专利名称：电极薄膜和坐标检测装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及坐标检测装置中所使用的电极薄膜，其中该坐标检测装置用以检测显示屏上的指示位置，以及使用该电极薄膜的坐标检测装置。
背景技术：
能够检测到显示器上的指示位置的触摸屏采用了各种检测原理。其中，近年来，投影型电容触摸屏受到了相对小型的显示器的青睐。投影型电容触摸屏被构造为使得电极薄膜被配置在显示屏上，其中，在电极薄膜中，电极图案形成在基底上。当操作子诸如用户的手指接近电极薄膜时，该操作子被电耦合至该电极，并且流向电极的电流发生了改变。该触摸屏基于电流的变化来检测支撑体上的位置。在此，由于电极薄膜被配置在显示器上，所以期望不会降低用户对该显示器的视觉识别性。具体而言，期望一种光透过性较高并且色调变化较小的电极薄膜。例如，日本专利申请公报No. 2007-299534(第0044段，图1)(在此，被称作“专利文献1”)公开了一种 “透明电极薄膜”。该“透明电极薄膜”被构造为使得由高折射率材料制成的两片高折射率层以及由低折射率材料制成的两片低折射率层交替层压在透明薄膜上，并且进一步层压透明导电层。据描述，由于该透明电极薄膜，被反射的光因高折射率层和低折射率层的光路不同而彼此抵消，所以其光透过性较高，并且色调变化较低。但是，在上述透明电极薄膜的结构中，没有考虑光透过性和色调变换因透明导电层的有/无而产生的差异。在上述电容触摸屏所使用的电极薄膜中，电极层(透明导电层) 经受了图案化，藉以检测位置。结果，该电极薄膜具有存在电极层的区域和不存在电极层的区域。如果存在电极层的区域与不存在电极层的区域的光透过性和色调变化之间的差异较大，则用户会在视觉上识别电极图案，并且会降低该显示器的视觉识别性。
发明内容
鉴于上述情况，期望提供可以阻止视觉识别性因电极图案而降低的电极薄膜和坐标检测装置。根据本发明的实施例，提供了一种电极薄膜，该电极薄膜包括基板和层压板。该基板具有光透过性。该层压板包括高折射率层，该高折射率层层压在该基板上并且由高折射率材料制成，该高折射率材料具有大于1. 50的绝对折射率并且具有大于等于2nm且小于等于20nm 的厚度；低折射率层，该低折射率层层压在该高折射率层上并且由低折射率材料制成，该低折射率材料具有小于1. 50的绝对折射率并且具有大于等于IOnm且小于等于IOOnm的厚度；以及被图案化的电极层，该被图案化的电极层层压在该低折射率层上并且由透明导电材料制成，并且该被图案化的电极层具有小于等于350 Ω / □的表面阻抗，所述层压板具有大于等于85%的全光透过率，该全光透过率由JIS Κ-7105规定，并且该全光透过率因该电极层的有/无而产生的差异小于2%。
根据上述结构，由于全光透过率大于等于85%，所以光透过性较高。此外，由于全光透过率因该电极层的有/无而产生的差异小于2%，所以阻止了用户对电极层图案的视觉识别。在上述电极薄膜中，由JIS Z-8701规定的透过率的刺激值Y因电极层的有/无而产生的差异可以小于等于2.0。根据上述结构，由于全光透过率因电极层的有/无而产生的差异较小，所以阻止了用户对电极层图案的视觉识别。在上述电极薄膜中，由JIS Z-8701规定的反射率的刺激值Y因电极层的有/无而产生的差异可以小于等于2.0。根据上述结构，由于全光透过率因电极层的有/无而产生的差异较小，所以阻止了用户对电极层图案的视觉识别。在上述电极薄膜中，由JIS Z-8729规定的透过率的f-b*色彩坐标空间中的坐标因电极层的有/无而产生的差异可以小于等于4. 0。根据上述结构，由于透过光中的色彩因电极层的有/无而产生的差异较小，所以阻止了用户对电极层图案的视觉识别。在上述电极薄膜中，由JIS Z-8729规定的反射率的f-b*色彩坐标空间中的坐标因电极层的有/无而产生的差异可以小于等于4. 0。根据上述结构，由于反射光中的色彩因电极层的有/无而产生的差异较小，所以阻止了用户对电极层图案的视觉识别。高折射率层可以由一氧化铌制成，低折射率层可以由二氧化硅制成，并且电极层可以由氧化铟锡制成。根据上述结构，该电极薄膜的全光透过率可以大于等于85%，并且该全光透过率因该电极层的有/无而产生的差异可以小于等于2%。根据本发明的另一实施例，提供了一种坐标检测装置，该坐标检测装置包括显示屏和至少一个电极薄膜。该显示屏被构造为显示图像。该至少一个电极薄膜包括基板和层压板，该基板具有光透过性，该层压板包括高折射率层，该高折射率层层压在该基板上并且由高折射率材料制成，该高折射率材料具有大于1. 50的绝对折射率并且具有大于等于2nm且小于等于20nm的厚度；低折射率层，该低折射率层层压在该高折射率层上并且由低折射率材料制成，该低折射率材料具有小于1. 50 的绝对折射率并且具有大于等于IOnm且小于等于IOOnm的厚度；以及被图案化的电极层， 该被图案化的电极层层压在该低折射率层上并且由透明导电材料形成，并且该被图案化的电极层具有小于等于350 Ω / 口的表面阻抗，所述层压板具有由大于等于85 %的全光透过率，该全光透过率由JIS Κ-7105规定，并且该全光透过率因该电极层的有/无而产生的差异小于2%。根据上述结构，由于阻止了用户对电极层图案的视觉识别，所以可以设置对显示在显示器上的图像的视觉识别性较高的坐标检测装置。如上所述，根据本发明的实施例，可以提供能够阻止视觉识别性因电极图案而降低的电极薄膜和坐标检测装置。
如附图所示，本发明的这些及其其它目的、特征和优点将随着具体实施方式
的描述越来越清楚。
图1是示出根据本发明的实施例的电极薄膜的层压结构的剖视图；图2是示出电极薄膜的电极层的图案化外观的透视图；图3是示出包括电极层、高折射率层和低折射率层的层压板的各个光学性能的测
量结果表；图4是示出包括电极层、高折射率层和低折射率层的层压板的各个光学性能的测
量结果表；图5是示出电极薄膜的制造设备的概要视图；图6是概要示出根据本发明的实施例的触摸屏结构的分解透视图；图7A及图7B是示出根据本发明的实施例的电极薄膜的电极区域和非电极区域的配置的平面图；以及图8是示出根据本发明引用示例的触摸屏的图案的视觉识别性的评估结果图。
具体实施例方式下面，将参考附图描述本发明的实施例。(电极薄膜的结构)图1示出了根据本发明实施例的电极薄膜1的层压结构的剖视图。如图1所示，电极薄膜1包括基板2、高折射率层3、低折射率层4和电极层5。它们依次层压。电极层5经受了图案化。电极薄膜1包括电极区域Ia和非电极区域lb。在电极区域Ia上，形成有电极层5。在非电极区域Ib上，没有形成电极层5。图2示出了电极层5的图案化外观的透视图。如图2所示，电极层5经受了沿一个方向排列的菱形图案化。布线6被连接到各行。上述图案仅为示例。电极层5可以经受不同于上述图案的图案化。上述图案对于检测显示器上的位置是有必要的。下面将具体进行描述。下面，将描述各层的结构。图1所示的基板2可以由光透过性较高的柔性材料，例如PET (Polyethylene Ter印hthalate，聚对苯二甲酸乙二醇酯)，PEN (Polyethylene naphthalate，聚奈二甲酸乙二醇酯)，延展的C0P(CyClOOlefin Polymer，环烯烃聚合物)或者非延展的COP制成。为了防止刻划，可以使用通过利用紫外线硬化树脂涂覆上述此案料的任一者所得到的基板。此外，基板2的厚度可以，例如大于等于50 μ m且小于等于188 μ m。高折射率层3可以由绝对折射率大于1. 50的高折射率材料(例如，一氧化铌 (niobium monoxide, NbO)、五氧化二铌(niobium pentoxide, Nb2O5)、二氧化铁(titanium dioxide, TiO2)、氮化娃(silicon nitride、Si3N4)、二氧化锡(tin dioxide, SnO2)、五氧化二钽(tantalum pentoxide, Ta2O5)、氧化锌(zinc oxide, ZnO)或者一氧化娃(silicon monoxide, SiO)等)制成。此外，高折射率层3的厚度可以，例如大于等于2nm且小于等于 20nmo
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低折射率层4可以由绝对折射率小于1.50的低折射率材料，例如二氧化硅 (silicon dioxide, SiO2)或者氟化镁(magnesium fluoride, MgF2)等制成。此外，低折射率层4的厚度可以大于等于IOnm并小于等于lOOnm。电极层5可以由透明导电材料，例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)或者掺杂铝的氧化锌(AZO)等制成。电极层5可以具有表面阻抗小于350 Ω / □的厚度(在IT0、15nm> 的情况下)。表面阻抗可以通过使用“Loresta-GP(注册商标)”(由Mitsubishi Chemical Analytech Co. , Ltd.制造)遵循 “ JIS K-7194” 来测量。电极薄膜1被构造为使得电极区域la(其中层压基板2、高折射率层3、低折射率层4和电极层5的区域)的全光透过率大于等于85%。此外，电极薄膜1被构造为使得电极区域Ia的全光透过率与非电极区域Ib (其中层压基板2、高折射率层3和低折射率层4的区域)的全光透过率之间的差异小于2%。注意，全光透过率可以通过使用“NDH 5000”(由 Nippon Denshoku Industries Co. , Ltd.制造)遵循“JIS K-7105” 来测量。图3及图4示出了包括电极层、高折射率层和低折射率层的各层压板的光学性能的测量结果表。其中层压有电极层、高折射率层和低折射率层的层压板被称作“层压结构”。 在层压结构的任一者中，电极层由ITO制成，高折射率层由一氧化铌制成，并且低折射率层由二氧化硅制成。图3及图4示出了各层的厚度、各层压结构的“表面阻抗”、“刺激值Y”、 “全光透过率”、“分光透过率”和“分光反射率”的对应数值。表面阻抗依赖于电极层的厚度。由于层压结构1和层压结构2的电极层的厚度比较小，所以其表面阻抗大于等于350 Ω / 口。结果，层压结构1和层压结构2不适用于触摸屏的电极薄膜。全光透过率是由“ JIS Κ-7105”所规定的测量方法测得的数值。全光透过率依赖于电极层、高折射率层和低折射率层的厚度以及绝对折射率。图3及图4示出了电极区域的全光透过率、非电极区域的全光透过率、以及任一层压结构的电极区域的全光透过率和非电极区域的全光透过率之间的差异。如图3及图4所示，电极区域和非电极区域的全光透过率不会响应于电极层、高折射率层和低折射率层的厚度而增加/降低。即使各层的厚度较大，它们也可能会降低。原因如下。进入层压板的光被各层的界面反射。反射光的相位因各层的绝对折射率的不同而彼此不同。如果各层的厚度是适当的，则反射光彼此抵消，并且其透过率增大。如图3及图4所示，在各层的厚度合适的层压结构中，该层压结构的全光透过率大于等于85%。除了层压机构12和15以外的层压结构实现了大于等于85%的全光透过率。透过率差异是电极区域与非电极区域的全光透过率之差。注意，正值表示存在电极区域的情况下，全光透过率降低。负值表示存在电极区域的情况下，全光透过率增加。 如图3及图4所示，层压结构4、7、8、10、17、19和22实现了小于2%的透过率差异。鉴于以上测量结果，层压结构4、7、8、10、17、19和22实现了小于350Ω/□的电极层的表面阻抗、大于等于85%的全光透过率和小于2%的透过率差异。也就是说，在各层的厚度具有上述层压结构的数值的情况下，电极薄膜1实现了较高的光透过性。此外，降低了电极区域Ia与非电极区域Ib的光透过性之间的差异。因此，用户可以容易地视觉识别到电极区域Ia与非电极区域Ib之间的界面，即电极图案。此外，除了上述结构之外，电极薄膜1被构造为使得“刺激值Y”因电极层的有 /无而产生的差异“ΔΥ”小于等于2.0。可以基于入射角为12°时，通过使用分光测量
7设备和“JIS Z-8701”所规定的测量方法所测得的波长范围在380nm到780nm之间的透过率和反射率的测量值，来计算刺激值。具体而言，可以通过使用“U-4100” (由Hitachi High-Technologies Corporation (注册商标 registered trademark) ffjljia )来 贝Ij量来自光源D65的光的透过率和反射率。在刺激值中，存在关于蓝色(ζ)的刺激值(Z)，关于红色 (χ)的刺激值⑴和关于绿色ω的刺激值⑴。在此，使用了关于绿色ω的刺激值⑴。 如图3及图4所示，在层压结构4、7、8、10、17、19和22中，层压结构4、7和19具有小于等于2.0%的分光透过率的Δ Y和小于等于2.0%的分光反射率的Δ Y。具有任一上述层压结构的电极薄膜1具有较小的电极区域Ia的光反射率与非电极区域Ib的光反射率之间的差异。结果，阻止了用户因电极区域Ia的光反射率与非电极区域Ib的光反射率之间的差异而对电极图案的识别。此外，除了上述结构之外，电极薄膜1被构造为使得f-b*色彩坐标空间中因电极层的有/无而产生的变化量Δ Eab小于等于4. 0。f-b*色彩坐标空间是一种色彩坐标空间， 以及人眼的模拟物非线性响应。因此，f-b*色彩坐标空间中的两个坐标之间的几何距离可以被看作是人眼之间的相对知觉差异。可以基于入射角为12°时，通过使用分光测量设备和“JIS Z-8729”所规定的测量方法所测得的波长范围在380nm到780nm之间的透过率和反射率的测量值，来计算f-b*色彩坐标空间中的变化量。如图3及图4所示，层压结构4、 7和19的任一者具有小于等于2. 0%的分光透过率的Δ Y和小于等于2. 0%的分光反射率的ΔΥ。此外，层压结构4、7和19的任一者具有小于等于4.0%的分光透过率的AEab和小于等于4.0%的分光反射率的ΔΕε 。具有上述层压结构的电极薄膜1比较小，使得电极区域Ia的色彩与非电极区域Ib 的色彩之间的差异对于人眼可以忽略。结果，阻止了用户因电极区域Ia的色彩与非电极区域Ib的色彩之间的差异而对电极图案的识别。如上所述，本实施例的电极薄膜1被构造为使得电极区域Ia的全光透过率大于等于85%，电极区域Ia的全光透过率与非电极区域Ib的全光透过率之间的差异小于2%。结果，阻止了用户因电极区域Ia的光透过率与非电极区域Ib的光透过率之间的差异而对电极图案的识别。此外，本实施例的电极薄膜被构造为使得电极区域Ia的刺激值Y与非电极区域Ib的刺激值Y之间的差异小于等于2. 0。结果，阻止了用户因电极区域Ia的光反射率与非电极区域Ib的光反射率之间的差异而对电极图案的识别。此外，本实施例的电极薄膜被构造为使得电极区域Ia和非电极区域Ib的色彩坐标空间中的变化量小于等于 4. 0。结果，阻止了用户因电极区域Ia的色彩与非电极区域Ib的色彩之间的差异而对电极图案的识别。换言之，在电极薄膜1中，电极区域Ia的光学性能与非电极区域Ib的光学性能之间的差异较小。因此，由于电极薄膜1，可以阻止用户对图案的视觉识别，并且显示器的视觉识别性不会降低。(电极薄膜的制造方法)将描述电极薄膜1的制造方法。在此，作为示例，假定在电极薄膜1中，高折射率层3是五氧化二铌(Nb2O5),低折射率层4是二氧化硅(SiO2)，并且电极层5是氧化铟锡(ITO)，并且进行描述。图5示出了电极薄膜1的制造设备10的概要视图。如图5所示，制造设备10包括腔室11、卷出轴12、主辊13、卷入轴14、导向辊15、第一阴极16、第二阴极17和第三阴极18。卷出轴12、主辊13、卷入轴14、导向辊15、第一阴极16、第二阴极17和第三阴极18被存放在腔室11中。作为基板2的材料的薄膜F被设定在卷出轴12、主辊13、和导向辊15上。该薄膜 F可以是通过利用丙烯酸树脂涂覆PET树脂而得到的薄膜。从卷出轴12卷开的薄膜F经由导向辊15绕主辊13和卷入轴14卷绕。通过旋转卷出轴12和卷入轴14，薄膜F可以经由主辊13从卷出轴12移向卷入轴14。第一阴极16、第二阴极17和第三阴极18分别是喷溅性阴极，预定的喷溅目标被设置在该喷溅性阴极上。第一阴极16、第二阴极17和第三阴极18分别以面对主辊13的方式配置。它们从卷出轴12侧(即，薄膜F的上游侧)开始以第一阴极16、第二阴极17和第三阴极18的次序配置。此外，第一气体导入管19设置在第一阴极16附近。第二气体导入管 20设置在第二阴极17附近。第三气体导入管21设置在第三阴极18附近。第一阴极16是用以形成高折射率层3的阴极，并且包括Nb制成的目标材料16a。 第二阴极17是用以形成低折射率层4的阴极，并且包括Si制成的目标材料17a。第三阴极 18是用以形成电极层5的阴极，并且包括IN-Sn-O复合氧化物制成的目标材料18a。Ar和 O2被供给到腔室11作为等离子体产生气体，并且通过使用上述目标产生喷溅声(反应性喷溅声)。因此，形成了分别由Nb205、SiO2* ITO制成的薄膜。可以响应于各层的材料，任意改变上述目标材料和等离子体产生气体。将描述电极薄膜1的制造流程。在如上所述设定薄膜F之后，抽空腔室11。在此情况下，可以使薄膜F往复运动， 以去除包含在该薄膜F中的气体。在使腔室11减压到约IxlO-3I^时，从第一气体导入管 19、第二气体导入管20和第三气体导入管21中引出等离子体产生气体(如Ar)。在此情况下，等离子体产生气体的流速被调节为使得腔室11内的压力约为0. 5Pa。接着，将电力施加到第一阴极16、第二阴极17和第三阴极18，并且将等离子体产生气体转变为等离子体。逐渐增加并调节被施加到各阴极的电压，以达到预定的功率。在此情况下，可以通过使薄膜F以极低的速度移动而阻止薄膜F因等离子体放电伴随的热载荷而发生变形。基于预先得到的薄膜成形速度与电力之间的关系来确定被施加至各阴极的电力。随后，从气体导入管中导入极其少量的O2，并且开始移送薄膜F。旋转卷出轴12和卷入轴14，从而使薄膜F在主辊13上移送。通过等离子体从各阴极的目标材料中产生的喷溅微粒飞向薄膜F。设置在移动薄膜F上游侧上的第一阴极16 层压薄膜F (基板2，其具有由Nb2O5制成的高折射率层幻。被设置的第二阴极17接着层压高折射率层3 (其具有由S^2制成的低折射率层4)。此外，第三阴极18层压低折射率层4 和ITO制成的电极层5。卷入轴14卷绕所形成的层压板，并且完成了薄膜的成形。随后，上述层压板的电极层5通过蚀刻法等经受图案化，并且以预定的尺寸切割该层压板。结果，制造了电极薄膜1。注意，电极薄膜1可以通过不同于上述方法的方法来制造。例如，可以使用一种材料设置多个喷溅性阴极。可替换地，可以只设置一个喷溅性阴极，并且在形成单一材料制成的薄膜之后，改变喷溅目标，并且再次形成薄膜。除了喷溅法之外，可以采用沉积法、等离子体化学汽相沉积(CVD)法或者激光消融法来形成各层。以上述方式，可以制造电极薄膜1。注意，使如上所述制造的电极薄膜1在150°C的烤炉中经受热处理达60min，藉以阻止其尺寸变形，并且使电极层5晶格化。对上述被热处理过的薄膜执行上述光学性能的测量。(触摸屏的结构)接着，将描述使用了电极薄膜1的触摸屏。图6概要示出了触摸屏30的结构的分解透视图。如图6所示，触摸屏30包括层压的显示器D、两片电极薄膜1(以下称为电极薄膜 IX和电极薄膜1Y)以及罩面板C。显示器D是IXD(液晶显示器)或者类似物。罩面板C 保护电极薄膜1。罩面板C和显示器D夹持着电极薄膜IX和电极薄膜1Y。电极薄膜IX和电极薄膜IY与透明粘合剂和胶黏剂结合在一起。注意，在图6中，并未示出电子装置的壳体，其中该电子装置包括触摸屏30、用于触摸的驱动电路等。电极薄膜IX的电极区域Ia和非电极区域Ib的配置不同于电极薄膜IY的电极区域Ia和非电极区域Ib的配置。图7A和图7B示出了电极薄膜IX的电极区域Ia和非电极区域Ib的配置以及电极薄膜IY的电极区域Ia和非电极区域Ib的配置的平面图。图7A 示出了电极薄膜IX的电极区域Ia和非电极区域Ib的配置以及电极薄膜IY的电极区域Ia 和非电极区域Ib的配置。图7B示出了在电极薄膜IX和电极薄膜IY彼此重叠的情况下， 各个电极薄膜IX和电极薄膜IY的电极区域Ia和非电极区域Ib的配置。如图7A和图7B 所示，菱形电极图案被连接在电极薄膜IX上的方向不同于菱形电极图案被连接在电极薄膜IY上的方向。上述方向彼此正交。此外，电极薄膜IX和电极薄膜IY被配置为使得当层压电极薄膜IX的电极区域Ia和电极薄膜IY的电极区域Ia时，两者不会彼此重合。在此，触摸屏30的工作原理使用了下述现象。也就是说，当操作子经由罩面板C 靠近电极薄膜IX和电极薄膜IY时，由于操作子与各电极膜中的电极区域Ia之间的电容耦合作用，使电极布线交叉电容降低。基于被连接到电极区域Ia的检测电路的输出，指定了其中交叉电容降低的交叉位置，即用户手指靠近的交叉位置。因此，检测了指示位置坐标。 由此，电极薄膜IX的电极区域Ia和电极薄膜IY的电极区域Ib被形成为使得它们不会彼此重合，并且能够与操作子电容耦合的区域增大。如图7B所示，电极薄膜IX和电极薄膜IY之一的电极区域Ia与其它电极薄膜的非电极区域Ib不会完全一致。在两个电极薄膜的电极区域Ia之间形成了间隙。原因如下。 如果电极区域Ia彼此重合，则重合部分中的光透过性降低。因此，在电极薄膜IX和电极薄膜IY互相重叠的状态下，存在各个电极薄膜的电极区域Ia和非电极区域Ib彼此重合的区域(以下，图案化区域)和各个电极薄膜的非电极区域Ib彼此重合的区域(以下，无图案化区域)。因此，在电极薄膜1中，如果电极区域Ia的光学性能不同于非电极区域Ib的光学性能，则上述图案化区域的光学性能不同于上述无图案化区域的光学性能。在此，在本实施例的触摸屏中，如上所述，电极区域Ia的光学性能与非电极区域Ib的光学性能之间的差异较小。因此，图案化区域的光学性能与无图案化区域的光学性能之间的差异也较小。此外， 显示器的视觉识别性不会降低。(应用示例)下面，将描述本实施例的应用示例。在应用示例中，具有不同结构的电极薄膜IX和电极薄膜IY互相重叠，通过眼睛来
10评估视觉识别性。图8示出了对应用示例的触摸屏的图案的视觉识别性的评估结果表。被采用的层压结构是上述实施例的各个层压结构。如图8所示，在所采用的层压结构是上述实施例所述的层压结构4、7、8、10、17、19 和22的情况下，即在全光透过率大于等于85%，并且电极区域与非电极区域之间的透过性差异小于2%的情况下，触摸屏图案化的视觉识别性是令人满意的。本发明并不限于本实施例，并且可以在本发明的范畴内对其进行修改。 在本实施例中，假定坐标检测装置是投影型电容触摸屏，但是并不限于此。本发明可以例如被施加到其中形成有电极图案的矩阵型抵抗触摸屏。本申请包含于2010年9月8日向日本特许厅递交的日本在先专利申请 JP2010-200776涉及的主题，在此通过引用将其全部内容包含在本说明书中。本领域的技术人员可以理解，在不脱离所附权利要求的范围及其等同范围的前提下，取决于设计要求及其他因素，可以进行各种改变、组合、子组合以及替换。
权利要求
1.一种电极薄膜，其包括基板，所述基板具有光透过性；以及层压板，所述层压板包括高折射率层，所述高折射率层层压在所述基板上并且由高折射率材料制成，所述高折射率材料具有大于1. 50的绝对折射率，并且所述高折射率层具有大于等于2nm且小于等于 20nm的厚度，低折射率层，所述低折射率层层压在所述高折射率层上并且由低折射率材料制成，所述低折射率材料具有小于1. 50的绝对折射率，并且所述低折射率层具有大于等于IOnm且小于等于IOOnm的厚度，以及被图案化的电极层，所述被图案化的电极层层压在所述低折射率层上并且由透明导电材料制成，并且所述被图案化的电极层具有小于等于350Ω/ □的表面阻抗，所述层压板具有大于等于85%的全光透过率，所述全光透过率由JISK-7105规定，并且所述全光透过率因所述电极层的有/无而产生的差异小于2%。
2.根据权利要求1所述的电极薄膜，其中由JIS Z-8701规定的透过率的刺激值Y因所述电极层的有/无而产生的差异小于等于 2. 0。
3.根据权利要求1所述的电极薄膜，其中由JIS Z-8701规定的反射率的刺激值Y因所述电极层的有/无而产生的差异小于等于 2. 0。
4.根据权利要求1所述的电极薄膜，其中由JIS Z-8729规定的透过率的f-b*色彩坐标空间中的坐标因所述电极层的有/无而产生的差异小于等于4.0。
5.根据权利要求1所述的电极薄膜，其中由JIS Z-87^规定的反射率的色彩坐标空间中的坐标因所述电极层的有/无而产生的差异小于等于4.0。
6.根据权利要求1所述的电极薄膜，其中所述高折射率层由一氧化铌制成， 所述低折射率层由二氧化硅制成，并且所述电极层由氧化铟锡制成。
7.一种坐标检测装置，其包括显示屏，所述显示屏被构造为显示图像；以及至少一个电极膜，所述至少一个电极膜包括基板，所述基板具有光透过性，以及层压板，所述层压板包括高折射率层，所述高折射率层层压在所述基板上并且由高折射率材料制成，所述高折射率材料具有大于1. 50的绝对折射率，并且所述高折射率层具有大于等于2nm且小于等于 20nm的厚度，低折射率层，所述低折射率层层压在所述高折射率层上并且由低折射率材料制成，所述低折射率材料具有小于1. 50的绝对折射率，并且所述低折射率层具有大于等于IOnm且小于等于IOOnm的厚度，以及被图案化的电极层，所述被图案化的电极层层压在所述低折射率层上并且由透明导电材料制成，并且所述被图案化的电极层具有小于等于350Ω/ □的表面阻抗，所述层压板具有大于等于85%的全光透过率，所述全光透过率由JIS K-7105规定，并且所述全光透过率因所述电极层的有/无而产生的差异小于2%。
全文摘要
本发明涉及电极薄膜和坐标检测装置，该电极薄膜包括基板和层压板，该层压板包括高折射率层，该高折射率层层压在该基板上并且由高折射率材料制成，该高折射率材料具有大于1.50的绝对折射率并且具有大于等于2nm且小于等于20nm的厚度；低折射率层，该低折射率层层压在该高折射率层上并且由低折射率材料制成，该低折射率材料具有小于1.50的绝对折射率并且具有大于等于10nm且小于等于100nm的厚度；以及被图案化的电极层，该被图案化的电极层层压在该低折射率层上并且由透明导电材料形成，并且该被图案化的电极层具有小于等于350Ω/□的表面阻抗，所述层压板具有大于等于85％的全光透过率，该全光透过率由JIS K-7105规定，并且该全光透过率因该电极层的有/无而产生的差异小于2％。
文档编号G06F3/044GK102446577SQ20111026564
公开日2012年5月9日 申请日期2011年9月1日 优先权日2010年9月8日
发明者若生任志, 高浜吉隆 申请人:索尼公司