专利名称：一种单片结构的电容式触摸屏制造工艺及其方法
技术领域：
本发明涉及电容式触摸屏领域，尤其是一种单片结构的电容式触摸屏制造工艺及其方法。
背景技术：
电容式触摸屏主要技术分为薄膜式(film type)图7和玻璃式(glass type)图8两种，目前主流的薄膜式结构是将两层或一层ITO薄膜12通过光刻或丝印蚀刻出所设计的电极图案，再与外层保护玻璃10用光学胶11贴合到一起称为GFF (Glass+Film+Film)或GF(Glass+Film)结构。而主流的玻璃式结构是将触控传感器做在ITO玻璃13上，外层再用光学胶11贴上一片保护玻璃10称为GG (Glass+Glass)结构。此两种结构生产工艺比较长也比较复杂，贴合良率都普遍偏低，也是造成电容触控面板成本居高不下的主因。且前者受限于高阶ITO薄膜材料掌握在少数日商手中供料不稳定，后者GG贴合后整体相对较厚，且良率不高。因此未来单片结构的电容式触摸屏将成为发屏趋势的主流，而目前各大厂商所开发的单片结构电容式触摸屏生产良率都非常低，成本也较高且触控效果也相对较差等。这些都是导致目前单片结构的电容式触摸屏还无法成为主流的原因。
发明内容
此单片结构的电容式触摸屏发明的目的在于简化电容式触摸屏的制造工艺，节省原材料成本同时满足终端消费性电子产品轻薄化及低成本的市场趋势。
为实现上述目的，本发明采取以下工艺技术方案
I将大板或切割后的小片面板按设计要求丝印好装饰图案并烘烤:2.通过真空镀膜设备使其丝印装饰面镀上一层方阻在30Ω/ □ -400Ω/ □ 透过率在85%以上的ITO:3.电镀或丝印金属引出线:4.通过光刻或镭射激光将ITO及金属引出线蚀刻出所设计的电极图案，并对所蚀刻出来的电极图案进行功能检测:5.将检测OK的半成品根据所设计的装饰效果图案进行丝印及烘烤:6.将丝印好的面板通过导电胶与柔性线路板进行邦定工序使其玻璃上的电极图案与IC相联，并再次对邦定好的成品进行功能检测及外观检验最后包装出货。上述制造工艺相比传统多层结构电容式触摸屏要节省材料，产品也更加轻薄，与其它单片结构的电容式触摸屏生产工艺相比要简化许多，触摸效果与传统电容屏相当，对产品外观设计也无限制。
图1是未切割的大版透明基材。图2和图3是切割好的单片透明面板外形结构。图4和图5是蚀刻好的电极图案。图6和图6a是本发明的结构图及放大后的工艺制程后的叠层示意图。图7和图8是目前两种电容式触摸屏结构。
具体实施例方式为使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。 附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。如图:6a此单片结构的电容式触摸屏，其由面板10及依次堆叠在面板下的装饰图案油墨层17、ITO透明电极图案层18、金属引出导线层19、装饰图案油墨层17。本发明所提供的单片结构的电容式触摸屏制造工艺具体步骤如下:
步骤1、将大板图1或切割后的小片面板图2和图3按设计要求丝印好装饰图案并烘
烤；
步骤2、在面板其10表面丝印出装饰图案层17;
步骤3、通过真空镀膜设备使其丝印装饰面17镀上一层方阻在30Ω/ □ -400Ω/ □透过率在85%以上的ITO层18，并在ITO层18表面通过电镀或丝印出金属引出导线层19;步骤4、通过光刻或镭射激光将ITO及金属引出线蚀刻出所设计的电极图案如图4和图
5;
步骤5、进行丝印装饰效果图案层17;
步骤6、通过导电胶与柔性线路板20进行邦定工序使其面板上的电极图案与IC相联进而产生触控功能；
上述制造工艺相比传统及其它单片结构的电容式触摸屏要简单得多且良率也较高，产品触控效果、面板强度等与传统电容触摸屏相当。 以上所述，仅是本发明的较佳实施例，并非对本发明作任何形式上的限制，凡是依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改，等同变化与修饰，均仍属本发明技术方案的保护范围。
权利要求
1.一种单片结构的电容式触摸屏制造工艺及其方法，其特征在于:所述单片结构的电容式触摸屏使其背向面板触控面的下表面通过丝印装饰图案，镀ITO导电膜，电镀或丝印金属导电材质做引出导线，根据所设计的电极图案对ITO导电膜及金属引出导线进行蚀刻，再用导电胶通过邦定工序与柔性线路板简称FPC相联进而与触控IC导通产生触控功倉泛。
2.根据权利要求1所述单片结构的电容式触摸屏制造工艺及其方法其特征在于:所述单片结构的电容式触摸屏其面板分为大板工艺和小片工艺，其区别在于大板是将整个线路做好后再切割，小片工艺是先将大板切割成小片再做线路。
3.根据权利要求1所述单片结构的电容式触摸屏制造工艺及其方法，其特征在于:所述单片结构的电容式触摸屏其面板材质为PMMA、玻璃、PMMA/PC复合料等且不限所述材质。
4.根据权利要求1所述单片结构的电容式触摸屏制造工艺及其方法，其特征在于:所述ITO导电膜是镀在其面板的丝印装饰图案面，其ITO导电膜透过率在85%以上，方块电阻在 30Ω/ □ -400Ω/ □。
5.根据权利要求1所述单片结构的电容式触摸屏制造工艺及其方法，其特征在于:所述对ITO导电膜及金属引出导线进行蚀刻，是将镀好ITO导电膜及金属引出导线的面板通过光刻、丝印蚀刻、镭射激光等其中一种且不限于其中一种工艺蚀刻出所设计的电极图案。
全文摘要
本发明公开了一种单片结构的电容式触摸屏制造工艺及其方法，所述面板的下表面依次叠层包括丝印装饰图案层17，ITO透明电极层18，金属引出导线层19，装饰图案层17。所述制造工艺包括以下步骤在面板丝印面镀一层透明ITO膜及金属引出线，按设计要求蚀刻所述透明ITO膜及金属引出线，形成电极图案。本发明提供的单片结构的电容式触摸屏制造工艺及其方法与传统多层结构的电容式触摸屏节省材料，产品也更加轻薄。与其它单片结构的电容式触摸屏制造工艺相比要简化许多，成本较低且良率较高，触控性能及玻璃硬度也与传统电容屏相当，对产品外观设计也无限制。满足终端消费性电子产品轻薄化及低成本的市场趋势。
文档编号G06F3/044GK103218101SQ201310168778
公开日2013年7月24日 申请日期2013年5月9日 优先权日2013年5月9日
发明者左富强 申请人:左富强