 使用用来供给电力的电波的频率和用来发送信号的电波的频率。例 如，当发送电力时，以电波的频率为13.56MHz并使用电磁感应方式； 并且当发送信号时，以电波的频率为950MHz并^f吏用电波方式。如此， 通过根据功能分别使用天线电路，可以以近距离进行电力的供给并且 以远距离进行信号的传输。此外，虽然在图2和图3中说明具有电池的有源型存储栽体的结 构，但是本发明不局限于该结构。本发明的存储栽体也可以是无源型 存储载体，其中没有电池而仅仅使用从询问器以无线方式发送来的电力进行工作。但是，当存储器109是易失性的时，更优选使用有源型 存储栽体，这是因为可以继续对存储器109供给电力的缘故。 实施方式2参照图1B说明本发明的存储载体的结构。图1B是粗略表示本 发明的存储栽体的一个形式的方框图。在图1B中，存储载体200包 括用来储存数据的存储器209、储存有通过根据算法转换存储器209 所储存的数据而得到的数据的图像信号用存储器216、根据从询问器 以无线方式发送来的信号而从图像信号用存储器216读出数据的控制 电路208、利用所读出的数据来产生图像信号的图像信号产生电路212、利用图像信号来显示代码的显示装置204。图4表示图IB所表示的存储栽体200的更具体结构的一个例子。 图4是表示本发明的存储载体的一个形式的方框图。在图4中，存储 载体200包括天线电路201、集成电路202、蓄电池203、显示装置 204。集成电路202包括电源电路205、解调电路206、调制电路207、 控制电路208、存储器209、充电电路210、图像信号产生电路212、 图像信号用存储器216。此外，显示装置204包括驱动电路214、像 素部215。当信号从询问器220以无线方式发送来时，与实施方式1同样， 天线电路201接收该信号而产生包含来自询问器220的指令的信号。 解调电路206解调天线电路201所产生的信号并向后级的控制电路 208输出。控制电路208分析从解调电路206输入的信号，并且根据 从询问器220发送来的指令内容来读出存储器209所储存的数据。注 意，控制电路208也可以根据从解调电路206输入的信号进行运算处 理。当进行上述运算处理时，可以使用存储器209的区域的一部分或 者另外设置的存储器作为一次高速緩沖存储器或者二次高速緩沖存 储器。在控制电路208中，包含从存储器209读出来的数据的输出用信 号被编码化且被发送到调制电路207。调制电路207根据该信号调制 由天线电路201所接收的无线信号。被调制的无线信号被询问器220 接收。通过上述一系列工作，可以以无线方式将存储载体200所具有 的存储器209中的数据发送到询问器220。据此，可以识别存储栽体 200的识别信息等数据。另一方面，电源电路205通过将由天线电路201所接收的信号的 电压整流并平滑，来产生电源用电压。电源电路205所产生的电源用 电压被供给到控制电路208和充电电路210。注意，也可以在将由天 线电路201所接收的信号整流并平滑后，利用调整器(regulator)等 恒压电路使电压稳定化然后供给到控制电路208和充电电路210作为 电源用电压。充电电路210调整来自电源电路205的电源用电压的大小，并且利用该调整后的电压对蓄电池203进行充电。此外，电源电 路205所产生的电源用电压被供给到集成电路202中的解调电路206 、 调制电路207、控制电路208、存储器209、图像信号产生电路212、 图像信号用存储器216等各种电路、以及显示装置204。注意，也可以在集成电路202中设置用来控制电源电路205的充 电控制电路，以便防止对蓄电池203进行过度充电。此外，电源电路 205可以由整流电路、平滑用电容器、调整器、开关电路等构成。通 过将二极管使用于上述开关电路，即使不使用充电控制电路也可以抑 制对蓄电池203进行过分充电。此外，在本发明的存储载体200中，图像信号用存储器216储存 有通过根据所规定的算法来转换存储器209所储存的数据而得到的图 像信号的数据。根据来自询问器220的指令由控制电路208读出图像 信号用存储器216所储存的该数据，并且该数据作为图像信号被输出 到图像信号产生电路212。图像信号产生电路212对根据显示装置204 的规格而输入的图像信号施行信号处理，并且将该图像信号输入于显 示装置204。在显示装置204中，通过使驱动电路214根据所输入的图像信号 来控制像素部215的动作，来使像素部215显示对应于存储器209所 储存的数据的代码。可以通过利用扫描器(scanner)等从像素部215 所显示的代码中光学地读取数据。注意，所显示的代码的种类可以是一维代码(条码)或二维代码， 只要可以光学地读出数据，就还可以使用具有上述以外的形式的代 码。此外，也可以通过使图像信号用存储器216储存用于转换数据的 算法彼此不同的多个图像信号的数据，来切换显示于显示装置的代码 的种类。在此情况下，既可以使一个图像信号用存储器216中的不同 区域储存上述多个数据，又可以利用多个图像信号用存储器216来储 存上述多个数据。此外，虽然在图4中说明具有存储器209和图像信号用存储器 216的存储载体200的结构，但是本发明不局限于该结构。也可以使存储器209储存图像信号用存储器216应该储存的数据而不设置图像 信号用存储器216。注意，虽然在图4中说明使用蓄电池203的存储栽体的结构，但 是本发明不局限于该结构。也可以使用一次电池而代替蓄电池。图5 是表示使用 一次电池的本发明的存储载体的一个形式的方框图。在图 5中也利用相同附图标记来表示在图4中已经表示的部分。图5所表示的存储栽体200包括天线电路201、集成电路202、 一次电池211、显示装置204。集成电路202包括解调电路206、调制 电路207、控制电路208、存储器209、图像信号产生电路212、图像 信号用存储器216。此外，显示装置204包括驱动电路214、像素部 215。在图5所表示的存储栽体200中，从一次电池211将电源用电 压供给到集成电路202中的解调电路206、调制电路207、控制电路 208、存储器209、图像信号产生电路212、图像信号用存储器216等 各种电路、以及显示装置204。此外，在图4和图5所表示的本发明的存储栽体200中，既可以 始终使显示装置204显示代码，又可以根据来自询问器220的指令切 换代码的显示/不显示。并且，当存储器209以及图4象信号用存储器 216是能够重写的类型时，也可以根据重写的数据改变显示装置204 所显示的代码。再者，在图4和图5所表示的本发明的存储栽体200中，当在像 素部215中将具有存储器特性的显示元件使用于像素时，除了重写时 以外，几乎不消耗电力，而可以长期间维持代码的显示。因此，即使 产生如下问题，也只要使显示装置204至少一次显示代码后，就可以 利用扫描器等从所显示的代码中光学地读出数据存储器209或者图 像信号用存储器216损坏而不能读出数据；不能将电源用电压供给到 显示装置204;集成电路202所具有的各种电路产生问题而在存储载 体200和询问器220之间不能进行通讯；等等。通过调制作为载波的信号，来实现图4和图5所表示的存储载体 200和询问器之间以无线方式进行的信号的发送/接收。根据规格有各种各样的栽波诸如125kHz、 13.56MHz、 950MHz、 2.45GHz等。此外，根据规格有各种各样的调制方式诸如幅度调制、频率调制、相位 调制等，但是只要是适应规格的调制方式就可以使用任一种调制方 式。此外，根据载波的波长可以将询问器220和存储栽体200之间的 信号传输方式分类为各种种类诸如电磁耦合方式、电磁感应方式、微 波方式等。此外，在图4和图5所表示的存储载体200中，存储器209或者 图像信号用存储器216优选为非易失性存储器。但是，只要可以通过 经常将电源用电压供给到存储器209或者图像信号用存储器216来保 存数据，就可以使用易失性存储器。例如可以使用SRAM、 DRAM、 快闪存储器、EEPROM、 FeRAM等作为存储器209或者图像信号用 存储器216。虽然在图4和图5中说明具有天线电路201的存储栽体200的结 构，但是本发明的存储载体不一定要具有天线电路201。注意，虽然 设想天线电路201具有天线和与该天线并联的电容器，但是根据天线 的种类不一定要在天线电路201中设置电容器。对天线的形状来说， 只要是能够以无线方式接收信号的，就可以。例如，可以使用偶极天 线、平板天线、环形天线、八木天线等。根据栽波的波长、传输方式 适当地选择天线的形状即可。此外，虽然在图4和图5中说明仅仅具有一个天线电路201的存 储载体200的结构，但是本发明不局限于该结构。存储载体200也可 以具有两个天线电路即用来接收电力的天线电路和用来接收信号的 天线电路。当存储载体200仅仅具有一个天线电路时，例如在以 950MHz的电波进行电力的供给和信号的传输的情况下，有可能大电 力被传输到远方，从而妨碍其他无线设备的接收。因此，优选的是， 降低电波的频率且以近距离进行电力的供给，但是在此情况下通讯距 离必然变短。但是，当存储载体200具有两个天线电路时，可以分别 使用用来供给电力的电波的频率和用来发送信号的电波的频率。例 如，当发送电力时，以电波的频率为13.56MHz并使用电磁感应方式；并且当发送信号时，以电波的频率为950MHz并使用电波方式。如此， 通过根据功能分别使用天线电路，可以以近距离进行电力的供给并且 以远距离进行信号的传输。此外，虽然在图4和图5中说明具有电池的有源型存储载体的结 构，但是本发明不局限于该结构。本发明的存储栽体也可以是无源型 存储载体，其中没有电池且仅仅使用从询问器以无线方式发送来的电力进行工作。但是，当存储器209是易失性的时，更优选使用有源型 存储载体，这是因为可以持续对存储器209供给电力的缘故。 可以将本实施方式与上述实施方式组合而实施。实施方式3参照图6说明本发明的存储栽体的结构。图6是表示本发明的存 储栽体的一个形式的方框图。在图6中，存储栽体300包括天线电路 301、集成电路302、蓄电池303、显示装置304、端子317。集成电 路302包括电源电路305、解调电路306、调制电路307、控制电路 308、存储器309、充电电路310、图像信号产生电路312、转换器313、 接口 318。此外，显示装置304包括驱动电路314、 # 素部315。当信号从询问器以无线方式发送来时，与实施方式l同样，天线 电路301接收该信号而产生包含来自询问器的指令的信号 解调电路 306解调天线电路301所产生的信号并向后级的控制电路308输出。 控制电路308分析从解调电路306输入的信号，并且根据从询问器发 送来的指令内容来读出存储器309所储存的数据。注意，控制电路308 也可以根据从解调电路306输入的信号进行运算处理。当进行上述运 算处理时，可以使用存储器309的区域的一部分或者另外设置的存储 器作为一次高速緩沖存储器或者二次高速緩冲存储器。在控制电路308中包含从存储器309读出来的数据的输出用信号 被编码化且被发送到调制电路307。调制电路307根据该信号来调制 天线电路301所接收的无线信号。被调制的无线信号被询问器接收。 通过上述一系列动作，可以以无线方式将存储器309中的数据从存储 载体300发送到询问器。因此，可以识别存储栽体300的识别信息等数据。此外，也可以利用端子317将本实施方式的存储载体300直接连 接到询问器。当从端子317输入信号时，在接口 318中对该信号施行 诸如电压幅度的调整、波形的整形等信号处理并输入到集成电路302 中的各种电路以及显示装置304等。此外，也可以从集成电路302经 过接口 318以及端子317将输出用信号发送到询问器。通过设置端子 317和接口 318，即使在不能以无线方式进行信号的发送/接收的情况 下，也可以进行与询问器之间的通讯。另一方面，电源电路305通过将由天线电路301所接收的信号的 电压整流并平滑，来产生电源用电压。电源电路305所产生的电源用 电压被供给到控制电路308和充电电路310。注意，也可以在将天线 电路301所接收的信号整流并平滑后，利用调整器(regulator)等恒 压电路使电压稳定化然后供给到控制电路308和充电电路310作为电 源用电压。充电电路310调整来自电源电路305的电源用电压的大小， 并且利用该所调整的电压对蓄电池303进行充电。此外，电源电路305 所产生的电源用电压被供给到集成电路302中的解调电路306、调制 电路307、控制电路308、存储器309、图像信号产生电路312、转换 器313、接口318等各种电路、以及显示装置304。注意，也可以在集成电路302中设置用来控制电源电路305的充 电控制电路，以便防止对蓄电池303进行过度充电。此外，电源电路 305可以由整流电路、平滑用电容器、调整器、开关电路等构成。通 过将二极管使用于上述开关电路，即使不使用充电控制电路也可以抑 制对蓄电池303进行过度充电。注意，在本实施方式中，可以经过端子317以及接口 318将电源 用电压直接供给到电源电路305和显示装置304。因此，即使在不能 以无线方式供给电力的情况下，也可以进行对存储栽体300的电力供 给。此外，在本发明的存储栽体300中，根据来自解调电路306的信 号，利用控制电路308读出存储器309所储存的数据并且发送到转换器313。转换器313通过根据规定的算法转换所输入的数据，来产生 用来显示代码的图像信号，并且将该图像信号输出于图像信号产生电 路312。该算法既可以由存储器309储存，又可以由另外准备的存储 器储存。转换器313利用由控制电路308从存储器309读出来的算法， 进行数据的转换。此外，也可以将算法从端子317输入到存储栽体300。 图像信号产生电路312对根据显示装置304的规格而输入的图像信号 施行信号处理，并且将该图像信号输入于显示装置304。在显示装置304中，通过使驱动电路314根据所输入的图4象信号 来控制像素部315的动作，来使像素部315显示对应于存储器309所 储存的数据的代码。可以通过利用扫描器(scanner)等从像素部315 所显示的代码中光学地读取数据。注意，所显示的代码的种类可以是一维代码(条码)或二维代码， 只要可以光学地读出数据，就还可以使用具有上述以外的形式的代 码。此外，也可以通过设置用于转换数据的算法彼此不同的多个转换 器313，来改换显示于显示装置304的代码的种类。注意，虽然在图6中说明使用蓄电池303的存储栽体的结构，但 是本发明不局限于该结构。也可以使用一次电池而代替蓄电池303。 图7是表示使用一次电池的本发明的存储栽体的一个形式的方框图。 在图7中也利用相同附图标记来表示在图6中已经表示的部分。图7所表示的存储载体300包括天线电路301、集成电路302、 一次电池311、显示装置304以及端子317。集成电路302包括解调 电路306、调制电路307、控制电路308、存储器309、图像信号产生 电路312、转换器313、接口318。此外，显示装置304包括驱动电路 314、像素部315。在图7所表示的存储载体300中，从一次电池311 将电源用电压供给到集成电路302中的解调电路306、调制电路307、 控制电路308、存储器309、图像信号产生电路312、转换器313、接 口318等各种电路、以及显示装置304。此外，在图6和图7所表示的本发明的存储载体300中，既可以 始终使显示装置304显示代码，又可以根据来自询问器的指令切换代码的显示/不显示。并且，当存储器309是能够重写的类型时，也可以 根据重写的数据改变显示装置304所显示的代码。再者，在图6和图7所表示的本发明的存储载体300中，当在像 素部315中将具有存储器特性的显示元件使用于像素时，除了重写时 以外，几乎不消耗电力，而可以长期间维持代码的显示。因此，即使 产生如下问题，也只要使显示装置304至少一次显示代码后，就可以 利用扫描器等从所显示的代码中光学性地读出数据存储器309损坏 而不能读出数据；不能将电源用电压供给到显示装置304;集成电路 302所具有的各种电路产生问题而在存储栽体300和询问器之间不能 进行通讯；等等。通过调制用作载波的信号，来实现图6和图7所表示的存储栽体 300和询问器之间以无线方式进行的信号的发送/接收。根据规格有各 种各样的栽波诸如125kHz、 13.56MHz、 950MHz、 2.45GHz等。此 外，根据规格有各种各样的调制方式诸如幅度调制、频率调制、相位 调制等，但是只要是适应规格的调制方式就可以使用哪一种调制方 式。此外，根据栽波的波长可以将询问器和存储载体300之间的信号 传输方式分类为各种种类诸如电磁耦合方式、电磁感应方式、微波方 式等。此外，在图6和图7所表示的存储载体300中，存储器309优选 为非易失性存储器。但是，只要可以通过始终将电源用电压供给到存 储器309来保存数据，就可以使用易失性存储器。例如可以使用 SRAM、 DRAM、快闪存储器、EEPROM、 FeRAM等作为存储器309。虽然在图6和图7中说明具有天线电路301的存储载体300的结 构，但是本发明的存储载体不一定要具有天线电路301。注意，虽然 设想天线电路301具有天线和与该天线并联的电容器，但是根据天线 的种类不一定要在天线电路301中设置电容器。对天线的形状来说， 只要是能够以无线方式接收信号的，就可以。例如，可以使用偶极天 线、平板天线、环形天线、八木天线等。根据载波的波长、传输方式 适当地选择天线的形状，即可。此外，虽然在图6和图7中说明仅仅具有一个天线电路301的存 储载体300的结构，但是本发明不局限于该结构。存储载体300也可 以具有两个天线电路即用来接收电力的天线电路和用来接收信号的 天线电路。当存储载体300仅仅具有一个天线电路时，例如在以 950MHz的电波进行电力的供给和信号的传输的情况下，有可能大电 力被传输到远方，从而妨碍其他无线设备的接收。因此，优选的是， 降低电波的频率且以近距离进行电力的供给，但是在此情况下通讯距 离必然变短。但是，当存储载体300具有两个天线电路时，可以分别 使用用来供给电力的电波的频率和用来发送信号的电波的频率。例 如，当发送电力时，以电波的频率为13.56MHz并使用电磁感应方式； 并且当发送信号时，以电波的频率为950MHz并使用电波方式。如此， 通过根据功能分别使用天线电路，可以以近距离进行电力的供给并且 以远距离进行信号的传输。此外，虽然在图6和图7中说明具有电池的有源型存储载体的结 构，但是本发明不局限于该结构。本发明的存储载体也可以是无源型 存储栽体，其中没有电池且仅仅使用从询问器以无线方式发送来的电力进行工作。但是，当存储器309是易失性的时，更优选使用有源型 存储栽体，这是因为可以继续对存储器309供给电力的缘故。本实施方式可以与上述的实施方式组合实施。实施例1在本实施例中说明本发明的存储载体的外观以及其内部的具体结构。图8A表示本发明的存储载体的立体图作为一个例子。图8A所 表示的存储载体包括天线电路401、集成电路402、显示装置403。图 8A表示显示装置403的像素部显示一维代码404的例子。此外，图8B表示在图8A所表示的存储栽体中从衬底405卸下 覆盖材料406的情况。在衬底405上设置有天线电路401以及集成电 路402，并且天线电路401以及集成电路402夹在衬底405和覆盖材 料406之间。此外，将显示装置403与天线电路401以及集成电路402一起设置在衬底405上。在存储载体中，既可以在衬底405上形成有天线电路401和集成 电路402,又可以将另外准备的天线电路401与形成在衬底405上的 集成电路402连接。此外，可以将显示装置403与集成电路402 —起 形成在衬底405上。注意，在图8A和8B所示的存储栽体中，覆盖材料406在与显 示装置403重叠的区域中具有开口部407。通过使显示装置403在开 口部407中露出，可以利用扫描器读取显示装置403所显示的代码。 注意，覆盖材料406并不一定需要具有开口部407。例如，当覆盖材 料406在至少与显示装置403重叠的区域中具有透光性时，即使整个 显示装置403被覆盖材料406覆盖，也可以利用扫描器读取显示装置 403所显示的代码。注意，天线电路401所具有的天线的形状不局限于本实施例所示 的偶极天线。对天线的形状来说，只要是能够以无线方式接收信号的， 就可以。例如，除了偶极天线以外，还可以使用平板天线、环形天线、 八木天线等。根据载波的波长、传输方式适当地选择天线的形状，即 可。可以将本实施例与上述实施方式组合而实施。 实施例2在本实施例中，举出一个例子而说明本发明的存储栽体所具有的 无源矩阵型显示装置的更具体结构。图9A表示本发明的存储栽体所具有的显示装置的像素部500、 第一电极驱动电路501、第二电极驱动电路502的俯视图。在图9A 中，在像素部500的周边设置有第一电极驱动电路501、第二电极驱 动电路502。像素部500具有多个像素503，并且各个像素503设置 有显示元件。此外，图9B表示各像素503所设置的显示元件的截面 图。显示元件507包括由第一电极驱动电路501供给图像信号的电 压的第一电极504;由第二电极驱动电路502选择的第二电极505;由第一电极504以及第二电极505施加电压的显示材料506。注意，在本实施例中示出在第一电极504以及笫二电极505之间 具有显示材料506的显示元件507的结构，但是本发明不局限于该结 构。也可以采用在将绝缘膜夹在中间的第一电极和第二电极上具有显 示材料的显示元件。但是，在此情况下，按第二电极、绝缘膜、第一 电极、反射光的绝缘膜、显示材料的顺序进行层叠。并且，以形成显 示材料仅仅与第一电极和第二电极中的第二电极重叠的区域和显示 材料与第一电极和第二电极双方重叠的区域的方式部分地形成第一 电极，并且使用在溶剂中分散有带电的微粒子的显示材料。此外，在图9B中，使用溶剂508、分散在溶剂508中的扭转球 509作为显示材料506。通过根据施加到第一电极的图像信号的电压 使具有分别带着不同电荷的两种颜色的半球的扭转球509在溶剂508 中旋转，可以显示两值灰度。注意，在本实施例中可以使用的显示材 料不局限于此。注意，在本实施例中举出使用具有存储器特性的显示材料的显示 元件作为例子来进行说明，但是本发明所使用的显示元件不局限于该 结构。本发明的存储栽体也可以使用以有机发光元件(OLED)为典 型的发光元件、以及液晶元件等。可以将本实施例与上述实施方式或者上述实施例组合而实施。实施例3在本实施例中，举出一个例子来说明本发明的存储栽体所具有的 有源矩阵型显示装置的更具体结构。图IOA表示本发明的存储载体所具有的显示装置的像素部600、 信号线驱动电路601、扫描线驱动电路602的俯视图。在图10A中， 在像素部600的周边设置有信号线驱动电路601、扫描线驱动电路 602。像素部600具有多个像素603。像素603包括晶体管610、显示元件607、保持电容器611。图 IOB表示各像素603所设置的显示元件607的截面图。显示元件607 包括第一电极604、第二电极605、由第一电极604以及第二电极605施加电压的显示材料606。晶体管610的栅电极与由扫描线驱动电路 602选择的扫描线612连接。此外，晶体管610的源区和漏区中的一 个与由信号线驱动电路601供给图像信号的电压的信号线613直接连 接或者电连接，晶体管610的源区和漏区中的另一个与显示元件607 的第 一 电极604直接连接或者电连接。注意，在图10A中，为了保持施加到显示元件607的第一电极 604和第二电极605之间的电压，使保持电容器611与显示元件607 并联连接，但是当显示材料606的存储器特性高到足以维持显示时， 并不一定要设置保持电容器611。注意，在实施例中示出在第一电极604以及第二电极605之间具 有显示材料606的显示元件607的结构，但是本发明不局限于该结构。 也可以采用在将绝缘膜夹在中间的第一电极和第二电极上具有显示 材料的显示元件。但是，在此情况下，按第二电极、绝缘膜、第一电 极、反射光的绝缘膜、显示材料的顺序进行层叠。并且，以形成显示 材料仅仅与第一电极和第二电极中的第二电极重叠的区域和显示材 料与第一电极和第二电极双方重叠的区域的方式部分地形成第一电 极，并且使用在溶剂中分散有带电的微粒子的显示材料。此外，在图10B中，使用溶剂608、分散在溶剂608中的扭转球 609作为显示材料606。通过根据施加到第一电极604的图像信号的608中旋转，可以显示两值灰度。注意，在本实施例中可以使用的显 示材料不局限于此。此外，晶体管610的形状不局限于图10B所示的形式。例如， 也可以使用将栅电极设置在衬底和有源层之间的底栅型晶体管作为 晶体管610。注意，在本实施例中说明在各像素中设置一个晶体管用作开关元 件的有源矩阵型像素部的结构，但是本发明不局限于该结构。设置在 像素中的晶体管的数目可以为多个，或者除了晶体管以外还可以电连 接电容器、电阻、线围等元件。注意，在本实施例中举出使用具有存储器特性的显示材料的显示 元件作为例子来进行说明，但是本发明所使用的显示元件不局限于该结构。本发明的存储载体也可以使用以有机发光元件(OLED)为典 型的发光元件、以及液晶元件等。可以将本实施例与上述实施方式或者上述实施例组合而实施。实施例4在本实施例中，将说明像素部所显示的符号的种类和像素部的结构。图IIA表示显示一维代码的像素部1801的情况。 一维代码包括 用来显示信息的符号1802、设置在符号1802的左右的空白区1803。 虽然根据一维代码所具有的信息或者一维代码的规格而不同，但是符 号1802基本上具有多个条和空依次排列的结构。此外，如图11A所 示，也可以在条和空排列的区域下显示数字。空白区1803是为了读取一维代码而设置的空白区域。根据规格 而不同，但是，优选的是，以符号1802所具有的条中的最细条的宽 度的十倍以上的宽度将空白区1803分别设置在符号1802的左右。在 像素部1801所显示的一维代码的空白区1803的宽度被固定的情况 下，也可以预先在像素部1801中的用作空白区1803的区域中不配置 像素。图IIB表示在显示空白区1803的宽度预先被固定的一维代码的 情况下的像素部1801中的像素被配置的区域(像素配置区域)1804。 可以使像素配置区域1804显示符号1802。并且，像素配置区域1804 ^L配置在一对空白区1803之间。注意，在图11B中示出在用作空白区1803的区域中不配置像素 而仅仅在显示符号1802的区域中配置像素的例子，但是本发明不局 限于该结构。也可以在用作空白区1803的区域中也配置像素，并且 利用图像信号形成用作空白区1803的区域。下面，图12A表示显示二维代码的像素部901的情况。二维代 码包括用来显示信息的符号902、设置在符号902的上下左右的空白区卯3。虽然根据二维代码所具有的信息或者二维代码的规格而不同， 但是符号902基本上具有配置有多个单元(cell)和空的结构。此外， 如图12A所示，也可以在符号902中显示图案(cut-out)符号905， 以便实现如下情况无论符号902的配置方向如何，也可以读出数据。空白区903是为了读取二维代码而设置的空白区域。根据规格而 不同，但是，优选的是，以符号902所具有的单元的宽度的四倍以上 的宽度将空白区903分别设置在符号902的上下左右。在像素部901 所显示的二维代码的空白区卯3的宽度被固定的情况下，也可以预先 在像素部901中的用作空白区903的区域中不配置像素。图12B表示在显示空白区903的宽度预先被固定的二维代码的 情况下的像素部901中的像素被配置的区域(像素配置区域)904。 可以使像素配置区域904显示符号902。并且，像素配置区域904的 上下左右被空白区903围绕。注意，在图12B中示出在用作空白区903的区域中不配置像素 而仅仅在显示符号902的区域中配置像素的例子，但是本发明不局限 于该结构。也可以在用作空白区903的区域中也配置像素，并且利用 图像信号形成用作空白区903的区域。可以将本实施例与上述实施方式或者上述实施例组合而实施。实施例5接着，详细说明本发明的存储栽体的制造方法。注意，虽然在本 实施例中示出以薄膜晶体管(TFT)作为半导体元件的一例，但用于 本发明的存储栽体的半导体元件不局限于此。例如，除了TFT以外， 还可以使用存储元件、二极管、电阻、电容器、电感器等。首先，如图13A所示，在具有耐热性的衬底700上按顺序形成 绝缘膜701、剥离层702、绝缘膜703、以及半导体膜704。绝缘膜701、 剥离层702、绝缘膜703、以及半导体膜704可以连续地形成。作为衬底700,例如可以使用如钡硼硅酸盐玻璃或硼硅酸铝玻璃 等玻璃衬底、石英衬底、陶瓷衬底等。此外，也可以使用包括不锈钢 衬底的金属衬底、或者如硅衬底等半导体衬底。虽然由具有挠性的合的耐热温度通常低于上述衬底，但只要能 够耐受制造工序中的处理温度，就可以使用。作为塑料衬底，可以举出以聚对苯二曱酸乙二醇酯(PET)为典 型的聚酯、聚醚砜(PES)、聚萘二曱酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸 酯(PC)、尼龙、聚醚醚酮(PEEK)、聚砜(PSF)、聚醚酰亚胺 (PEI)、聚芳酯(PAR)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、聚酰 亚胺、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯树脂、聚氯乙烯、聚丙烯、聚乙酸乙烯、 丙烯酸树脂等。注意，虽然在本实施例中在衬底700的整个表面上设置剥离层 702，但是本发明不局限于该结构。例如，也可以使用光刻法等在衬 底700上部分地形成剥离层702。绝缘膜701和绝缘膜703通过使用CVD法或溅射法等并且使用 氧化硅、氮化硅(SiNx、 SbN4等)、氧氮化硅(SiOxNy) (x>y>0)、 氮氧化硅(SiNxOy) (x>y>0)等的具有绝缘性的材料形成。设置绝缘膜701和绝缘膜703，以便防止包含在衬底700中的 Na等的碱金属或碱土金属在半导体膜704中扩散而对TFT等半导体 元件的特性造成不良影响。另外，绝缘膜703还具有如下作用防止 包含在剥离层702中的杂质元素在半导体膜704中扩散，并且在之后的剥离半导体元件的工序中保护半导体元件。绝缘膜701、绝缘膜703可以是使用一个绝缘膜而成的，也可以 是层叠多个绝缘膜而成的。在本实施例中，按顺序层叠100nm厚的氧 氮化硅膜、50nm厚的氮氧化硅膜、100nm厚的氧氮化硅膜来形成绝 缘膜703，但各个膜的材质、膜厚度、层叠数目不局限于此。例如， 也可以通过旋转涂敷法、狭缝式涂布法(slit coating method )、液滴 喷射法、印刷法等形成0.5nm至3jim厚的硅氧烷系树脂来代替下层的氧氮化硅膜。另外，也可以使用氮化硅膜(SiNx、 Si3N4等)来代替中层的氮氧化硅膜。另外，也可以使用氧化硅膜来代替上层的氧氮化 硅膜。另外，它们的膜厚度分别优选为0.05fun至3pm，从该范围内 可以任意选择。或者，也可以使用氧氮化硅膜或氧化硅膜形成与剥离层702最接 近的绝缘膜703的下层，使用硅氧烷系树脂形成中层，并且使用氧化 硅膜形成上层。注意，硅氧烷树脂相当于以硅氧烷系材料为起始材料而形成的包 含Si-O-Si鍵的树脂。硅氧烷系树脂除了氢以外，还可以具有氟、烷 基或芳烃中的至少一种作为取代基。氧化硅膜可以使用硅烷和氧、TEOS (四乙氧基硅烷)和氧等的 混合气体并且通过热CVD、等离子体CVD、常压CVD、偏置ECRCVD 等方法来形成。另外，氮化硅膜可以典型地使用硅烷和氨的混合气体 并且通过等离子体CVD来形成。另外，氧氮化硅膜、氮氧化硅膜可 以典型地使用硅烷和一氧化二氮的混合气体并且通过等离子体CVD 来形成。剥离层702可以使用金属膜、金属氧化膜、以及层叠金属膜和金 属氧化膜而形成的膜。金属膜和金属氧化膜可以是单层，也可以是层 叠有多个层的层叠结构。另外，除了金属膜或金属氧化膜以外，还可 以使用金属氮化物或金属氧氮化物。剥离层702可以通过溅射法或等 离子体CVD法等的各种CVD法等来形成。作为用于剥离层702的金属，可以举出钨(W)、钼(Mo)、 钛(Ti)、钽(Ta)、铌(Nb)、镍(Ni)、钴(Co )、锆(Zr)、 锌(Zn)、钉(Ru)、铑(Rh)、铊(Pd)、锇(Os)或铱(Ir) 等。剥离层702除了由上述金属形成的膜以外，还可以使用由以上述 金属为主要成分的合金形成的膜、或使用包含上述金属的化合物来形 成的膜。另外，剥离层702既可以使用由硅(Si)单体形成的膜，又可以 使用由以硅(Si)为主要成分的化合物形成的膜。或者，也可以使用 由包含硅(Si)和上述金属的合金形成的膜。包含硅的膜可以具有非 晶、微晶、多晶结构中的任一种结构。剥离层702可以使用单层的上述膜，也可以使用上述多个膜的层 叠。层叠了金属膜和金属氧化膜的剥离层702可以通过在形成成为基本的金属膜之后使该金属膜的表面氧化或氮化来形成。具体而言，在 氧气气氛中或一氧化二氮气气氛中对成为基础的金属膜进行等离子 体处理，或者在氧气气氛中或一氧化二氮气气氛中对金属膜进行加热 处理即可。另外，也可以通过在成为基础的金属膜上接触地形成氧化 硅膜或氧氮化硅膜来进行金属膜的氧化。另外，可以通过在成为基本 的金属膜上接触地形成氮氧化硅膜或氮化硅膜来进行氮化。作为进行金属膜的氧化或氮化的等离子体处理，可以进行如下高密度等离子体处理等离子体密度为lxl()Uciir3以上、优选为 lxl0"cm-3至9xl015cm-3以下，并且使用微波(例如，频率为2.45GHz) 等的高频。注意，可以通过使成为基础的金属膜的表面氧化来形成层叠有金 属膜和金属氧化膜的剥离层702，但是也可以在形成金属膜之后另行 形成金属氧化膜。例如，在使用钨作为金属的情况下，在通过溅射法 或CVD法等形成鵠膜作为成为基础的金属膜之后，对该钨膜进行等 离子体处理。通过该工序，可以形成相当于金属膜的钨膜、以及与该 金属膜接触且由钨的氧化物形成的金属氧化膜。另外，钨的氧化物由WOx表示。X在2以上3以下的范围内， 有如下情况X为2 (W02) 、 X为2.5 (W205) 、 X为2.75 (W4Ou )、 以及X为3(W03)。当形成钨的氧化物时，对X值没有特别的限制， 而根据蚀刻速度等来设定X值即可。半导体膜704优选在形成绝缘膜703之后，以不暴露于大气的方 式形成。半导体膜704的厚度为20nm至200nm (优选为40nm至 170nm、更优选为50nm至150nm )。注意，半导体膜704既可以是 非晶半导体，又可以是多晶半导体。此外，作为半导体，除了硅以外， 还可以使用硅锗。在使用硅锗的情况下，锗的浓度优选为0.01atomic% 至4.5atomic。/n左右。另外，半导体膜704也可以通过众所周知的技术来晶化。作为众 所周知的晶化方法，有利用激光束的激光晶化法、使用催化元素的晶 化法。或者，也可以采用组合了使用催化元素的晶化法和激光晶化法的方法。另外，在使用石英等具有优越的耐热性的衬底作为衬底700 的情况下，也可以采用组合至少两个以上的如下晶化法而成的晶化 法使用电热炉的热晶化法、利用红外光的灯退火晶化法、使用催化 元素的晶化法、使用950。C左右的高温退火的晶化法。例如，在采用激光晶化法的情况下，在进行激光晶化之前对该半 导体膜704以550'C进行4个小时的加热处理，以便提高半导体膜704 对激光的耐性。通过使用能够连续振荡的固体激光器照射基波的二次 至四次谐波的激光束，可以获得大粒径的结晶。例如，典型地，最好 使用Nd:YV04激光器(基波1064nm )的二次谐波(532nm )或三 次谐波(355nm)。具体而言，由连续振荡型YV04激光器发射的激 光束由非线性光学元件转换为高次谐波以获得输出功率为10W的激 光束。优选地，通过使用光学系统使其照射表面成为矩形或椭圃形地 成形激光束，并且将它照射到半导体膜704。在这种情况下，需要 0.01MW/cm2至100MW/cm2左右(优选为0.1MW/cm2至10MW/cm2) 的功率密度。将扫描速度设定为10cm/sec至2000cm/sec左右来照射。作为连续振荡的气体激光器，可以使用Ar激光器、Kr激光器 等。另夕卜，作为连续振荡的固体激光器，可以使用YAG激光器、YV04 激光器、YLF激光器、YA103激光器、镁橄榄石(Mg2Si04)激光器、 GdV04激光器、Y203激光器、玻璃激光器、红宝石激光器、变石激 光器、Ti:蓝宝石激光器等。另外，作为脉冲振荡的激光器，例如可以使用Ar激光器、Kr 激光器、受激准分子激光器、C02激光器、YAG激光器、Y203激光 器、YV04激光器、YLF激光器、YAK)3激光器、玻璃激光器、红宝 石激光器、变石激光器、Ti:蓝宝石激光器、铜蒸汽激光器、或者金蒸 汽激光器。另外，也可以通过使脉冲振荡的激光束的振荡频率为10MHz以 上并且使用比通常使用的几十Hz至几百Hz的频带高得多的频带， 来进行激光晶化。 一般认为从以脉冲振荡方式将激光束照射到半导 体膜704而使半导体膜704熔化到半导体膜704完全固化的时间是几十nsec至几百nsec。因此，通过使用上述频带，可以在半导体膜704 因为激光束而熔融到固化的期间照射下一个脉冲激光束。因此，由于 可以在半导体膜704中连续移动固液界面，所以形成具有向扫描方向 连续生长的晶粒的半导体膜704。具体而言，可以形成晶粒的集合， 其中所包含的晶粒在扫描方向上的宽度为10nm至30nm并且其在垂 直于扫描方向的方向上的宽度为ljim至5fim左右。通过形成沿着该 扫描方向连续生长的单晶晶粒，可以形成至少在TFT的沟道方向上 几乎不存在晶界的半导体膜704。另外，激光晶化既可以并行照射连续振荡的基波的激光束和连续 振荡的谐波的激光束，又可以并行照射连续振荡的基波的激光束和脉 冲振荡的谐波的激光束。另外，也可以在稀有气体、氮等惰性气体气氛中照射激光束。以 这种方式，可以抑制由于激光束照射而导致的半导体表面的粗糙度， 并且可以抑制由于界面态密度的不均匀性而产生的阈值的不均匀性。通过上述的激光束照射来形成进一步提高结晶性的半导体膜 704。注意，也可以使用通过溅射法、等离子体CVD法、热CVD法 等预先形成的多晶半导体作为半导体膜704。另外，虽然在本实施例中使半导体膜704晶化，但也可以不使它 晶化而以非晶半导体膜或微晶半导体膜的状态来进入后续的步骤。因 为使用非晶半导体、微晶半导体的TFT的制造工序少于使用多晶半 导体的TFT的制造工序，所以其具有可以抑制成本而提高成品率的 优点。可以对包含硅的气体进行辉光放电分解来获得非晶半导体。作为 包含硅的气体，可以举出SiH4、 Si2H6。也可以使用氢、或氢及氦稀 释该包含硅的气体来使用。接着，对半导体膜704进行以低浓度添加赋予p型的杂质元素或 赋予n型的杂质元素的沟道掺杂。既可以对半导体膜704整体进行沟 道摻杂，又可以对半导体膜704的一部分选择性地进行沟道掺杂。作 为赋予p型的杂质元素，可以使用硼(B)、铝(Al)、镓(Ga)等。作为赋予n型的杂质元素，可以使用礴(P)、砷(As)等。在此， 使用硼(B)作为杂质元素，以lxl0"至5xl0"/cn^的浓度添加硼。接着，如图13B所示，将半导体膜704加工(构图)成预定的 形状，以形成岛状半导体膜705至708。另外，覆盖岛状半导体膜705 至708地形成栅绝缘膜709 。栅绝缘膜709可以通过使用等离子体CVD 法或濺射法等以单层或叠层形成包含氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或氧 氮化硅的膜来形成。在层叠它们的情况下，例如，优选采用从衬底700 一侧层叠氧化硅膜、氮化硅膜、氧化硅膜的三层结构。栅绝缘膜709也可以通过进行高密度等离子体处理使岛状半导 体膜705至708的表面氧化或氮化来形成。高密度等离子体处理例如 使用He、 Ar、 Kr、 Xe等的稀有气体与氧、氧化氮、氨、氮、氢等的 混合气体来进行。在此情况下，可以通过导入微波来进行等离子体的 激发，而产生低电子温度且高密度的等离子体。通过由这种高密度的 等离子体产生的氧基(也有包括OH基的情况)或氮基(也有包括 NH基的情况)来使半导体膜的表面氧化或氮化，与半导体膜接触地 形成lnm至20nm、典型为5nm至10nm的绝缘膜。该5nm至10nm上述利用高密度等离子体处理的半导体膜的氧化或氮化以固相 反应进行，从而可以使栅绝缘膜和半导体膜之间的界面态密度极低。 通过利用高密度等离子体处理来直接使半导体膜氧化或氮化，可以抑 制所形成的绝缘膜的厚JL的不均匀性。另外，在半导体膜具有结晶性 的情况下，通过利用高密度等离子体处理以固相反应使半导体膜的表 面氧化，可以抑制仅在晶界迅速进行氧化，并且形成均匀性好且界面 态密度低的栅绝缘膜。在栅绝缘膜的一部分或整体包括利用高密度等 离子体处理来形成的绝缘膜而成的晶体管可以抑制特性的不均匀性。接着，如图13C所示，通过在将导电膜形成在栅绝缘膜709上 之后将该导电膜加工(构图)成预定的形状，在岛状半导体膜705至 708的上方形成电极710。在本实施例中，通过对层叠了的两个导电 膜进行构图来形成电极710。导电膜可以使用钽(Ta)、鴒(W)、钬(Ti)、钼(Mo )、铝(Al)、铜(Cu )、铬(Cr )、铌(Nb ) 等。另外，也可以使用以上述金属为主要成分的合金，也可以使用包 含上述金属的化合物。或者，也可以使用对半导体膜掺杂了赋予导电 性的杂质元素如磷等而成的多晶硅等半导体来形成。在本实施例中，使用氮化钽膜或钽(Ta)膜作为第一层导电膜， 并且使用鴒(W)膜作为第二层导电膜。作为两个导电膜的组合，除 了本实施例中所示的实例以外，还可以举出氮化鵠膜和鴒膜、氮化钼 膜和钼膜、铝膜和钽膜、以及铝膜和钛膜等。由于钨和氮化钽具有高 耐热性，所以在形成两层导电膜之后的工序中可以进行以热激活为目 的的加热处理。另外，作为两个导电膜的组合，例如可以使用掺杂了 赋予n型的杂质的硅和镍硅化物、掺杂了赋予n型的杂质的硅和WSix等。另外，虽然在本实施例中由层叠的两个导电膜形成电极710，但 本实施例不局限于该结构。电极710既可以由单层的导电膜形成，又 可以通过层叠三个以上的导电膜来形成。在釆用层叠三个以上的导电 膜的三层结构的情况下，优选采用钼膜、铝膜和钼膜的层叠结构。作为形成导电膜的方法，可以使用CVD法、溅射法等。在本实 施例中，以20nm至100nm的厚度形成第一层导电膜，并且以100nm 至400nm的厚度形成第二层导电膜。另外，作为当形成电极710之际使用的掩模，也可以使用氧化硅、 氧氮化硅等作为掩模来代替抗蚀剂。在此情况下，虽然还添加有进行 构图来形成氧化硅、氧氮化硅等的掩模的工序，但由于当蚀刻时的掩 模的膜厚度的减少比抗蚀剂少，所以可以形成具有所希望的宽度的电 极710。另外，也可以通过使用液滴喷射法选择性地形成电极710， 而不使用掩模。注意，液滴喷射法意味着从细孔喷出或喷射包含预定组分物的液 滴来形成预定图案的方法，并且喷墨法等被包括在其范畴内。接着，将电极710作为掩模对岛状半导体膜705至708以低浓度 掺杂赋予n型的杂质元素(典型为P (磷)或As (砷))(第一掺杂工序)。笫一掺杂工序的条件为剂量是lxl0"/cm3至lxl019/cm3、 加速电压是50keV至70keV，但不局限于此。借助于该第一掺杂工序， 隔着栅绝缘膜709进行掺杂，在岛状半导体膜705至708中分别形成 低浓度杂质区711。另外，也可以使用掩模覆盖成为p沟道型TFT的 岛状半导体膜706来进行第一掺杂工序。
接着，如图14A所示，覆盖成为n沟道型TFT的岛状半导体膜 705、 707、 708地形成掩模712。另外，不仅使用掩模712，还使用电 极710作为掩模，对岛状半导体膜706以高浓度掺杂赋予p型的杂质 元素(典型为硼(B))(第二掺杂工序)。第二掺杂工序的条件为 剂量是lxl0"/cm3至lxl02。/cm3、加速电压是20keV至40keV。借助 于该第二掺杂工序，隔着栅绝缘膜709进行掺杂，在乌状半导体膜706 中形成p型高浓度杂质区713。
接着，如图14B所示，在通过灰化等去除掩模712之后，覆盖 栅绝缘膜709及电极710地形成绝缘膜。该绝缘膜通过等离子体CVD 法或賊射法等以单层或层叠结构形成包括硅膜、氧化硅膜、氧氮化硅 膜、氮氧化硅膜、或含有有机树脂等有机材料的膜。在本实施例中， 通过等离子体CVD法形成100nm厚的氧化珪膜。
之后，通过以垂直方向为主的各向异性蚀刻部分地蚀刻栅绝缘膜 709及该绝缘膜。通过上述各向异性蚀刻，栅绝缘膜709部分地被蚀 刻，以在島状半导体膜705至708上部分地形成栅绝缘膜714。另外， 通过上述各向异性蚀刻部分地蚀刻覆盖栅绝缘膜709及电极710地形 成的绝缘膜，而形成与电极710的侧面接触的側壁715。侧壁715用 作当形成LDD (轻摻杂漏)区时的掺杂用掩模。在本实施例中，使用 CHF3和He的混合气体作为蚀刻气体。注意，形成侧壁715的工序不 局限于这些。
接着，如图14C所示，覆盖成为p沟道型TFT的島状半导体膜 706地形成掩模716。之后，不仅使用形成的掩模716，还使用电极 710及侧壁715作为掩模，对岛状半导体膜705、 707、 708以高浓度 掺杂赋予n型的杂质元素(典型为P或As)(第三掺杂工序)。第三掺杂工序的条件为剂量是lxl0"/ci^至lxl0,cm3、加速电压是 60 keV至100keV。借助于该第三掺杂工序，在岛状半导体膜705、 707、 708中分别形成n型高浓度杂质区717。
注意，侧壁715用作在之后以高浓度掺杂赋予n型的杂质且在侧 壁715的下部形成低浓度杂质区或无掺杂的偏移区时的掩模。因此， 为了控制低浓度杂质区或偏移区的宽度，适当地改变当形成侧壁715 时的各向异性蚀刻的条件或用于形成侧壁715的绝缘膜的膜厚度来调 节侧壁715的大小即可。注意，也可以在半导体膜706中，在侧壁715 的下部形成低浓度杂质区或无掺杂的偏移区。
接着，也可以在通过灰化等去除掩模716之后，进行加热处理使 杂质区激活。例如，在形成50nm厚的氧氮化硅膜之后，在氮气气氛 中以55(TC进行4个小时的加热处理即可。
另外，也可以在将包含氢的氮化硅膜形成为100nm之后进行如 下工序，即在氮气气氛中以410。C进行1个小时的加热处理，来使乌 状半导体膜705至708氢化。或者，也可以进行在包含氢的气氛中以 300'C至450。C进行1至12个小时的加热处理，来使岛状半导体膜705 至708氢化的工序。作为加热处理，可以使用热退火、激光退火法或 RTA法等。借助于加热处理，不仅进行氢化，而且也可以进行添加到 半导体膜中的杂质元素的激活。另外，作为氢化的其他方法，也可以 进行等离子体氢化(使用由等离子体激发的氢)。借助于该氢化工序， 可以使用热激发的氩来使悬空键终结。
借助于上述一系列的工序，形成n沟道型TFT718和721、电容 器720、以及p沟道型TFT 719。注意，电容器720由用作电极的岛 状半导体膜707、栅绝缘膜714、电极710构成。
接着，如图15A所示，形成用于保护TFT 718、 719、 721以及 电容器720的绝缘膜722。虽然不需要一定设置绝缘膜722，但通过 形成绝缘膜722来防止碱金属或碱土金属等杂质侵入到TFT 718、 719、 721以及电容器720中。具体地，作为绝缘膜722，优选使用氮 化硅、氮氧化硅、氮化铝、氧化铝、氧化硅等。在本实施例中，使用600nm厚左右的氧氮化硅膜作为绝缘膜722。在此情况下，也可以在 形成该氧氮化硅膜之后进行上述氢化工序。
接着，覆盖TFT718、 719、 721以及电容器720地在绝缘膜722 上形成绝缘膜723。绝缘膜723可以使用具有耐热性的有机材料如丙 烯酸、聚酰亚胺、苯并环丁烯、聚酰胺、环氧等。另外，除了上述有 机材料之外，还可以使用低介电常数材料(low-k材料)、硅氧烷类 树脂、氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氮氧化硅、PSG (磷硅玻璃)、 BPSG(硼磷硅玻璃)、矾土等。除了氢之外，硅氧烷类树脂还可以 具有氟、烷基、或芳香烃中的至少一种作为取代基。注意，也可以通 过层叠多个由上述材料形成的绝缘膜，来形成绝缘膜723。
绝缘膜723可以根据其材料而使用CVD法、溅射法、SOG法、 旋转涂敷、浸渍、喷涂、液滴喷射法(喷墨法、丝网印刷、胶版印刷 等)、刮刀(doctor knife)、辊式涂布、幕涂、刮刀涂布等来形成。
接着，使岛状半导体膜705至708的一部分分别露出地在绝缘膜 722及绝缘膜723中形成接触孔。之后，形成导电膜724和通过该接 触孔与島状半导体膜705至708接触的导电膜725至732。虽然使用 CHF3和He的混合气体作为用于当形成接触孔时的蚀刻工序的气体， 但不局限于此。
导电膜724至732可以通过CVD法或溅射法等来形成。具体而 言，作为导电膜724至732，可以使用铝(Al)、钨(W)、钛(Ti)、 钽(Ta )、钼(Mo )、镍(Ni)、賴(Pt)、铜(Cu )、金(Au )、 银(Ag)、锰(Mn)、钕(Nd)、碳(C)、硅(Si)等。另外， 既可以使用以上述金属为主要成分的合金，又可以使用包含上述金属 的化合物。导电膜724至732可以单独采用使用上述金属的膜或者层 叠多个使用上述金属的膜来形成。
作为以铝为主要成分的合金的实例，可以举出以铝为主要成分且
包含镍的合金。另外，也可以举出以铝为主要成分且包含镍以及碳和 硅中的一方或双方的合金作为实例。铝和铝硅的电阻值低且其价格低 廉，所以作为形成导电膜724至732的材料最合适。尤其是，与铝膜相比，铝硅膜当对导电膜724至732进行构图时，可以防止在抗蚀剂 烘焙(resist baking)中产生小丘。另外，也可以在铝膜中混入0.5% 左右的Cu而代替硅(Si)。
导电膜724至732例如优选采用阻挡膜、铝硅膜和阻挡膜的叠 合结构；阻挡膜、铝硅膜、氮化钛膜和阻挡膜的叠合结构。注意，阻 挡膜就是使用钛、钛的氮化物、钼、或钼的氮化物来形成的膜。当中 间夹着铝硅膜地形成阻挡膜时，可以进一步防止产生铝或铝硅的小 丘。另外，当使用高还原性的元素的钛来形成阻挡膜时，即使在岛状 半导体膜705至708上形成有薄的氧化膜，包含在阻挡膜中的钛也会 还原该氧化膜，而导电膜725至732与岛状半导体膜705至708可以 良好地接触。另外，也可以层叠多个阻挡膜来使用。在此情况下，例 如，可以使导电膜724至732具有从下层按顺序层叠有钛、氮化钛、 铝硅、钛、氮化钛的五层结构。
注意，导电膜725、 726连接到n沟道型TFT718的高浓度杂质 区717。导电膜727、 728连接到p沟道型TFT 719的高浓度杂质区 713。导电膜731、 732连接到n沟道型TFT 721的高浓度杂质区717。 导电膜729、 730连接到电容器720的高浓度杂质区717。
接着，如图15B所示，覆盖导电膜724至732地形成绝缘膜733， 然后，使导电膜724、 732的一部分露出地在该绝缘膜733中形成接 触孔。在该接触孔中与导电膜724接触地形成导电膜734，并且与导 电膜732接触地形成导电膜735。只要是可以用于导电膜724至732 的材料，就可以用作导电膜734、 735的材料。
绝缘膜733可以使用有机树脂膜、无机绝缘膜、或硅氧烷类绝缘 膜来形成。当采用有机树脂膜时，例如可以使用丙烯酸、环氧、聚酰 亚胺、聚酰胺、聚乙烯基苯酚、苯并环丁烯等。当采用无机绝缘膜时， 可以使用包含氧化硅、氧氮化硅、氮氧化珪、或以DLC(类金刚石碳) 为代表的碳的膜等。注意，可以通过液滴喷射法或印刷法形成用于通 过光刻法形成开口部的掩模。另外，绝缘膜733可以根据其材料通过 利用CVD法、濺射法、液滴喷射法或印刷法等来形成。接着，如图15C所示，在绝缘膜733上覆盖导电膜734、 735地 形成保护层736。保护层736由在之后以剥离层702为界线剥离衬底 700时能够保护绝缘膜733、导电膜734、 735的材料形成。例如，可 以通过整体涂敷可溶于水或醇类的环氧类、丙烯酸酯类、硅类树脂来 形成保护层736。
在本实施例中，在通过旋转涂敷法涂敷膜厚度为30nm的水溶性 树脂(日本东亚合成林式会社(TOAGOSEI Co.，Ltd.)制造 VL-WSHL10)，并且进行为了实现临时固化的两分钟的啄光之后， 使紫外线从背面曝光2.5分钟且从表面啄光10分钟(总计为12.5分 钟)而实现真正固化，来形成保护层736。注意，在层叠多个有机树 脂的情况下，有如下担忧根据使用的溶剂当涂敷或者烘焙时多个有 机树脂的一部分溶化，或者多个有机树脂之间的紧密性过高；等等。 因此，当将在溶剂中可溶的有机树脂使用于绝缘膜733和保护层736 时，优选的是，覆盖绝缘膜733地形成无机绝缘膜(氮化硅膜、氮氧 化硅膜、AlNx膜、或者AlNxOy膜)，以便在后面的工序中顺利去除 保护层736。
接着，如图15C所示，从衬底700剥离从绝缘膜703到形成在 绝缘膜733上的导电膜734、 735的包含以TFT为典型的半导体元件 或各种导电膜的层(以下记为"元件形成层738")、以及保护层736。 在本实施例中，将第一薄片材料737和保护层736贴在一起，并且利 用物理力从衬底700剥离元件形成层738、保护层736。也可以部分 地留下剥离层702而不全部去除。
此外，也可以通过利用蚀刻剥离层702而实现剥离的方法进行上 述剥离。在此情况下，使剥离层702的一部分露出地形成槽。通过利 用切割、划片、使用包含UV光的激光束的加工、光刻法等形成槽。 槽优选具有剥离层702露出程度的深度，即可。然后，使用氟化卣素 作为蚀刻气体，并且从槽引入该气体。在本实施例中，例如使用C1F3 (三氟化氯)且在温度为350。C、流量为300sccm、气压为800Pa、 时间为3h的条件下进行剥离。此外，也可以使用在C1F3气体中混有氮的气体。通过使用C1F3等氟化卣素，选择性地蚀刻剥离层702，而 可以从元件形成层738剥离衬底700。注意，氟化卣素可以是气体或 液体。
接着，如图16A所示，将第二薄片材料744与元件形成层738 中的通过上述剥离而露出的表面贴在一起。然后，在从第一薄片材料 737剥离元件形成层738以及保护层736之后，去除保护层736。
作为第二薄片材料744，例如可以使用由钡硼硅酸盐玻璃或硼硅 酸铝玻璃等构成的玻璃衬底、有机材料诸如具有柔性的纸或者塑料 等。或者，作为第二薄片材料744,也可使用柔性无机材料。作为塑 料衬底，可以使用由具有极性基的聚降冰片烯(polynorbornene )构 成的ARTON (由JSR制造)。此外，可以举出以聚对苯二甲酸乙二 醇酯(PET)为典型的聚酯、聚醚砜(PES)、聚萘二甲酸乙二醇酯 (PEN)、聚碳酸酯(PC)、尼龙、聚醚瞇酮(PEEK)、聚砜(PSF)、 聚醚跣亚胺(PEI)、聚芳酯(PAR)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、 聚酰亚胺、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯树脂、聚氯乙烯、聚丙烯、聚乙酸 乙烯、丙烯酸树脂等。
注意，当在衬底700上形成对应于多个存储栽体的半导体元件 时，根据每个存储栽体而分割元件形成层738。当进行分割时，可以 使用激光照射装置、切割装置、划线装置等。
接着，如图16B所示，利用具有存储器特性的显示材料形成像 素部。在本实施例中示出使用包含微嚢739的显示材料745的实例。 例如，可以通过利用印刷法，在用作电极的导电膜735上选择性地涂 敷显示材料745。然后，以将显示材料745夹在导电膜735和导电膜 740之间的方式将形成有导电膜740的衬底741与第二薄膜材料744 贴在一起。只要是可以用于导电膜735的材料，就可以使用于导电膜 740的材料。
在本实施例中使用多个包含Ti的白色微粒子分散于蓝色溶液中 的类型的微囊作为微囊739。通过对该微嚢739施加电压，白色微粒 子在微嚢739中电泳，而可以根据电压的极性进行白色或蓝色显示。注意，在本发明中可以使用的微囊不局限于该类型。例如，在本发明中，也可以使用如下球状微嚢其一个半球是白色而另一半球是 黑色，并且各半球带着不同电荷。在使用这种类型的微嚢的情况下， 在显示材料中设置用来使微嚢浮动的溶剂，以便使微囊通过施加电压 能够自由旋转。接着，如图16B所示，使形成在支架746上的天线742与导电 膜734电连接。通过利用各向异性导电膜(ACF: Anisotropic Conductive Film ) 743将天线742和导电膜734压合，可以实现天线 742和导电膜734的电连接。除了各向异性导电膜以外，也可以利用 各向异性导电骨(ACP: Anisotropic Conductive Paste )等来实现压 合。此外，也可以利用银骨、铜骨或者碳骨等导电粘合剂或者焊接来 实现连接。注意，在本实施例中说明在形成半导体元件之后使另行准备的天 线742电连接到半导体元件的实例，但是本发明不局限于该结构。也 可以将天线形成在与半导体元件相同的衬底上。在此情况下，形成用 作天线的导电膜以使其一部分与导电膜734接触，即可。可以通过利 用银(Ag)、金(Au)、铜(Cu)、钇(Pd)、铬(Cr)、柏(Pt)、 钼(Mo )、钬(Ti)、钽(Ta )、鴒(Wu )、铝(AI)、铁(Fe)、 钴(Co)、锌(Zn)、锡(Sn)、镍(Ni)等金属来形成用作天线 的导电膜。作为用作天线的导电膜，除了使用由上述金属形成的膜以 外，还可以使用由以上述金属为主要成分的合金形成的膜、或者使用 包含上述金属的化合物而形成的膜。用作天线的导电膜既可以是由上 述膜形成的单层膜，又可以是由上述多个膜形成的层叠膜。可以通过CVD法、溅射法、诸如丝网印刷或凹版印刷等印刷法、 液滴喷射法、分配器法、镀敷法、光刻法、蒸镀法等形成用作天线的 导电膜。例如，在采用丝网印刷法的情况下，通过在绝缘膜733上选择性 地印刷导电骨，可以形成用作天线的导电膜，所述导电骨是通过将粒 径为几nm至几十nm的具有导电性的粒子(导电体粒子)分散在有机树脂中而成的。导电体粒子可以使用银(Ag)、金(Au)、铜(Cu)、 镍(Ni)、柏(Pt)、把(Pd )、钽(Ta )、钼(Mo )、锡(Sn )、 铅(Pb)、锌(Zn)、铬(Cr)、或钛(Ti)等来形成。导电体粒 子除了由上述金属形成以外，还可以由以上述金属为主要成分的合金 形成或使用包含上述金属的化合物来形成。另外，也可以使用卣化银 的微粒子或分散性纳米粒子。另外，可以使用聚酰亚胺、硅氧烷类树脂、环氧树脂、硅树脂等作为包含在导电骨中的有机树脂。作为上述金属的合金的一例，可以举出以下组合银(Ag)和 把(Pd )、银(Ag )和粕(Pt)、金(Au )和拍(Pt)、金(Au ) 和钯(Pd)、银(Ag)和铜(Cu)。另外，例如也可以使用通过利 用银(Ag)涂敷铜(Cii)而获得的导电体粒子等。注意，当形成用作天线的导电膜时，优选在通过印刷法或液滴喷 射法设置导电骨之后进行焙烧。例如，在采用以银为主要成分的导电 体粒子(例如粒径为lnm以上且100nm以下)作为导电骨的情况下， 可以通过以150'C至300。C的温度范围进行焙烧而形成用作天线的导 电膜。焙烧可以通过使用红外灯、氙灯、卣灯等的灯退火来进行，也 可以通过使用电炉的炉内退火来进行。另外，也可以通过使用受激准 分子激光器、Nd:YAG激光器的激光退火法来进行。另外，也可以使 用以焊料或无铅焊料为主要成分的微粒子，在此情况下，优选使用粒 径为20fim以下的微粒子。焊料和无铅焊料具有低成本的优点。通过使用印刷法、液滴喷射法，可以形成用作天线的导电膜，而 不使用用于曝光的掩模。另外，液滴喷射法、印刷法与光刻法不同， 不会造成例如通过蚀刻去除等的材料浪费。另外，由于不需要使用昂 贵的用于曝光的掩模，所以可以抑制制造存储载体的成本。注意，在本实施例中示出从衬底700剥离元件形成层738而利用 的实例，但是也可以在衬底700上制造上述元件形成层738而利用为 存储栽体，而不设置剥离层702。此外，在本实施例中，在所有的TFT 718、 719、 721和电容器 720中栅绝缘膜714的膜厚度都相同，但是本发明不局限于该结构。例如，也可以使电容器720所具有的栅绝缘膜714的膜厚度和TFT 718、 719、 721所具有的栅绝缘膜714的膜厚度不同。或者，也可以 在需要更高速驱动的电路中，使TFT所具有的栅绝缘膜的膜厚度薄 于其他电路。注意，在本实施例中举出薄膜晶体管为实例而说明，但是本发明 不局限于该结构。除了薄膜晶体管以外，还可以使用利用单晶硅而形 成的晶体管、利用SOI而形成的晶体管等。此外，也可以使用利用有 机半导体的晶体管或者利用碳纳米管的晶体管。可以将本实施例与上述实施方式、实施例适当地组合而实施。实施例6在本实施例中，将说明在形成在单晶衬底上的半导体元件上形成 绝缘膜的本发明的制造方法。注意，在本实施例中举出使用晶体管作 为半导体元件的情况为实例而说明，但是形成在单晶衬底上的半导体 元件不局限于晶体管。首先，如图17A所示，形成绝缘膜803以覆盖形成在半导体元 件800上的晶体管801以及晶体管802。作为半导体衬底800，例如可以使用具有n型或者p型导电型的 单晶硅衬底、化合物半导体衬底(GaAs衬底、InP衬底、GaN衬底、 SiC衬底、蓝宝石衬底、ZnSe村底等)、通过粘合法或者SIMOX (注 入氧隔离)法制造的SOI (绝缘体上硅)衬底等。晶体管801和晶体管802通过元件分离用绝缘膜804彼此电分 离。当形成元件分离用绝缘膜804时，可以使用选择氧化法(LOCOS (硅局部氧化)法)或者沟槽分离法等。此外，在半导体衬底800中形成有p阱805,并且在该p阱805 中形成有晶体管802。注意，在本实施例中示出如下实例使用具有 n型的导电型的单晶硅衬底作为半导体衬底800，并且在该半导体衬 底800中形成p阱805。形成在半导体衬底800中的p阱805可以通 过对半导体衬底800选择性地引入赋予p型的导电型的杂质元素来形 成。作为赋予p型的杂质元素，可以使用硼(B)、铝(A1)、镓(Ga)等。注意，由于在本实施例中使用具有n型的导电型的半导体衬底作 为半导体衬底800，所以在形成晶体管801的区域中不形成n阱。但 是，也可以通过引入赋予n型的杂质元素，在形成晶体管801的区域 中形成n阱。作为赋予n型的杂质元素，可以使用磷(P)、砷(As) 等。此外，在使用具有p型的导电型的半导体衬底作为半导体衬底 800的情况下，通过对该半导体衬底选择性地引入赋予n型的杂质元 素来形成n阱，即可。然后，可以在该n阱中形成晶体管801。晶体管801以及晶体管802具有栅绝缘膜806。在本实施例中， 使用通过使半导体衬底800热氧化而形成的氧化硅膜作为栅绝缘膜806。 此外，也可以使用层叠氧化硅膜和氧氮化硅膜而成的膜作为栅 绝缘膜806，所述层叠氧化硅膜和氧氮化硅膜而成的膜是这样形成的 通过进行热氧化形成氧化硅膜之后，进行氮化处理使氧化硅膜的表面 氮化形成氧氮化硅膜。此外，也可以利用等离子体处理形成栅绝缘膜 806，而不使用热氧化。例如，通过利用高密度等离子体处理使半导 体衬底800的表面氧化或氮化，可以形成用作栅绝缘膜806的氧化硅(SiOx)膜或者氮化硅(SiNx)膜。此外，晶体管801以及晶体管802在栅绝缘膜806上具有导电膜807。 在本实施例中示出导电膜807由顺序层叠的两个导电膜形成的 实例。导电膜807既可以是单层导电膜，又可以是层叠三个以上的导 电膜而成的导电膜。作为导电膜807，可以使用钽(Ta)、鴒(W)、钬(Ti)、钼 (Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、铬(Cr)、铌(Nb)等。另外，作 为导电膜807，除了使用由上述金属形成的膜以外，还可以使用由以 上述金属为主要成分的合金形成的膜、或者使用包含上述金属的化合 物来形成的膜。或者，也可以使用对半导体膜掺杂赋予导电性的杂质 元素如磷等而成的多晶硅等半导体来形成。在本实施例中，导电膜807具有如下结构层叠使用氮化钽而成的导电膜和使用钨而成的导电膜。此外，晶体管801在半导体衬底800中具有用作源区或漏区的一 对杂质区809。 一对杂质区809之间相当于晶体管801的沟道形成区。 作为杂质元素，使用赋予n型的杂质元素或者赋予p型的杂质元素。 作为赋予n型的杂质元素，可以使用磷(P)或砷(As)等。作为赋 予p型的杂质元素，可以使用硼(B)、铝(Al)、镓(Ga)等。在 本实施例中，使用硼(B)作为杂质元素。此外，晶体管802在半导体衬底800的p阱805中具有用作源区 或漏区的一对杂质区808。 一对杂质区808之间相当于晶体管802的 沟道形成区。作为杂质元素，使用赋予n型的杂质元素或者赋予p型 的杂质元素。作为赋予n型的杂质元素，可以使用磷(P)或砷(As) 等。作为赋予p型的杂质元素，可以使用硼(B)、铝(A1)、镓(Ga) 等。在本实施例中，使用磷(P)作为杂质元素。接着，在绝缘膜803中形成接触孔，使杂质区808、 809的一部 分露出。接着，形成通过接触孔与杂质区808、 809连接的导电膜810 至813。导电膜810至813可以通过CVD法或溅射法等形成。绝缘膜803可以使用无机绝缘膜、有机树脂膜或硅氧烷类绝缘膜 来形成。当采用无机绝缘膜时，可以使用包含氧化硅、氧氮化硅、氮 氧化硅、以DLC(类金刚石碳)为代表的碳的膜等。当采用有机树脂 膜时，例如可以使用丙烯酸、环氧、聚酰亚胺、聚酰胺、聚乙烯基苯 酚、苯并环丁烯等。另外，绝缘膜803可以根据其材料而通过CVD 法、濺射法、液滴喷射法或印刷法等形成。注意，用于本发明的存储载体的晶体管不局限于在本实施例中示 出于附图上的结构。例如，也可以釆用反交错结构。接着，如图17B所示，形成绝缘膜815。然后蚀刻绝缘膜815来 形成接触孔，以使导电膜810、 813的一部分露出。绝缘膜815不局 限于树脂，也可以为CVD氧化膜等的其他膜，但是，从平坦性的观 点来看，优选为树脂。此外，也可以使用感光树脂而不使用蚀刻来形 成接触孔。然后，在绝缘膜815上形成通过接触孔与导电膜810接触的导电膜816、与导电膜813接触的导电膜817。然后，与导电膜816接触地在绝缘膜815上形成电极818。虽然 在图17B中示出利用容易反射光的导电膜形成电极818来制造反射型 液晶元件的实例，但是本发明不局限于该结构。通过利用透明导电膜 形成像素电极，可以形成透过型液晶元件。注意，在采用反射型液晶 元件的情况下，也可以使用导电膜816的一部分作为电极，而不必设 置电极818。此外，不局限于液晶元件，也可以使用利用具有存储器 特性的显示材料的显示元件、以有机发光元件(OLED)为代表的发 光元件等。覆盖导电膜816、电极818地形成取向膜819，对此施行研磨。 在成为显示装置的区域中通过构图等选择性地形成取向膜819。接着，形成用来密封液晶的密封材料820。另一方面，准备形成 有使用透明导电膜而成的电极821、被施行了研磨处理的取向膜822 的衬底823。然后，在由密封材料820围绕的区域中滴下液晶824， 并且利用密封材料820将另行准备的衬底823与半导体衬底800粘在 一起，以使电极821和电极818相对置地重合。注意，也可以在密封 材料820中混入有填料。注意，也可以形成颜色滤光片、用来防止向错(disclination)的 屏蔽膜(黑底)等。此外，将偏振片825粘合到衬底823的与形成有 电极821的表面相反的表面。作为用于电极818或电极821的透明导电膜，例如，可以使用包 含氧化硅的氧化铟锡(ITSO )、氧化铟锡(ITO )、氧化锌(ZnO )、 氧化铟锌(IZO)、添加有镓的氧化锌(GZO)等。通过使电极818、 液晶824和电极821重叠，来形成液晶元件826。当注入上述液晶时，使用分配器方式(滴落方式)；但是本发明 不局限于此。也可以使用在将衬底823与半导体衬底800粘在一起之 后注入液晶的浸渍方式(汲上方式)。接着，使形成在支架830上的天线831与导电膜817电连接。通 过利用各向异性导电膜(ACF: Anisotropic Conductive Film ) 832将47天线831和导电膜817压合，可以实现天线831和导电膜817的电连 接。除了各向异性导电膜以外，也可以利用各向异性导电貪(ACP: Anisotropic Conductive Paste)等来实现压合。此外，也可以利用银 骨、铜骨或者碳骨等导电粘合剂或者焊接来实现连接。注意，在本实施例中说明在形成半导体元件之后使另行准备的天线831电连接到半导体元件的实例，但是本发明不局限于该结构。也 可以将天线形成在与半导体元件相同的衬底上。在此情况下，形成用 作天线的导电膜以使其一部分与导电膜817接触，即可。可以通过利 用银(Ag)、金(Au)、铜(Cu)、钽(Pd)、铬(Cr)、柏(Pt)、 钼(Mo )、钬(Ti)、钽(Ta )、鵠(Wu )、铝(Al)、铁(Fe)、 钴(Co)、锌(Zn)、锡(Sn)、镍(Ni)等金属来形成用作天线 的导电膜。作为用作天线的导电膜，除了使用由上述金属形成的膜以 外，还可以使用由以上述金属为主要成分的合金形成的膜、或者使用 包含上述金属的化合物而形成的膜。用作天线的导电膜既可以是由上 述膜形成的单层膜，又可以是由上述多个膜形成的层叠膜。可以通过CVD法、溅射法、印刷法诸如丝网印刷或凹版印刷等、 液滴喷射法、分配器法、镀敷法、光刻法、蒸镀法等形成用作天线的 导电膜。例如，在采用丝网印刷法的情况下，通过在绝缘膜733上选择性 地印刷导电骨，可以形成用作天线的导电膜，所述导电骨是通过将粒 径为几nm至几十nm的具有导电性的粒子(导电体粒子)分散在有 机树脂中而成的。导电体粒子可以使用银(Ag)、金(Au)、铜(Cu)、 镍(Ni)、钿(Pt)、把(Pd )、钽(Ta )、钼(Mo )、锡(Sn )、 铅(Pb)、锌(Zn)、铬(Cr)、或钛(Ti)等来形成。导电体粒 子除了由上述金属形成以外，还可以由以上述金属为主要成分的合金 形成或使用包含上述金属的化合物来形成。另外，也可以使用卣化银 的微粒子或分散性纳米粒子。另外，可以使用聚酰亚胺、硅氧烷类树 脂、环氧树脂、硅树脂等作为包含在导电骨中的有机树脂。作为上述金属的合金的一例，可以举出以下组合银(Ag)和铊(Pd )、银(Ag )和賴(Pt)、金(Au )和钿(Pt)、金(Au ) 和钯(Pd)、银(Ag)和铜(Cu)。另外，例如也可以使用通过利 用银(Ag)涂敷铜(Cu)而获得的导电体粒子等。注意，当形成用作天线的导电膜时，优选在通过印刷法或液滴喷 射法设置导电骨之后进行焙烧。例如，在采用以银为主要成分的导电 体粒子(例如粒径为lnm以上且100nm以下)作为导电骨的情况下， 可以通过以150。C至300。C的温度范围进行焙烧而形成用作天线的导 电膜。焙烧可以通过使用红外灯、氙灯、卣灯等的灯退火来进行，也 可以通过使用电炉的炉内退火来进行。另外，也可以通过使用受激准 分子激光器、Nd:YAG激光器的激光退火法来进行。另外，也可以使 用以焊料或无铅焊料为主要成分的微粒子，在此情况下，优选使用粒 径为2(Onm以下的微粒子。焊料和无铅焊料具有低成本的优点。通过使用印刷法、液滴喷射法，可以形成用作天线的导电膜，而 不使用用于曝光的掩模。另外，液滴喷射法、印刷法与光刻法不同， 不会造成例如通过蚀刻去除等的材料浪费。另外，由于不需要使用昂 贵的用于膝光的掩模，所以可以抑制制造存储载体的成本。注意，可以将本实施例与上述实施方式或者上述实施例适当地组 合而实施。本说明书根据2007年2月23日在日本专利局受理的日本专利申 请编号2007-043066而制作，所述申请内容包括在本说明书中。
权利要求
1.一种存储载体，包括储存数据的存储器；根据从询问器以无线方式发送来的信号从所述存储器读出所述数据的控制电路；根据算法转换所述数据的转换器；利用被转换的数据来产生图像信号的图像信号产生电路；以及利用所述图像信号来显示图像的显示装置。
2. 根据权利要求1所述的存储栽体，其中所述显示装置包括显示 元件，该显示元件包括具有存储器特性的显示材料。
3. 根据权利要求1所述的存储栽体，其中所述存储器是可以重写 的非易失性存储器。
4. 根据权利要求1所述的存储载体，还包括从所述询问器接收电 波且产生所述信号的天线电路。
5. 根据权利要求1所述的存储栽体，其中所述显示装置包括显示 元件，该显示元件包括具有带电的微粒子的显示材料。
6. 根据权利要求1所述的存储栽体，其中所述显示装置显示一维代码。
7. 根据权利要求1所述的存储载体，其中所述显示装置显示二维代码。
8. 根据权利要求1所述的存储载体，其中所述存储载体是卡片。
9. 一种存储载体，包括 储存数据的存储器；根据从询问器以无线方式发送来的信号从所述存储器读出所述 数据的控制电路；利用所述数据来产生图像信号的图像信号产生电路；以及 利用所述图像信号来显示代码的显示装置。
10. 根据权利要求9所述的存储栽体，其中所述显示装置包括显示元件，该显示元件包括具有存储器特性的显示材料。
11. 根据权利要求9所述的存储载体，其中所述存储器是可以重 写的非易失性存储器。
12. 根据权利要求9所述的存储载体，还包括从所述询问器接收 电波且产生所述信号的天线电路。
13. 根据权利要求9所述的存储载体，其中所迷显示装置包括显 示元件，该显示元件包括具有带电的微粒子的显示材料。
14. 根据权利要求9所述的存储载体，其中所述显示装置显示一 维代码。
15. 根据权利要求9所述的存储栽体，其中所述显示装置显示二 维代码。
16. 根据权利要求9所述的存储栽体，其中所述存储载体是卡片。
17. —种存储栽体，包括 储存第一数据的第一存储器；储存第二数据的第二存储器，所述第二数据通过根据算法转换所 述第一数据而得到；根据从询问器以无线方式发送来的第一信号从所述第二存储器 读出所述第二数据的控制电路；利用所述第二数据来产生图像信号的图l象信号产生电路；以及利用所述图像信号来显示图像的显示装置。
18. 根据权利要求17所述的存储载体，其中所述显示装置包括显 示元件，该显示元件包括具有存储器特性的显示材料。
19. 根据权利要求17所述的存储载体，其中所述第一存储器是可 以重写的非易失性存储器。
20. 根据权利要求17所述的存储载体，还包括从所述询问器接收 电波且产生所述信号的天线电路。
21. 根据权利要求17所述的存储载体，其中所述显示装置包括显 示元件，该显示元件包括具有带电的微粒子的显示材料。
22. 根据权利要求17所述的存储栽体，其中所述显示装置显示一维代码。
23. 根据权利要求17所述的存储载体，其中所述显示装置显示二 维代码。
24. 根据权利要求17所述的存储载体，其中所述存储栽体是卡片。
25. —种包括存储器和显示装置的存储栽体的驱动方法，包括如 下步骤根据从询问器以无线方式发送来的第一信号从所述存储器读出数据；利用所述数据来产生第二信号；以无线方式将所述笫二信号发送到所述询问器； 根据算法转换所述数据；利用所述被转换的数据来产生图像信号；以及 利用所述图像信号来在所述显示装置上显示图像。
26. 根据权利要求25所述的存储栽体的驱动方法，其中所述显示 装置包括显示元件，该显示元件包括具有存储器特性的显示材料。
27. 根据权利要求25所述的存储载体的驱动方法，其中所述存储 器是可以重写的非易失性存储器。
28. 根据权利要求25所述的存储载体的驱动方法，还包括从所述 询问器接收电波且产生所述信号的天线电路。
29. 根据权利要求25所述的存储载体的驱动方法，其中所述显示 装置显示一维代码。
30. 根据权利要求25所述的存储栽体的驱动方法，其中所述显示 装置显示二维代码。
31. 根据权利要求25所述的存储载体的驱动方法，其中仅当以无 线方式将所述第二信号发送到所述询问器的步骤未能完成时，才执行 根据所述算法转换所述数据的步骤。
32. 根据权利要求25所述的存储载体的驱动方法，其中所述存储 载体是卡片。
33. —种包括第一存储器、第二存储器和显示装置的存储栽体的驱动方法，包括如下步骤根据从询问器以无线方式发送来的第一信号从所述第一存储器读出第一数据；利用所述第 一数据来产生第二信号；以无线方式将所述第二信号发送到所述询问器；从所述第二存储器读出第二数据，所述第二数据通过根据算法转换所述第一数据而得到；利用所述第二数据来产生图像信号；以及 利用所述图像信号来在所述显示装置上显示图像。
34. 根据权利要求33所述的存储载体的驱动方法，其中所述显示 装置包括显示元件，该显示元件包括具有存储器特性的显示材料。
35. 根据权利要求33所述的存储载体的驱动方法，其中所述第一 存储器是可以重写的非易失性存储器。
36. 根据权利要求33所述的存储载体的驱动方法，还包括从所述 询问器接收电波且产生所述信号的天线电路。
37. 根据权利要求33所述的存储栽体的驱动方法，其中所述显示 装置显示一维代码。
38. 根据权利要求33所述的存储栽体的驱动方法，其中所述显示 装置显示二维代码。
39. 根据权利要求33所述的存储栽体的驱动方法，其中仅当以无 线方式将所述第二信号发送到所述询问器的步骤未能完成时，才执行 从所述第二存储器读出所述第二数据的步骤。
40. 根据权利要求33所述的存储载体的驱动方法，其中所述存储 载体是卡片。
全文摘要
本发明的目的在于提供一种不需要利用单独的工序制造条码和标签的非接触型存储载体。本发明的存储载体包括储存数据的存储器；根据从询问器以非接触的方式发送来的信号从存储器读出数据的控制电路；根据算法转换所读出的数据的转换器；利用被转换器转换的数据来产生图像信号的图像信号产生电路；以及利用图像信号来表示代码的显示装置。也可以预先将根据算法转换的数据储存在存储器中。在此情况下，也可以不设置用来根据算法进行转换的转换器。
文档编号G06K19/06GK101281606SQ200810081438
公开日2008年10月8日 申请日期2008年2月21日 优先权日2007年2月23日
发明者盐野入丰 申请人:株式会社半导体能源研究所