Dram控制方法和系统以及计算机节电控制方法和系统的制作方法
【专利摘要】本发明涉及一种DRAM控制方法以及系统。该方法包括如下步骤：当该DRAM处于正常操作状态时，判断该DRAM的工作负载是否小于或者等于预定的工作负载阈值，如果该DRAM的工作负载小于或等于该预定的工作负载阈值，那么执行使该DRAM的一部分存储器组进入自刷新状态、同时使剩余的存储器组保持正常操作状态的步骤，如果该DRAM的工作负载大于该预定的工作负载阈值，则继续将该DRAM保持在正常操作状态并重新执行所述判断该DRAM的工作负载是否小于或者等于预定的工作负载阈值的步骤。通过使得DRAM的一部分存储器组进入自刷新状态、同时保持剩余的存储器组在正常操作状态，本发明的方法能够更好地节约电能。
【专利说明】DRAM控制方法和系统以及计算机节电控制方法和系统
【技术领域】
[0001]本发明总体涉及半导体技术，包括半导体动态随机存取存储器(DRAM)器件。更具体地，本发明涉及DRAM控制方法和系统，以及计算机节电控制方法和系统。
【背景技术】
[0002]随着计算机和移动设备技术的发展，节电已成为越来越重要的特性。
[0003]目前，包括移动设备的计算机设备具有三种常见的节电状态。第一种节电状态通常被称为“挂起”状态。在这种状态中，计算机设备的显示器自动断电，但主机仍然通电，后台任务仍然在后台继续运行。在这种状态中，当对该计算机设备作出触动时(例如敲任意键)，该计算机设备事实上能够立即回到正常工作状态。
[0004]第二种节电状态是S3状态，其通常被称为“挂起到RAM (随机存取存储器)状态”。在这种状态中，该计算机设备将当前的信息存储在RAM中，并且所有的风扇、硬盘驱动器以及其它部件断电并进入休眠状态。在这种状态中，该计算机设备处于高度节电状态，但是当给予该计算机触动(例如敲任意键)后，该计算机会从RAM中读取信息并快速回到正常工作状态。
[0005]第三种状态是S4状态，通常被称为“休眠”或者“挂起到DISK (硬盘)”状态。在这种状态中，主存储器(例如RAM)中的所有内容被保存到非易失性存储器(例如硬盘)中，并且主存储器(例如RAM)断电。当给予该计算机一激发时，例如按下开关键预定的时间，该计算机设备会从该非易失性存储器读取数据并回到正常工作状态，而无须重新启动操作系统。
[0006]许多计算机设备，包括移动设备，使用动态随机存取存储器(DRAM)。DRAM是随机存取存储器(RAM)中的一种类型，其将每个字节的数据保存在集成电路或芯片中的独立的电容中。在使用DRAM的计算机或者移动设备中，DRAM的控制在该计算机或移动设备的节电方面能起到重要的作用。
[0007]与上述的三种节电状态相对应，DRAM具有三种操作状态。对此，在DRAM芯片中具有结构为由多行和多列(类似电子制表程序例如微软Excel中的工作表)形成的存储器组(memory bank)。第一种DRAM操作状态如图1所示，其对应于上面描述的“挂起”状态。在该第一种DRAM操作状态中，该DRAM的所有的存储器组(例如图1中所示的存储器组O-存储器组3)都处于正常操作状态(即，被读和/或写的状态)并保持数据。相应地，在该第一种操作状态中，该DRAM的能耗是很高的。
[0008]第二种DRAM操作状态如图2所示，其对应于上面描述的S3状态，S卩“挂起到RAM”状态。该第二种DRAM操作状态是自刷新状态，其中，保存在该DRAM中的数据通过周期性的存储器刷新(即，周期性地从计算机存储器的一区域读取信息并且立即将该读取的信息不作任何改变重写到相同的区域以维持该信息)来保持。在这种状态中，没有存储器组(例如，图2中的存储器组O-存储器组3)是处于正常操作状态的，这些存储器组都处于自刷新状态。因而，在该第二种操作状态的DRAM的能耗是很低的。
[0009]第三种DRAM状态与上面描述的S4状态，S卩“挂起到DISK”状态相对应。在这种状态中，DRAM处于断电状态，即不工作状态，此时该DRAM中不保存数据。
【发明内容】
[0010]现有技术中的对DRAM的控制的缺陷在于，在正常操作状态中(即，上述第一种DRAM操作状态)，不管该DRAM是高负载还是低负载，该DRAM的所有存储器组都是处于正常操作状态，这在DRAM处于低负载而无须所有的存储器组都处于正常操作状态时不利于节约电能。
[0011]为了克服现有技术中对DRAM的控制的缺陷，本发明提供了一种具有更好的节电性能的DRAM控制方法。
[0012]在第一方面，提供了一种DRAM控制方法。该DRAM控制方法包括如下步骤:当该DRAM处于正常操作状态时，判断该DRAM的工作负载是否小于或者等于预定的工作负载阈值，如果该DRAM的工作负载小于或等于该预定的工作负载阈值，那么执行使该DRAM的一部分存储器组进入自刷新状态、同时使剩余的存储器组保持正常操作状态的步骤，如果该DRAM的工作负载大于该预定的工作负载阈值，则继续将该DRAM保持在正常操作状态并重新执行所述判断该DRAM的工作负载是否小于或者等于预定的工作负载阈值的步骤。
[0013]在进一步的实施例中，所述使该DRAM的一部分存储器组进入自刷新状态、同时使剩余的存储器组保持正常操作状态的步骤包括如下步骤:根据该DRAM中的现行的任务判断该DRAM的哪些存储器组需保持在正常操作状态以及哪些存储器组需进入自刷新状态；重新组织该DRAM的数据区并释放该DRAM的一部分存储器组；以及使该释放的存储器组进入自刷新状态、同时使剩余的存储器组保持在正常操作状态。
[0014]在第二方面，提供了一种DRAM控制系统，该系统包括:装置，用于当该DRAM处于正常操作状态时，判断该DRAM的工作负载是否小于或者等于预定的工作负载阈值；以及装置，用于使该DRAM的一部分存储器组进入自刷新状态、同时使剩余的存储器组保持在正常操作状态。在进一步的实施例中，所述用于使该DRAM的一部分存储器组进入自刷新状态、同时使剩余的存储器组保持在正常操作状态的装置包括:装置，用于根据该DRAM中的现行的任务判断该DRAM的哪些存储器组需保持在正常操作状态以及哪些存储器组需进入自刷新状态；装置，用于重新组织该DRAM的数据区并释放该DRAM的一部分存储器组；以及装置，用于使该释放的存储器组进入自刷新状态、同时使剩余的存储器组保持在正常操作状态。
[0015]在第三方面，提供了一种计算机节电控制方法，该方法包括如下步骤:当该DRAM处于正常操作状态时，判断该DRAM的工作负载是否小于或者等于预定的工作负载阈值，如果该DRAM的工作负载小于或等于该预定的工作负载阈值，那么执行使该DRAM的一部分存储器组进入自刷新状态、同时使剩余的存储器组保持正常操作状态的步骤，如果该DRAM的工作负载大于该预定的工作负载阈值，则继续将该DRAM保持在正常操作状态并重新执行所述判断该DRAM的工作负载是否小于或者等于预定的工作负载阈值的步骤。
[0016]在第四方面，提供了一种计算机节电控制系统，该系统包括:装置，用于当该DRAM处于正常操作状态时，判断该DRAM的工作负载是否小于或者等于预定的工作负载阈值；以及装置，用于使该DRAM的一部分存储器组进入自刷新状态、同时使剩余的存储器组保持正常操作状态。
[0017]通过提供上述方法和系统，本发明能克服现有技术中的上述缺陷。
【专利附图】
【附图说明】
[0018]附图以示例的方式图示了本发明，其并不构成对本发明的限制。在附图中相同的数字表示相同的部件，其中:
[0019]图1为现有技术中DRAM的正常操作状态的示意图；
[0020]图2为现有技术中DRAM的自刷新状态的示意图；
[0021]图3为根据本发明的一个示例性实施例的DRAM控制方法的流程图；
[0022]图4为图3中的框302中的步骤的流程图；
[0023]图5为根据本发明的一个示例性实施例的DRAM的部分存储器组自刷新状态的示意图；
[0024]图6为根据本发明的另一个实施例的计算机节电控制方法的流程图；
[0025]图7为根据本发明的另一个实施例的计算机节电控制方法的流程图；以及
[0026]图8显示了本发明的方法和系统的节电效果的柱形图。
【具体实施方式】
[0027]下面将参照附图中所示的一些实施例具体描述本发明。在下文的描述中，描述了一些具体的细节以提供对本发明的更深的理解。然而，对于本领域的技术人员来说显而易见的是，即使不具有这些具体细节中的一些，本发明也可被实施。另一方面，一些公知的工艺步骤和/或结构没有被详细描述以避免不必要地使本发明变得难以理解。
[0028]参见图3，其显示了根据一个示例性实施例的DRAM控制方法的流程图。该DRAM控制方法包括如下步骤:首先，当该DRAM处于正常操作状态(即，该DRAM的所有的存储器组都处于正常操作状态)时，判断该DRAM的工作负载是否小于或者等于预定的工作负载阈值(框301和302)。如果该DRAM的工作负载小于或等于该预定的工作负载阈值，那么使该DRAM进入部分存储器组自刷新状态，即，使该DRAM的一部分存储器组进入自刷新状态，同时使剩余的存储器组保持在正常操作状态(框303)。如果该DRAM的工作负载大于该预定的工作负载阈值，则继续将该DRAM保持在正常操作状态并重新执行框302中的步骤。
[0029]在一个实施例中，该DRAM控制方法还包括如下步骤:在使该DRAM的一部分存储器组进入自刷新状态、同时保持剩余的存储器组在正常操作状态之后，判断该DRAM的工作负载是否变得大于该预定的工作负载阈值(框304)，如果该DRAM的工作负载变得大于该预定的工作负载阈值，则使该DRAM的所有存储器组都进入正常操作状态(框305)。但是如果该DRAM的工作负载仍然小于或等于该预定的工作负载阈值，则继续保持所述部分存储器组自刷新状态，即，继续使该DRAM的一部分存储器组保持自刷新状态，同时使剩余的存储器组保持在正常操作状态(框306)。
[0030]在图4所示的示例性实施例中，框303中的步骤可包括如下步骤:首先根据该DRAM中的现行的任务判断该DRAM的哪些存储器组需保持在正常操作状态以及哪些存储器组需进入自刷新状态(框3031);然后重新组织该DRAM的数据区并释放该DRAM的一部分存储器组(框3032);然后使该释放的存储器组进入自刷新状态并使剩余的存储器组保持在正常操作状态(框3033)。
[0031]图5显示了根据本发明的示例性实施例的DRAM的部分存储器组自刷新状态的示意图。如图5所示，在该DRAM的部分存储器组自刷新状态中，只有部分存储器组(例如，存储器组2和存储器组3)处于自刷新状态，其它剩余的存储器组(例如存储器组O和存储器组I)处于正常操作状态。当该DRAM的工作负载小于或等于预定的工作负载阈值时，这种部分存储器组自刷新状态能够节约电能。
[0032]应当理解的是，本发明的DRAM控制方法能够用在使用DRAM的多种电子设备中，例如任何计算机设备，如服务器、台式机、便携式电脑、手机、平板电脑以及其它移动设备。
[0033]图6显示了结合有上述的部分存储器组自刷新状态的一种示例性的计算机节电控制方法的流程图。如图6所示，该计算机节电控制方法包括如下步骤:首先，在该计算机的正常操作过程中(此时，计算机中的DRAM处于正常操作状态),该计算机(例如该计算机的操作系统)判断该计算机中的DRAM的工作负载是否小于或等于预定的工作负载阈值(框601和602)。如果该DRAM的工作负载小于或等于该预定的工作负载阈值，则使该DRAM进入部分存储器组自刷新状态，即，使该DRAM的一部分存储器组进入自刷新状态并将剩余的存储器组保持在正常操作状态(框603)。如果该DRAM的工作负载大于该预定的工作负载阈值，则继续将该DRAM保持在正常操作状态并重新执行框602中的步骤。
[0034]在一个实施例中，该计算机节电控制方法可进一步包括如下步骤:在使该DRAM的一部分存储器组进入自刷新状态同时保持剩余的存储器组在正常操作状态之后，判断该DRAM的工作负载是否变得大于该预定的工作负载阈值(框604)，如果该DRAM的工作负载变得大于该预定的工作负载阈值，则使该DRAM的所有存储器组都进入正常操作状态(框605)。但是如果该DRAM的工作负载仍然小于或等于该预定的工作负载阈值，则继续保持所述部分存储器组自刷新状态，即，继续使该DRAM的一部分存储器组保持自刷新状态，同时使剩余的存储器组保持在正常操作状态(框606)。
[0035]与图4所示的实施例相似，框603中的步骤可包括如下步骤:首先根据该DRAM中的现行的任务判断该DRAM的哪些存储器组需保持在正常操作状态以及哪些存储器组需进入自刷新状态；然后重新组织该DRAM的数据区并释放该DRAM的一部分存储器组；然后使该释放的存储器组进入自刷新状态并使剩余的存储器组保持在正常操作状态。
[0036]图7显示了根据另一个示例性的实施例的结合有上述的部分存储器组自刷新状态的一种计算机节电控制方法的流程图。该计算机节电控制方法可包括如下步骤:首先，在该计算机的正常操作期间，该计算机(例如该计算机的操作系统)判断是否触发了 “挂起到RAM”事件(框701和702)。如果“挂起到RAM”事件被触发，则使该DRAM进入自刷新状态(框703)，即，是该DRAM的所有存储器组进入自刷新状态。如果“挂起到RAM”事件没有被触发，则执行判断“挂起到DISK”事件是否被触发这一步骤(框704)。如果“挂起到DISK”事件被触发，则使该计算机进入“挂起到DISK”状态(框705)。如果“挂起到DISK”事件没有被触发，则执行判断该DRAM的工作负载是否小于或等于预定的工作负载阈值这一步骤(框706)。如果该DRAM的工作负载小于或等于该预定的工作负载阈值，则执行使该DRAM开始进入部分存储器组自刷新状态这一步骤(框707)，以及如果该DRAM的工作负载大于该预定的工作负载阈值，则回到框701。
[0037]使DRAM进入部分存储器组自刷新状态这一步骤可包括如下步骤:首先，根据该DRAM中的现行的任务判断该DRAM的哪些存储器组需保持在正常操作状态以及哪些存储器组需进入自刷新状态(框708);然后重新组织该DRAM的数据区并释放该DRAM的一部分存储器组(框709);然后使该释放的存储器组进入自刷新状态并使剩余的存储器组保持在正常操作状态(框710)。
[0038]为了退出上面描述的部分存储器组自刷新状态，计算机可继续判断“挂起到RAM”事件是否被触发(框711)，如果是，则使整个DRAM进入自刷新状态(框712)，如果不是，则该计算机可判断是否触发了“挂起到DISK”事件(框713)，如果触发了“挂起到DISK事件”，则使计算机进入“挂起到DISK”状态(框714);如果没有触发“挂起到DISK事件”，则可判断是否触发了退出部分存储器组自刷新状态的事件(框715)，该事件例如为该DRAM的工作负载不再小于或等于该预定的工作负载阈值。如果触发了退出部分存储器组自刷新状态的事件，则使计算机进入正常操作状态(框701)，如果没有触发退出部分存储器组自刷新状态的事件，则回到框711中的步骤。
[0039]与上文描述的DRAM控制方法相对应,本发明还提供了一种DRAM控制系统。在一个示例性实施例中，该DRAM控制系统包括:装置，用于当该DRAM处于正常操作状态时，判断该DRAM的工作负载是否小于或者等于预定的工作负载阈值；以及装置，用于使该DRAM的一部分存储器组进入自刷新状态、同时使剩余的存储器组保持在正常操作状态。在一个实施例中，所述用于使该DRAM的一部分存储器组进入自刷新状态、同时使剩余的存储器组保持在正常操作状态的装置还包括:装置，用于根据该DRAM中的现行的任务判断该DRAM的哪些存储器组需保持在正常操作状态以及哪些存储器组需进入自刷新状态；装置，用于重新组织该DRAM的数据区并释放该DRAM的一部分存储器组；以及装置，用于使该释放的存储器组进入自刷新状态并使剩余的存储器组保持在正常操作状态。在另一个实施例中，该DRAM控制系统还包括:装置，用于在使该DRAM的一部分存储器组进入自刷新状态同时使剩余的存储器组保持在正常操作状态之后，判断该DRAM的工作负载是否变得大于该预定的工作负载阈值；以及装置，用于当该DRAM的工作负载变得大于该预定的工作负载阈值时使该DRAM的所有存储器组都进入正常操作状态。
[0040]在另一个实施例中，本发明还提供了一种计算机节电控制系统，该系统包括:装置，用于当该计算机的DRAM处于正常操作状态时，判断该计算机中的DRAM的工作负载是否小于或等于预定的工作负载阈值；以及装置，用于使该DRAM的一部分存储器组进入自刷新状态并使剩余的存储器组保持在正常操作状态。在进一步的实施例中，用于使该DRAM的一部分存储器组进入自刷新状态并使剩余的存储器组保持在正常操作状态的装置包括:装置，用于根据该DRAM中的现行的任务判断该DRAM的哪些存储器组需保持在正常操作状态以及哪些存储器组需进入自刷新状态；装置，用于重新组织该DRAM的数据区并释放该DRAM的一部分存储器组；以及装置，用于使该释放的存储器组进入自刷新状态并使剩余的存储器组保持在正常操作状态。在进一步的实施例中，该计算机节电控制系统还包括:装置，用于在使该DRAM的一部分存储器组进入自刷新状态、同时使剩余的存储器组保持在正常操作状态之后，判断该DRAM的工作负载是否变得大于该预定的工作负载阈值；以及装置，用于如果该DRAM的工作负载变得大于该预定的工作负载阈值，则使该DRAM的所有存储器组都进入正常操作状态。
[0041]在一个实施例中，该计算机节电控制系统还包括:装置，用于在“挂起到RAM”事件被触发时使整个DRAM进入自刷新状态。在一个实施例中，该计算机节电控制系统还包括:装置，用于在“挂起到DISK”事件被触发时使计算机进入“挂起到DISK”状态。在一个实施例中，该计算机节电控制系统还包括:装置，用于在该DRAM的工作负载变得大于该预定的工作负载阈值时使该DRAM退出部分存储器组自刷新状态(S卩，是该DRAM的所有存储器组进入正常操作状态)。
[0042]此外，本发明的实施例还涉及具有计算机可读代码的计算机可读介质。本发明的计算机可读介质的例子包括但不限于:磁介质，如硬盘、软盘和磁带；光介质，如CD-ROM和全息设备；磁_光介质，如光软盘；以及为了存储和执行程序代码专门配置的硬件设备，如专用集成电路(ASIC)、可编程逻辑器件(PLD)以及ROM和RAM器件。
[0043]本发明的示例性实施例的计算机可读介质包括:计算机可读代码，用于当该DRAM处于正常操作状态时，判断该DRAM的工作负载是否小于或者等于预定的工作负载阈值；以及计算机可读代码，用于使该DRAM的一部分存储器组进入自刷新状态、同时使剩余的存储器组保持在正常操作状态。
[0044]在一个实施例中，所述用于使该DRAM的一部分存储器组进入自刷新状态、同时使剩余的存储器组保持在正常操作状态的计算机可读代码包括:计算机可读代码，用于根据该DRAM中的现行的任务判断该DRAM的哪些存储器组需保持在正常操作状态以及哪些存储器组需进入自刷新状态；计算机可读代码，用于重新组织该DRAM的数据区并释放该DRAM的一部分存储器组；以及计算机可读代码，用于使该释放的存储器组进入自刷新状态并使剩余的存储器组保持在正常操作状态。
[0045]本发明的示例性实施例的计算机可读代介质进一步包括:计算机可读代码，用于在使该DRAM的一部分存储器组进入自刷新状态同时保持剩余的存储器组在正常操作状态之后，判断该DRAM的工作负载是否变得大于该预定的工作负载阈值；以及计算机可读代码，用于在该DRAM的工作负载变得大于该预定的工作负载阈值时，使该DRAM的所有存储器组都进入正常操作状态。
[0046]本发明的DRAM控制方法和系统能够在DRAM的工作负载小于或等于预定的工作负载阈值时，使DRAM的一部分存储器组进入自刷新状态、同时使剩余的存储器组保持在正常工作状态，这大大节约了电能。例如，对于容量为4GB、工作电压为1.5V、型号为DDR31866的DRAM来说，如图8所示，与正常操作状态中的最低能耗状态相比，使得该DRAM的一个存储器组(包括8个8位芯片，这8个芯片拼成一组64位宽的存储器组)进入自刷新状态能够节约240mA (即，416mA-176mA)的电能,这节约了大约60%的电能,这对于计算机设备,尤其是移动设备而言具有很大的益处。
[0047]对于本领域的技术人员来说显而易见的是，可以在不背离本发明的精神和权利要求的范围的情况下对本发明作不同的修改和变型。特别的是，应当理解，本发明的DRAM控制方法可以在使用DRAM的多种电子设备上执行，例如任何计算设备，如服务器、台式机、便携式电脑、手机、平板电脑以及其它移动设备。因此，如果对本发明的修改和变型落入了权利要求和它们的等同物的范围内，那么应当认为本发明覆盖了对本发明所描述的不同实施例的修改和变型。
【权利要求】
1.一种DRAM控制方法，包括如下步骤: 当该DRAM处于正常操作状态时，判断该DRAM的工作负载是否小于或者等于预定的工作负载阈值， 如果该DRAM的工作负载小于或等于该预定的工作负载阈值，那么执行使该DRAM的一部分存储器组进入自刷新状态、同时使剩余的存储器组保持正常操作状态的步骤， 如果该DRAM的工作负载大于该预定的工作负载阈值，则继续将该DRAM保持在正常操作状态并重新执行所述判断该DRAM的工作负载是否小于或者等于预定的工作负载阈值的步骤。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述使该DRAM的一部分存储器组进入自刷新状态、同时使剩余的存储器组保持正常操作状态的步骤包括如下步骤: 根据该DRAM中的现行的任务判断该DRAM的哪些存储器组需保持在正常操作状态以及哪些存储器组需进入自刷新状态； 重新组织该DRAM的数据区并释放该DRAM的一部分存储器组；以及 使该释放的存储器组进入自刷新状态、同时使剩余的存储器组保持在正常操作状态。
3.根据权利要求1或2所述的方法，还包括执行如下步骤: 在使该DRAM的一部分存储器组进入自刷新状态同时使剩余的存储器组保持在正常操作状态之后，判断该DRA M的工作负载是否变得大于该预定的工作负载阈值；以及 如果该DRAM的工作负载变得大于该预定的工作负载阈值，则使该DRAM的所有存储器组都进入正常操作状态。
4.一种DRAM控制系统，包括: 装置，用于当该DRAM处于正常操作状态时，判断该DRAM的工作负载是否小于或者等于预定的工作负载阈值；以及 装置，用于使该DRAM的一部分存储器组进入自刷新状态、同时使剩余的存储器组保持在正常操作状态。
5.根据权利要求4所述的系统，其中所述用于使该DRAM的一部分存储器组进入自刷新状态、同时使剩余的存储器组保持在正常操作状态的装置包括: 装置，用于根据该DRAM中的现行的任务判断该DRAM的哪些存储器组需保持在正常操作状态以及哪些存储器组需进入自刷新状态； 装置，用于重新组织该DRAM的数据区并释放该DRAM的一部分存储器组；以及装置，用于使该释放的存储器组进入自刷新状态、同时使剩余的存储器组保持在正常操作状态。
6.根据权利要求4或5所述的系统，还包括: 装置，用于在使该DRAM的一部分存储器组进入自刷新状态同时使剩余的存储器组保持在正常操作状态之后，判断该DRAM的工作负载是否变得大于该预定的工作负载阈值；以及 装置，用于当该DRAM的工作负载变得大于该预定的工作负载阈值时使该DRAM的所有存储器组都进入正常操作状态。
7.—种计算机节电控制方法,包括如下步骤: 当该DRAM处于正常操作状态时，判断该DRAM的工作负载是否小于或者等于预定的工作负载阈值， 如果该DRAM的工作负载小于或等于该预定的工作负载阈值，那么执行使该DRAM的一部分存储器组进入自刷新状态、同时使剩余的存储器组保持正常操作状态的步骤， 如果该DRAM的工作负载大于该预定的工作负载阈值，则继续将该DRAM保持在正常操作状态并重新执行所述判断该DRAM的工作负载是否小于或者等于预定的工作负载阈值的步骤。
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述使该DRAM的一部分存储器组进入自刷新状态、同时使剩余的存储器组保持正常操作状态的步骤包括如下步骤: 根据该DRAM中的现行的任务判断该DRAM的哪些存储器组需保持在正常操作状态以及哪些存储器组需进入自刷新状态； 重新组织该DRAM的数据区并释放该DRAM的一部分存储器组；以及 使该释放的存储器组进入自刷新状态、同时使剩余的存储器组保持在正常操作状态。
9.根据权利要求8所述的方法，还包括当“挂起到RAM”事件被触发时，使该DRAM进入自刷新状态的步骤。
10.根据权利要求9所述的方法，还包括当“挂起到DISK”事件被触发时，使该计算机进入“挂起到DISK”状态的步骤。
11.根据权利要求7 -10中任一项所述的方法，还包括: 在使该DRAM的一部分存储器组进入自刷新状态同时使剩余的存储器组保持在正常操作状态之后，判断该DRAM的工作负载是否变得大于该预定的工作负载阈值；以及 如果该DRAM的工作负载变得大于该预定的工作负载阈值，则使该DRAM的所有存储器组都进入正常操作状态。
12.—种计算机节电控制系统，包括: 装置，用于当该DRAM处于正常操作状态时，判断该DRAM的工作负载是否小于或者等于预定的工作负载阈值；以及 装置，用于使该DRAM的一部分存储器组进入自刷新状态、同时使剩余的存储器组保持正常操作状态。
13.根据权利要求12所述的系统，其中所述使该DRAM的一部分存储器组进入自刷新状态、同时使剩余的存储器组保持正常操作状态的装置包括: 装置，用于根据该DRAM中的现行的任务判断该DRAM的哪些存储器组需保持在正常操作状态以及哪些存储器组需进入自刷新状态； 装置，用于重新组织该DRAM的数据区并释放该DRAM的一部分存储器组；以及装置，用于使该释放的存储器组进入自刷新状态、同时使剩余的存储器组保持在正常操作状态。
14.根据权利要求13所述的系统，还包括: 装置，用于当“挂起到RAM”事件被触发时，使该DRAM进入自刷新状态。
15.根据权利要求14所述的系统，还包括: 装置，用于当“挂起到DISK”事件被触发时，使该计算机进入“挂起到DISK”状态。
16.根据权利要求12-15中任一项所述的系统，还包括: 装置，用于在使该DRAM的一部分存储器组进入自刷新状态同时使剩余的存储器组保持在正常操作状态之后，判断该DRAM的工作负载是否变得大于该预定的工作负载阈值；以及 装置，用于如果该DRAM的工作负载变得大于该预定的工作负载阈值，则使该DRAM的所有存储器组都进入正 常操作状态。
【文档编号】G06F1/32GK104076900SQ201310105279
【公开日】2014年10月1日 申请日期:2013年3月28日 优先权日:2013年3月28日
【发明者】罗仕材 申请人:超威半导体(上海)有限公司