专利名称：电容式触摸板的制作方法
技术领域：
电容式触摸板
技术领域：
本实用新型涉及一种触摸感应设备，尤其是一种电容式触摸板。背景技术：
触摸板自从其出现以来经过了迅速地发展，现今触摸板已经广泛地应用于各种装置中，如液晶显示器、手机以及游戏机等等。触摸板具有多种类型，市场上用的最多的是电容式触摸板。传统的电容式触摸板一般包括用于保护的盖板、两个用绝缘介质相互间隔的电容式感应层以及两个分别用于支撑所述电容式感应层的结构层。在不同的应用中，这种结构至少具有三层，使得触摸板变得很厚。一种减少电容式触摸板厚度的方式是在触摸板中使用单层的感应层。图37是一种导电图形结构的平面示意图，该导电图形结构是单层的感应层，包括多个第一方向导电组件(如第一方向导电组件2 和多个第二方向导电组件(如第二方向导电组件对)。相对于传统的将感应层放置在结构层上，该单层的感应层直接层叠于盖板10上。第一方向导电组件22包括由多段导电线(如导电线226)连接的多个邻接的导电单元(如图37所示，导电单元222、224)。同样的，第二方向导电组件M包括由多段导电线 (如导电线M6)连接的多个邻接的导电单元(如图37所示，导电单元对2、对4)。第一方向导电组件的导电线与第二方向导电组件的导电线之间设有绝缘层(如图37中的绝缘层 30)。然而在导电组件的这种设置方式中，第一方向导电组件与第二方向导电组件之间会有空隙(如空隙112)。图38是光沿着图37的剖面线A-A’的传播路径的原理示意图。部分外部的入射光(如入射光102)仅在盖板10的表面反射，得到反射光104 ；部分入射光(如入射光106) 在盖板10表面和导电组件表面(如图37中的导电组件224)均发生反射，得到反射光108、 110。盖板10和导电层分别采用不同的材料制成，如盖板10采用玻璃而导电层采用氧化铟锡(indium tin oxide, IT0)，故盖板10和导电层的折射率并不相同，因此在触摸板上因不同部分而产生不同的反射光将使这两层看起来不一样，以致用户很容易看到盖板10 之下的导电层。
实用新型内容鉴于上述，有必要提供一种具有单层的感应层的电容式触摸板，其能够克服上述传统的电容式触摸板易于看到导电层的缺点。一种电容式触摸板，包括单层基板、设于所述单层基板边缘区域的遮蔽层以及具有多个第一方向导电组件和多个第二方向导电组件的电容式感应层，其中单层基板、遮蔽层和电容式感应层是一体成型，还包括填充于第一方向导电组件和第二方向导电组件之间的间隙中的绝缘性辅助介质，所述辅助介质的折射率与电容式感应层的折射率相匹配。[0010]优选地，所述单层基板为用于保护电容式感应层的盖板或用于支撑电容式感应层的结构层。优选地，所述遮蔽层包括黑矩阵。优选地，所述辅助介质是二氧化硅和二氧化钛中的一种。优选地，所述辅助介质是一种透明绝缘光阻。优选地，所述辅助介质是选自以下材料中的一种折射率为1.5 1.6的二氧化硅、折射率为1. 7 1. 8的二氧化钛、折射率为2. 0 2. 1的五氧化二铌以及折射率为 1. 5 1. 6的透明绝缘光阻。优选地，每个第一方向导电组件包括多个等间距的第一方向导电单元，每个第二方向导电组件包括多个等间距的第二方向导电单元，同一方向上相邻的导电单元是通过导电线互相连接，所述辅助介质是绝缘的且覆盖于第二方向的导电线之上。优选地，具有三种填充所述辅助介质的形式间隙平整填充式、间隙溢出填充式以及穿孔式的全面涂布。优选地，每个导电组件与边缘区域的相对应的信号传输线连接，且连接方式可采用以下方式中的至少一种通过接触孔连接、通过直接接触连接以及通过非接触方式的电性连接。优选地，所述接触孔形成于遮蔽层，所述信号传输线穿过所述接触孔且信号传输线的一端与导电组件接触。优选地，所述接触孔形成于遮蔽层，所述导电组件穿过所述接触孔且导电组件的
一端与信号传输线接触。优选地，所述导电组件与信号传输线直接接触，且二者在边缘区域均被遮蔽层覆
至
ΓΤΠ ο优选地，导电组件和信号传输线依次被透明介电层和遮蔽层覆盖。优选地，透明介电层材料是选自以下材料中的一种硅、硅氧化物和硅氮化物。优选地，导电组件和信号传输线被设置于遮蔽层底下的透明介电层覆盖。优选地，所述导电组件直接与信号传输线接触，且二者在边缘区域均覆盖于遮蔽层上。优选地，所述导电组件和信号传输线都设于覆盖在遮蔽层的透明介电层上。优选地，透明介电层材料是选自以下材料中的一种硅、硅氧化物和硅氮化物。优选地，遮蔽层是各向异性材料且设于导电组件和信号传输线之间，在导电组件和信号传输线的连接方向上导电。优选地，每个导电组件在单层基板可视区域与部分的信号传输线以直接接触方式连接。优选地，每个导电组件在边缘区域与信号传输线连接采用双面结构，所述双面结构包括设于单层基板同一面的导电组件和信号传输线、设于所述单层基板的另一面并对应边缘区域的遮蔽层以及与所述遮蔽层处于单层基板同一面并覆盖所述遮蔽层的透明钝化层。优选地，每个导电组件在边缘区域与信号传输线连接采用双面结构，所述双面结构包括设于单层基板同一面的第一方向导电组件和信号传输线、设于所述单层基板的另一面且延伸至边缘区域并被遮蔽层部分覆盖的第二方向导电组件以及与所述遮蔽层处于同一面并同时覆盖所述第二方向导电组件和遮蔽层的透明钝化层。优选地，所述遮蔽层和与遮蔽层处于同一面的第二方向导电组件之间设有透明介电层。优选地，所述电容式感应层的材料是选自以下材料中的一种透明导电氧化物、导电聚合物以及碳纳米管材料。优选地，遮蔽层材料是黑色光阻材料、黑色树脂和黑色油墨中的一种。上述电容式触摸板，使电容式感应层的第一方向组件和第二方向组件之间的间隙被辅助介质填充，并且辅助介质的折射率与电容式感应层的折射率匹配，从而光在不同部位反射的效果一致，用户不易从外部看到触摸板的内部结构，使触摸板的外形更美观。
图1是本实用新型第一实施例的电容式触摸板的平面示意图；图2是光沿着图1的剖面线B-B’的传播路径的原理示意图；图3是根据本实用新型第一优选实施例的电容式触摸板的部分结构平面示意图；图4是图3沿剖面线D-D，的剖视图；图5是具有间隙平整填充式的电容式触摸板的部分结构平面示意图；图6是图5沿剖面线E-E，的剖视图；图7是具有间隙溢出填充式的电容式触摸板的部分结构平面示意图；图8是图7沿剖面线F-F，的剖视图；图9是具有穿孔式的全面涂布的电容式触摸板的部分结构平面示意图图10是图9沿剖面线G-G，的剖视图；图11示出如何采用气溶胶式印刷方式填充空隙；图12示出如何采用喷墨式印刷方式填充空隙；图13示出如何采用光刻方式填充空隙；图14是根据本实用新型第二实施例在图1中沿剖面线C-C’的剖视图；图15是根据本实用新型第二优选实施例在图1中沿剖面线C-C’的剖视图；图16是根据本实用新型第三实施例在图1中沿剖面线C-C’的剖视图；图17是根据本实用新型第三优选实施例在图1中沿剖面线C-C’的剖视图；图18是根据本实用新型第三替代实施例在图1中沿剖面线C-C’的剖视图；图19是根据本实用新型另一第三替代实施例在图1中沿剖面线C-C’的剖视图；图20是根据本实用新型第四实施例在图1中沿剖面线C-C’的剖视图；图21是根据本实用新型第四优选实施例在图1中沿剖面线C-C’的剖视图；图22是根据本实用新型第四替代实施例在图1中沿剖面线C-C’的剖视图；图23是根据本实用新型另一第四替代实施例在图1中沿剖面线C-C’的剖视图；图M是根据本实用新型第五实施例在图1中沿剖面线C-C’的剖视图；图25是根据本实用新型第五优选实施例在图1中沿剖面线C-C’的剖视图；图沈是根据本实用新型第五替代实施例在图1中沿剖面线C-C’的剖视图；图27是根据本实用新型第六实施例在图1中沿剖面线C-C’的剖视图；[0062]图观是根据本实用新型第六优选实施例在图1中沿剖面线C-C’的剖视图；图四是根据本实用新型第六替代实施例在图1中沿剖面线C-C’的剖视图；图30是根据本实用新型第七实施例在图1中沿剖面线C-C’的剖视图；图31是根据本实用新型第七替代实施例在图1中沿剖面线C-C’的剖视图；图32是根据本实用新型第八实施例在图1中沿剖面线C-C’的剖视图；图33是根据本实用新型第八替代实施例在图1中沿剖面线C-C’的剖视图；图34是根据本实用新型第九实施例在图1中沿剖面线C-C’的剖视图；图35是根据本实用新型第九替代实施例在图1中沿剖面线C-C’的剖视图；图36是根据本实用新型第九优选实施例在图1中沿剖面线C-C’的剖视图；图37是一种传统的导电图形结构的平面示意图；图38是光沿着图37的剖面线A_A，的传播路径的原理示意图。
具体实施方式
以下结合附图进行进一步说明。请参阅图1，本实用新型第一实施例的电容式触摸板的平面示意图。该电容式触摸板包括单层基板40、形成于单层基板40边缘区域的遮蔽层50以及形成于大部分的中央区域并被边缘区域环绕的电容式感应层。单层基板40、遮蔽层50以及电容式感应层是一体成型。本实用新型的单层基板40即可以是保护电容式感应层的盖板，也可以是支撑该电容式感应层的结构层。遮蔽层50用于遮盖触摸板边缘区域的内部结构，一般是但不限于黑矩阵 (black matrices) 0在优选的实施例中，上述的中央区域是单层基板40的可视区域。电容式感应层包括多个平行的第一方向导电组件(如第一方向导电组件6 和多个垂直于第一方向导电组件的第二方向导电组件(如第二方向导电组件64)。每个第一方向导电组件包括多个等间距的第一方向导电单元(如第一方向导电单元62 ，每个第二方向导电组件包括多个等间距的第二方向导电单元(如第二方向导电单元642)。第一方向导电单元和第二方向导电单元的形状可以为正六边形、菱形或其他多边形。第一方向导电单元和第二方向导电单元分隔开并且相互之间形成间隙。间隙的宽度大约为30μπι。该电容式触摸板进一步包括填充在上述间隙中的辅助介质80。辅助介质80的折射率与电容式感应层的折射率匹配，因此该电容式感应层不会被用户(从盖板外部)看到。为传输触摸信号，同一方向上相邻的导电单元通过导电线(如第一方向导电组件中的导电线拟4和第二方向导电组件中的导电线644)连接。辅助介质80为绝缘介质，且覆盖导电线644使导电线622和导电线644相互绝缘。图2是光沿着图1的剖面线Β-Β’的传播路径的原理示意图。入射光410首先在单层基板40表面发生反射和折射，得到反射光412，折射光进一步在填充了辅助介质80的间隙区域表面反射，得到反射光414。入射光420首先在单层基板40表面发生反射和折射， 得到反射光422，折射光进一步在导电组件表面反射，具体地，是在图2中导电组件的导电单元622表面反射，得到反射光424。由于辅助介质80的折射率与电容式感应层的折射率匹配，不论入射点在哪里，入射光都会以同样的方式被反射，因此触摸板具有统一的视觉效果，用户无法轻易区分间隙和导电组件，从而使触摸板外形更加美观。进一步地，辅助介质80形成于导电线6 与导电线644之间，故导电线6 与导
7电线644绝缘。与传统的采用绝缘层来实现上述绝缘效果的触摸板相比，本实用新型的辅助介质80既可用于导电线6M与导电线644之间的绝缘层，又为间隙进行折射系数匹配。 故简化了制造该触摸板的工艺。在优选的实施例中，辅助介质的折射率为1.5 2. 1，而电容式感应层可由折射率为1. 7 1. 8的氧化铟锡制成。辅助介质采用如下透明材料中的一种制得折射系数为1. 5 1. 6的二氧化硅(Silicon Dioxide, SiO2)、折射系数为1. 7 1. 8的二氧化钛 (Titanium Dioxide, TiO2)、折射系数为 2. 0 2. 1 的五氧化二铌(NiobiumPentoxide， Nb2O5)以及其他类似的折射率为1.5 1.6的透明绝缘材料。该电容式感应层为单层并直接形成与单层基板40上，因此没有必要提供传统的两层结构层用于支撑电容式感应层，故整个触摸板的厚度将会减小。如上所述，辅助介质80填充在间隙中。填充工艺可由多种方式实现，如气溶胶式印刷(aerosol jet printing)、喷墨式印刷(ink jet printing)和光刻 (photolithography)。图3是根据本实用新型第一优选实施例的电容式触摸板的部分结构平面示意图，图4是图3沿剖面线D-D’的剖视图。电容式触摸板的第一方向导电组件69 和第二方向导电组件67形成于单层基板40上，并且包括方形的导电单元，布设于第一方向上的导电单元692、694相互之间未连接，布设于第二方向上的导电单元672、674由导电线 676电连接，导电单元692、694与导电单元672、674分隔开，相互之间形成间隙。上述间隙被辅助介质80填充之后，具有三种填充形式间隙平整填充式、间隙溢出填充式以及穿孔式的全面涂布。在间隙平整填充式中，辅助介质80刚好将间隙填满而不会从间隙中溢出，如图5所示。辅助介质80同时也形成于导电线676上。图6是图5沿剖面线E-E’的剖视图。在间隙溢出填充式中，辅助介质80从间隙中溢出且覆盖导电单元的一部分，如图7所示。图8是图7沿剖面线F-F’的剖视图。在穿孔式的全面涂布中，如图 9所示，辅助介质80覆盖几乎整个感应层。至少两个接触孔696形成于辅助介质80中，用于连接导电单元692、694。图10是图9沿剖面线G-G，的剖视图。有三种用辅助介质填充间隙的方式。图11示出如何采用气溶胶式印刷方式填充空隙。具有间隙的触摸感应层2形成于基板1上。气溶胶式印刷方式包括将雾化的粒子流束引导到基板上的步骤。高速流束使粒子冲击基板。其后通常需要一个加热工序使粒子烧结并粘附于基板上。粒子直径(约IOym)远小于间隙宽度。图12示出如何采用喷墨式印刷方式填充空隙。喷墨式印刷方式采用将单个小墨滴推送到基板上的工作方式。墨水通过多种方式如压力、加热和振动等从喷枪中挤出。墨滴通常具有大于30 μ m的直径。图13示出如何采用光刻方式填充空隙。该方法首先在电容式感应层2上形成绝缘且与单层基板40几乎相同尺寸的辅助介质3，其次采用光刻刻蚀辅助介质3，仅使辅助介质3填充间隙。为使辅助介质3能够恰好填充在间隙中，遮光板4必须精确地与间隙对齐并且通过光源5照射。因为辅助介质3同时也形成于导电线上，另一在导电线上形成绝缘层的工序可以省去。在上述的填充工艺之后，布设于第二方向上的导电单元622接下来通过导电线 624电连接，导电线6M与导电线644交叉且绝缘，如图1所示。导电线6M可以是金属线或者透明导线。导电单元622之间的连接可直接接触连接或通过接触孔连接。[0086]请参阅图1，每个导电组件都与设于单层基板40边缘区域的信号传输线(如信号传输线90)电性连接，导电组件与信号传输线的连接可采用如下方式中的一种通过接触孔连接、直接接触连接以及通过非接触方式的电连接。在采用接触孔连接导电组件和信号传输线的方式中，接触孔形成于遮蔽层50。请参阅图14，是根据本实用新型第二实施例在图1中沿剖面线C-C’的剖视图。遮蔽层50遮蔽导电组件66的部分，接触孔502形成于遮蔽层50。信号传输线90穿过接触孔 502 一端与导电组件66接触。图15是根据本实用新型第二优选实施例在图1中沿剖面线C-C’的剖视图。本实施例中，遮蔽层50遮蔽信号传输线90，接触孔502形成于遮蔽层50。导电组件66穿过接触孔502的一端与信号传输线90接触。遮蔽层50中可有多个接触孔，接触孔的形状可以是矩形、圆形或者多边形。通过直接接触连接导电组件和信号传输线的方式中，导电组件与信号传输线是直接接触。请参阅图16，是根据本实用新型第三实施例在图1中沿剖面线C-C’的剖视图。导电组件66与信号传输线90直接接触，并且二者在边缘区域都被遮蔽层50覆盖，其中信号传输线90重叠于导电组件66之上。图17是根据本实用新型第三优选实施例在图1中沿剖面线C-C’的剖视图。部分导电组件66和信号传输线90依次被透明介电层52和遮蔽层50覆盖，透明介电层52的存在是防止因遮蔽层50是导体材料，而干扰导电组件66的感测或信号传输线90的信号传输，其中信号传输线90重叠于导电组件66之上。图18是根据本实用新型第三替代实施例在图1中沿剖面线C-C’的剖视图。本实施例中，接触具有其他形式。导电组件66与信号传输线90直接接触，二者在边缘区域都被遮蔽层50覆盖，其中导电组件66重叠于信号传输线90之上。透明介电层52同样可以加入并位于导电组件66和信号传输线90之上、遮蔽层50之下，以防止因遮蔽层50是导体材料所产生的感测错误或传输错误。介质层52同时覆盖部分导电组件66和信号传输线90， 并设于遮蔽层50下，如图19所示。图16所示实施例与图18所示实施例的区别、图17所示实施例与图19所示实施例的区别在于形成导电组件66和信号传输线90的次序不同。其中，如图16和图18所示， 导电组件66首先形成于单层基板40上，然后信号传输线90形成并重叠于部分导电组件66 上；如图17和图19所示，信号传输线90首先形成于单层基板40上，然后导电组件66形成并重叠于部分信号传输线90上。请参阅图20，是根据本实用新型第四实施例在图1中沿剖面线C-C’的剖视图。导电组件66与信号传输线90直接接触，并且二者在边缘区域均设于遮蔽层50之上，其中信号传输线90重叠于导电组件66之上。图21是根据本实用新型第四优选实施例在图1中沿剖面线C-C’的剖视图，导电组件66与信号传输线90设于透明介电层52之上，透明介电层52覆盖遮蔽层50，以防止遮蔽层50是导体。图22是根据本实用新型第四替代实施例在图1中沿剖面线C-C’的剖视图。导电组件66与信号传输线90直接接触，并且二者在边缘区域均设于遮蔽层50之上，其中导电组件66重叠于信号传输线90之上，介电层52同样可以加入并位于遮蔽层50上，以将导电组件66、信号传输线90与遮蔽层50分隔开，防止遮蔽层50是导体材料，如图23所示。图20所示实施例与图22所示实施例的区别、图21所示实施例与图23所示实施例的区别在于形成导电组件66和信号传输线90的次序不同。在其他实施例中，所有导电组件66和信号传输线90的直接接触也可以是在上述的可视区域，而不是边缘区域。图M是根据本实用新型第五实施例在图1中沿剖面线C-C’ 的剖视图。导电组件66设于单层基板40上，遮蔽层50重叠于导电组件66之上，部分信号传输线90在可视区域与导电组件66接触，另外部分的信号传输线90则在边缘区域重叠于遮蔽层50上。在第五实施例的基础上，如图25所示，透明介电层52设于导电组件66和遮蔽层50之间，以防止遮蔽层50是导体。在一可替代实施例中，如图沈所示，透明介电层52 设于遮蔽层50和信号传输线90之间，以防止遮蔽层50是导体。图27是根据本实用新型第六实施例在图1中沿剖面线C-C’的剖视图。信号传输线90设于单层基板40上，部分信号传输线90位于边缘区域并被遮蔽层50覆盖，另外部分的信号传输线90位于可视区域并且被导电组件66覆盖。导电组件66与信号传输线90在可视区域直接接触，并在边缘区域重叠于遮蔽层50上。在第六实施例的基础上，如图观所示，透明介电层52设于遮蔽层50和信号传输线90之间，以防止遮蔽层50是导体。在一可替代实施例中，如图四所示，透明介电层52设于导电组件66和遮蔽层50之间，以防止遮蔽层50是导体。上述实施例中，透明介电层材料是选自以下材料中的一种硅、硅氧化物和硅氮化物。 在通过非接触方式对导电组件和信号传输线的电性连接方式中，导电组件和信号传输线被遮蔽层分隔开。图30是根据本实用新型第七实施例在图1中沿剖面线C-C’的剖视图。信号传输线90完全被遮蔽层50覆盖，导电组件66重叠于遮蔽层50上，遮蔽层50 与导电组件66重叠的部分也与信号传输线90接触。遮蔽层50由各向异性材料制成，即遮蔽层50在特定方向(如Y方向)上具有导电性，因为遮蔽层50在X方向或其他方向的阻值很高，遮蔽层50在这些非特定方向是非导电的。本实施例中，遮蔽层50在连接导电组件 66和信号传输线90的方向上具有导电性，因此导电组件66和信号传输线90可通过遮蔽层 50电连接。在一可替代实施例中，如图31所示，导电组件66部分被遮蔽层50覆盖，信号传输线90单独设于遮蔽层50上，导电组件66、遮蔽层50和信号传输线90具有公共的重叠部分，遮蔽层50由各向异性材料制成。两种以上的上述连接方式可同时应用。图32是根据本实用新型第八实施例在图 1中沿剖面线C-C’的剖视图。导电组件66设于单层基板40上，遮蔽层50重叠于导电组件66上，且遮蔽层50的重叠部分设有接触孔502。信号传输线90通过直接设于导电组件 66上与导电组件66直接接触，同时信号传输线90穿过接触孔502与导电组件66接触。图 33是根据本实用新型第八替代实施例在图1中沿剖面线C-C’的剖视图。信号传输线90设于单层基板40上，遮蔽层50重叠于信号传输线90上，且遮蔽层50重叠的部分具有接触孔 502。导电组件66通过直接将导电组件66设于信号传输线90未被遮蔽层50覆盖的部分上与信号传输线90接触。导电组件66也穿过接触孔502与信号传输线90被遮蔽层50覆盖的部分接触。图32所示实施例与图33所示实施例的区别在于导电组件66和信号传输线90形成的顺序。上述所有实施例都是单面结构，即遮蔽层、导电组件、信号传输线等都设于单层基板40的一面。除上述的单面结构外，还有双面结构。请参阅图34，是根据本实用新型第九实施例在图1中沿剖面线C-C’的剖视图。导电组件66和信号传输线90均设于单层基板40的同一面，对应于边缘区域的遮蔽层50则设于单层基板40的另一面。透明钝化层402用于防眩光和/或防反射。导电组件66通过直接接触和信号传输线90连接，示例为导电组件66重叠于信号传输线90上。另一可替代实施例中，多个导电组件可分设于单层基板40的两面，如图35所示。 图35是根据本实用新型第九替代实施例在图1中沿剖面线C-C’的剖视图。第一方向导电组件66A和信号传输线90设于单层基板40的同一面，第二方向导电组件66B则设于单层基板40的另一面。第二方向导电组件66B延伸至边缘区域并部分被遮蔽层50覆盖。透明钝化层402与遮蔽层50设于同一面并同时遮盖第二方向导电组件66B和遮蔽层50。第一方向导电组件66A通过直接接触与信号传输线90连接，示例为第一方向导电组件66A重叠于信号传输线90上。在另一优选实施例中，也可以在遮蔽层50和第二方向导电组件66B 之间加入透明介电层52，防止遮蔽层50是导体，如图36所示。在上述双面结构中，直接接触形式是导电组件66重叠于信号传输线90上。实际上直接接触形式还可以是信号传输线90重叠于导电组件66上。电容式感应层的材料是选自透明导电氧化物(Transparent Conduction Oxide, TC0)、导电聚合物(conductive polymer)、碳纳米管材料(Carbon Nanotube,CNT)以及其他类似物中的一种。其中，氧化铟锡andium Tin Oxide, ΙΤ0)是属于透明导电氧化物的一种。遮蔽层材料是黑色光阻材料、 黑色树脂、黑色油墨或具有其他颜色的类似材料。以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细， 但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。
权利要求1.一种电容式触摸板，其特征在于，包括单层基板、设于所述单层基板边缘区域的遮蔽层以及具有多个第一方向导电组件和多个第二方向导电组件的电容式感应层，其中单层基板、遮蔽层和电容式感应层是一体成型，还包括填充于第一方向导电组件和第二方向导电组件之间的间隙中的绝缘性辅助介质，所述辅助介质的折射率与电容式感应层的折射率相匹配。
2.如权利要求1所述的电容式触摸板，其特征在于，所述单层基板为用于保护电容式感应层的盖板或用于支撑电容式感应层的结构层。
3.如权利要求1所述的电容式触摸板，其特征在于，所述遮蔽层包括黑矩阵。
4.如权利要求1所述的电容式触摸板，其特征在于，所述辅助介质是二氧化硅和二氧化钛中的一种。
5.如权利要求1所述的电容式触摸板，其特征在于，所述辅助介质是一种透明绝缘光阻。
6.如权利要求1所述的电容式触摸板，其特征在于，所述辅助介质是选自以下材料中的一种折射率为1. 5 1. 6的二氧化硅、折射率为1. 7 1. 8的二氧化钛、折射率为2. 0 2. 1的五氧化二铌以及折射率为1. 5 1. 6的透明绝缘光阻。
7.如权利要求1所述的电容式触摸板，其特征在于，每个第一方向导电组件包括多个等间距的第一方向导电单元，每个第二方向导电组件包括多个等间距的第二方向导电单元，同一方向上相邻的导电单元是通过导电线互相连接，所述辅助介质是绝缘的且覆盖于第二方向的导电线之上。
8.如权利要求1所述的电容式触摸板，其特征在于，具有三种填充所述辅助介质的形式间隙平整填充式、间隙溢出填充式以及穿孔式的全面涂布。
9.如权利要求1所述的电容式触摸板，其特征在于，每个导电组件与边缘区域的相对应的信号传输线连接，且连接方式可采用以下方式中的至少一种通过接触孔连接、通过直接接触连接以及通过非接触方式的电性连接。
10.如权利要求9所述的电容式触摸板，其特征在于，所述接触孔形成于遮蔽层，所述信号传输线穿过所述接触孔且信号传输线的一端与导电组件接触。
11.如权利要求9所述的电容式触摸板，其特征在于，所述接触孔形成于遮蔽层，所述导电组件穿过所述接触孔且导电组件的一端与信号传输线接触。
12.如权利要求9所述的电容式触摸板，其特征在于，所述导电组件与信号传输线直接接触，且二者在边缘区域均被遮蔽层覆盖。
13.如权利要求12所述的电容式触摸板，其特征在于，导电组件和信号传输线依次被透明介电层和遮蔽层覆盖。
14.如权利要求13所述的电容式触摸板，其特征在于，透明介电层材料是选自以下材料中的一种硅、硅氧化物和硅氮化物。
15.如权利要求12所述的电容式触摸板，其特征在于，导电组件和信号传输线被设置于遮蔽层底下的透明介电层覆盖。
16.如权利要求9所述的电容式触摸板，其特征在于，所述导电组件直接与信号传输线接触，且二者在边缘区域均覆盖于遮蔽层上。
17.如权利要求16所述的电容式触摸板，其特征在于，所述导电组件和信号传输线都设于覆盖在遮蔽层的透明介电层上。
18.如权利要求17所述的电容式触摸板，其特征在于，透明介电层材料是选自以下材料中的一种硅、硅氧化物和硅氮化物。
19.如权利要求9所述的电容式触摸板，其特征在于，遮蔽层是各向异性材料且设于导电组件和信号传输线之间，在导电组件和信号传输线的连接方向上导电。
20.如权利要求9所述的电容式触摸板，其特征在于，每个导电组件在单层基板可视区域与部分的信号传输线以直接接触方式连接。
21.如权利要求9所述的电容式触摸板，其特征在于，每个导电组件在边缘区域与信号传输线连接采用双面结构，所述双面结构包括设于单层基板同一面的导电组件和信号传输线、设于所述单层基板的另一面并对应边缘区域的遮蔽层以及与所述遮蔽层处于单层基板同一面并覆盖所述遮蔽层的透明钝化层。
22.如权利要求9所述的电容式触摸板，其特征在于，每个导电组件在边缘区域与信号传输线连接采用双面结构，所述双面结构包括设于单层基板同一面的第一方向导电组件和信号传输线、设于所述单层基板的另一面且延伸至边缘区域并被遮蔽层部分覆盖的第二方向导电组件以及与所述遮蔽层处于同一面并同时覆盖所述第二方向导电组件和遮蔽层的透明钝化层。
23.如权利要求22所述的电容式触摸板，其特征在于，所述遮蔽层和与遮蔽层处于同一面的第二方向导电组件之间设有透明介电层。
24.如权利要求1所述的电容式触摸板，其特征在于，所述电容式感应层的材料是选自以下材料中的一种透明导电氧化物、导电聚合物以及碳纳米管材料。
25.如权利要求1所述的电容式触摸板，其特征在于，遮蔽层材料是黑色光阻材料、黑色树脂和黑色油墨中的一种。
专利摘要本实用新型涉及一种电容式触摸板，包括单层基板、设于所述单层基板边缘区域的遮蔽层以及具有多个第一方向导电组件和多个第二方向导电组件的电容式感应层，其中单层基板、遮蔽层和电容式感应层一体成型，还包括填充于第一方向导电组件和第二方向导电组件之间的间隙中的绝缘性辅助介质，所述辅助介质的折射率与电容式感应层的折射率相匹配。上述电容式触摸板，使电容式感应层的第一方向组件和第二方向组件之间的间隙被辅助介质填充，并且辅助介质的折射率与电容式感应层的折射率匹配，从而光在不同部位反射的效果一致，用户不易从外部看到触摸板的内部结构，使触摸板的外形更美观。
文档编号G06F3/044GK202084024SQ201120149250
公开日2011年12月21日 申请日期2011年5月11日 优先权日2010年11月9日
发明者戈卡尔普·贝拉默戈魯, 陈郁颖 申请人:宸鸿光电科技股份有限公司