触控结构及其制造方法【专利摘要】本发明的触控结构包含：显示单元、偏光板以及触控感测结构，偏光板设置于显示单元之上，具有至少一光学折射层，以及触控感测结构设置于光学折射层的一侧(可设置于其之下或其之上)，触控感测结构更具有复数感测串列和复数周边线路分别电性连接。【专利说明】触控结构及其制造方法【
技术领域：
】[0001]本发明有关于一种触控结构的制造方法，尤指一种将复数光学折射层应用于触控结构的制造方法。【
背景技术：
】[0002]在现今各式消费性电子产品的市场中，个人数字助理(PDA)、行动电话(mobilePhone)、笔记型电脑(notebook)及平板电脑(tabletPC)等可携式电子产品皆已广泛的使用触控式面板(touchpanel)作为其资料沟通的界面工具。此外，由于目前电子产品的设计皆以轻、薄、短、小为方向，因此在产品上无足够空间容纳如键盘、鼠标等传统输入装置，尤其在讲求人性化设计的平板电脑需求的带动下，触控式面板已经一跃成为关键的零组件之一。而且触控式面板除了符合可作多层次选单设计要求外，亦能同时拥有键盘、鼠标等的功能及手写输入等人性化的操作方式，尤其将输入与输出整合在同一介面(荧幕)的特质，更是其它传统输入装置所不及之处。[0003]目前触控面板制造过程中，图案化制程可分为干式制程与湿式制程。触控面板上的透明导电层主要是由铟锡氧化物(indiumtinoxide,ITO)所组成，由于导电层的镀膜方式基本上为整个平面，因此，若要在已溅镀完成的基板上形成图案，需将导电层进行蚀亥IJ，将透明导电层图案化形成透明感应电极于透明基材的表面。然而因为透明基材与透明导电层两者材料不同，容易产生视觉可见的透明导电图形痕迹痕迹而影响触控面板的外观，目前此一课题尚未有良好的解决之道。【
发明内容】[0004]为解决此课题，本发明提供一种可据以改善或降低电极图形痕迹或蚀刻痕迹的技术手段。[0005]为达成上述的目的，本发明的触控结构包含:显示单元、偏光板以及触控感测结构，偏光板设置于显示单元之上，具有至少一光学折射层，以及触控感测结构设置于光学折射层之下，触控感测结构更具有复数感测串列和复数周边线路分别电性连接。[0006]为达成上述的目的，本发明的触控结构，其中光学折射层更包括:至少一高折射层和至少一低折射层，高折射层设置于偏光板的一下表面，低折射层设置于高折射层之下。[0007]为达成上述的目的，本发明的触控结构，其中光学折射层更包括至少一高折射层和至少一低折射层，触控感测结构位于偏光板的一上表面，低折射层设置于触控感测结构之上，高折射层设置于低折射层之上。[0008]本发明并提供另种触控结构，其包含:显示单元、偏光板以及触控感测结构，偏光板设置于显示单元之上，具有至少一光学折射层，以及触控感测结构设置于光学折射层之上，触控感测结构更具有复数感测串列和复数周边线路分别电性连接。[0009]为达成上述的目的，本发明的触控结构，其中光学折射层更包括至少一高折射层和至少一低折射层，每一高折射层和每一低折射层相互交错堆栈。[0010]为达成上述的目的，本发明的触控结构，其中高折射层的折射率为1.6至2.4，低折射层的折射率为1.2至1.6。[0011]为达成上述的目的，本发明的触控结构，其中高折射层材质可为ITO、T12或Nb2O5,低折射层材质可为MgF2、S12或MgO。[0012]为达成上述的目的，本发明的触控结构的制造方法，其包含:提供一显示单元。提供一偏光板，设置于显不单兀之上。形成至少一光学折射层于偏光板。以及形成触控感测结构于至少一光学折射层之下，触控感测结构成具有复数感测串列和复数周边线路。[0013]为达成上述的目的，本发明触控结构的制造方法，其中形成光学折射层更包括形成至少一高折射层和至少一低折射层，高折射层形成于该偏光板的一下表面，低折射层形成于该些高折射层之下。[0014]为达成上述的目的，本发明触控结构的制造方法，其中形成光学折射层更包括形成至少一高折射层和至少一低折射层，形成触控感测结构于偏光板的一上表面，低折射层形成于图案化透明导电层之上，高折射层形成于低折射层之上。[0015]本发明另提供一种触控结构的制造方法，其包含:提供一显示单元。提供一偏光板，设置于显示单元之上。形成至少一光学折射层于偏光板。形成触控感测结构于至少一光学折射层之上，触控感测结构具有复数感测串列和复数周边线路。[0016]为达成上述的目的，本发明的触控结构的制造方法，其中形成光学折射层更包括形成至少一高折射层和至少一低折射层，高折射层形成于偏光板的一上表面，低折射层形成于高折射层之上。[0017]为达成上述的目的，本发明的触控结构的制造方法，其中形成光学折射层更包括形成至少一高折射层和至少一低折射层，形成触控感测结构于偏光板的一下表面，低折射层形成于触控感测结构之下，高折射层形成于低折射层之下。【专利附图】【附图说明】[0018]图1所示为本发明中触控结构的第一实施例示意图。[0019]图2所示为本发明中触控结构的第二实施例示意图。[0020]图3所示为本发明中触控结构的第三实施例示意图。[0021]图4所示为本发明中触控结构的第四实施例示意图。[0022]图5所示为本发明中触控结构的第五实施例示意图。[0023]图6a至图6e所示为本发明中触控结构的制造方法的第一实施例示意图。[0024]图7a至图7e所示为本发明中触控结构的制造方法的第二实施例示意图。[0025]图号说明:偏光板110，210，310，410，510，610，710复数光学折射层140高折射层220，320，420，520，620，720低折射层230，330，430，530，630，730触控感测结构111，211，311，411，511，611，711显示单元112，212，312，412，512透明导电层613，713金属层614，714复数感测串列118，218，318，418，518，618，718复数周边线路118，219，319，419，519，619，719黏着层115,215硬质透明基板216。【具体实施方式】[0026]请参阅图1所示为本发明第一实施例的触控结构示意图。首先，本发明的触控结构包括显示单元112、偏光板110以及触控感测结构111;其中显示单元112例如可为液晶显示器(liquidcrystaldisplay,LCD)等,然并不以此为限。[0027]偏光板110设置于显示单元112之上，藉由偏光板110极化偏光可控制显示效果。偏光板110并具有至少一光学折射层140。[0028]触控感测结构111设置于至少一光学折射层140之下，其中触控感测结构可以为电容式触控结构，然并不以此为限。于本实施例中触控感测结构更具有复数感测串列118和复数周边线路119，复数感测串列118分别与复数周边线119路电性连接(图未示)。复数感测串列118由复数感测垫和复数桥接线串接所构成(图未示)。其中复数感测串列118的材质为透明导电膜，例如为可为铟锡氧化物、氧化铟、氧化锌、氧化铟锌、掺杂有铝的氧化锌、以及掺杂有锑的氧化锡中之一或其混合物。透明导电膜的折射率可在1.8?2.4之间。复数感测串列118的区域具有透明导电膜与光学折射层140的叠构。无复数感测串列118的区域具有光学折射层140的叠构。藉由光学折射层140来改善光学特性，让复数感测串列118的区域与无复数感测串列118的区域的光学特性相似，使复数感测串列118的痕迹不明显，提升触控感测结构的外观。[0029]偏光板110与显示单元112之间更包括黏着层115，黏着偏光板110与显示单元112。其中黏着层115的材质可为光学胶或水胶。其中，藉由至少一光学折射层140产生不同的光学特性，可使触控感测结构的复数感测串列118和复数周边线路119所形成的图形痕迹或蚀刻痕迹淡化，进而增加整体触控结构的穿透率。[0030]请参阅图2所示为本发明第二实施例的触控结构示意图。其触控结构同样包括有显示单元212、偏光板210以及触控感测结构211;其中，光学折射层更包括至少一高折射层220和至少一低折射层230相互交错堆栈。于本实施例中具有一高折射层220，其折射率为1.6至2.4，材质例如可为IT0、Ti02或Nb2O5等物质，但并不设限于此，以及具有一低折射层230，其折射率为1.2至1.6，材质例如可为1%&、S12或MgO等物质，但并不设限于此；其中，高折射层220设置于偏光板210的一下表面,低折射层230设置于高折射层220之下。触控感测结构211位于低折射层230之下，由于触控感测结构211具有复数感测串列218由透明导电材料所形成,其折射率为1.8^2.4，折射率较高，再搭配高折射层220和低折射层230的排列，形成高折射率/低折射率/高折射率的搭配，可使穿透度提升，并且使短波长穿透度提升，将有效改善触控面板的光学性质与外观。[0031]一硬质透明基板216设置于偏光板210之上，硬质透明基板216的材质例如可为玻璃、强化玻璃、PC、PMMA或PC与PMMA的复合材，作为液晶面板外层的保护层(coverlens)，其中，硬质透明基板216与偏光板210之间更包括以黏着层215相互黏贴，黏着层215的材质可为光学胶或水胶。[0032]请参阅图3所示为本发明第三实施例的触控结构示意图。其触控结构同样包括有显示单元312、偏光板310以及触控感测结构311;其中，光学折射层更包括至少一高折射层320和至少一低折射层330,而触控感测结构311位于偏光板310的一上表面,低折射层330设置于触控感测结构311之上，高折射层320设置于低折射层330之上。高折射层320与低折射层330的搭配不以此为限。由于触控感测结构211具有复数感测串列318由透明导电材料所形成，其折射率为1.8^2.4，折射率较高，再搭配高折射层320和低折射层330的排列，形成高折射率/低折射率/高折射率的搭配，可使穿透度提升，并且使短波长穿透度提升，将有效改善触控面板的光学性质与外观。[0033]请参阅图4所示为本发明的第四实施例的触控结构示意图。本发明的触控结构同样包括显示单元412、偏光板410以及触控感测结构411。其中，触控感测结构411设置于光学折射层440之上；如图所示的实施例中，光学折射层包括至少一高折射层420和至少一低折射层430,高折射层420设置于偏光板410的一上表面,低折射层430设置于高折射层420之上。由于触控感测结构211具有复数感测串列318由透明导电材料所形成，其折射率为1.8^2.4，折射率较高，再搭配高折射层320和低折射层330的排列，形成高折射率/低折射率/高折射率的搭配，可使穿透度提升，并且使短波长穿透度提升，将有效改善触控面板的光学性质与外观。[0034]请参阅图5所示为本发明的第五实施例的触控结构示意图。本发明的触控结构同样包括显不单兀512、偏光板510以及触控感测结构511;其中，光学折射层包括至少一高折射层520和至少一低折射层530，触控感测结构511位于偏光板510的一下表面，低折射层530设置于触控感测结构511之下，高折射层520设置于低折射层530之下。由于触控感测结构211具有复数感测串列318由透明导电材料所形成，其折射率为1.8^2.4，折射率较高，再搭配高折射层320和低折射层330的排列，形成高折射率/低折射率/高折射率的搭配，可使穿透度提升，并且使短波长穿透度提升，将有效改善触控面板的光学性质与外观。[0035]请参阅图6a至图6e所示为本发明的第一实施例的触控结构的制造方法示意图。首先，请参阅图6a，以镀膜方式形成高折射层620在偏光板610的下表面，镀膜方式例如可采蒸镀、溅镀、真空离子镀、电镀、物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)或喷墨涂布等方法，其中高折射层620材质例如可为ITO、T12或Nb2O5等物质，但并不设限于此。接着，请参阅第6b图，在高折射层620的表面，使用前述方法形成一低折射层630于高折射层620之下，其中低折射层630材质例如可为MgF2、S12或MgO等物质，但并不设限于此。本实施例中揭示采用2层光学折射层，当然光学折射层的数量亦可依照需求作变化并不设限于2层。[0036]再来,请参阅图6c,依序形成透明导电层613和金属层614于低折射层630之下，以形成多层的透明堆栈结构。其中形成透明堆栈结构的方式例如可采用卷对卷物理气相沉积(PVD)、卷对卷化学气相沉积(CVD)、卷对卷电镀、卷对卷涂布制程等手段。而透明导电层613可为金属氧化物、奈米银线或奈米导电金属所构成，其中金属氧化物例如可为氧化铟锡(indiumtinoxide,ITO)、氧化铟锌(indiumzincoxide,IZO)、氧化镉锡(cadmiumtinoxide,CTO)、氧化招锋(aluminumzincoxide,ΑΖ0)、氧化铟锋锡(indiumtinzincoxide,ΙΤΖ0)、氧化锋(zincoxide)、氧化镉(cadmiumoxide)、氧化給(hafniumoxide,HfO)、氧化铟嫁锋(indiumgalliumzincoxide,InGaZnO)、氧化铟嫁锋续(indiumgalliumzincmagnesiumoxide,InGaZnMgO)、氧化铟嫁续(indiumgalliummagnesiumoxide,InGaMgO)或氧化铟嫁招(indiumgalliumaluminumoxide,InGaAlO)等；金属层614可为至少一层导电金属层，或者多层导电金属层。其材质可为铜合金、招合金、金、银、铝、铜、钥等导电金属或导电合金。多层导电金属层的结构，例如可为钥层/铝层/钥层的堆栈结构，或者可为选自铜合金、铝合金、金、银、铝、铜、钥等导电金属或导电合金的一种或多种材质而堆栈的多层导电金属层结构。[0037]请参阅图6d至图6e，图案化透明导电层613和金属层614，图案化制程可采用卷对卷黄光制程或卷对卷雷射制程，较佳为采用卷对卷黄光制程，将上述多层的透明堆栈结构进行第一道黄光制程，将透明导电层613和金属层614图案化。其中第一道黄光制程包括形成图案化光阻层(图未示)于金属层614之上，光阻层的材质可为液态光阻或干膜光阻。然后进行蚀刻步骤，蚀刻去除未受光阻层保护的透明导电层613和金属层614，以及去除图案化光阻层。接着请参阅图6e。进行第2道黄光制程，移除位于复数感测串列618上的金属层。其中复数感测串列618分别具有复数感测垫和复数桥接线(图未示)，复数感测垫以阵列方式排列，复数桥接线电性连接复数感测垫(图未示)。复数周边线路设置于偏光板的边缘以供连接控制晶片(图未示)，并且复数周边线路分别电性连接复数感测串列(图未示)，形成一触控感测结构611。接着，形成黏着层(图未示)于触控感测结构之上，其中黏着层的材质可为光学胶或水胶。再来使用刀模裁切或者雷射切割，形成片状触控感测基材(sensor)，最后再以黏着层黏贴具有触控感测基材的偏光板于显示单元上(图未示)。[0038]请参阅图7a至图7e所示为本发明的第二实施例的触控结构的制造方法示意图。首先，请参阅图7a，以镀膜方式形成高折射层720在偏光板710的上表面。接着，请参阅图7b，在高折射层720的上表面，使用前述方法形成一低折射层730于高折射层720之上。再来，请参阅图7c，依序形成透明导电层713和金属层714于低折射层730的上形成多层的透明堆栈结构。其中形成透明堆栈结构的方式例如可采用卷对卷物理气相沉积(PVD)、卷对卷化学气相沉积(CVD)、卷对卷电镀、卷对卷涂布制程等手段。请参阅图7d至图7e，图案化透明导电层713和金属层714形成复数感测串列718以及复数周边线路719，以形成一触控感测结构711，图案化制程可采用卷对卷黄光制程或卷对卷雷射制程，较佳为采用卷对卷黄光制程。接着，形成黏着层(图未示)于触控感测结构之上，其中黏着层的材质可为光学胶或水胶。再来使用刀模裁切或者雷射切割，形成片状触控感测基材(sensor)，最后再以黏着层黏贴具有触控感测基材的偏光板于显示单元上(图未示)。[0039]本发明提供一种可据以改善或降低电极图形痕迹或蚀刻痕迹的技术手段。在偏光板表面先形成复数迭层组合的光学折射层，利用光学折射层的材料和厚度而产生不同的光学特性，使偏光板表面的透明导电图形痕迹或蚀刻痕迹淡化，进而增加整体触控结构的穿透率，并可提升整体触控面板的视觉外观。【权利要求】1.一种触控结构，其特征在于，包含:一显示单元；一偏光板，设置于该显不单兀之上，具有至少一光学折射层；以及一触控感测结构，设置于该光学折射层之下。2.一种触控结构，其特征在于，包含:一显示单元；一偏光板，设置于该显不单兀之上，具有至少一光学折射层；以及一触控感测结构，设置于该光学折射层之上。3.如权利要求1或2所述的触控结构，其特征在于，该光学折射层更包括至少一高折射层和至少一低折射层相互交错堆栈。4.如权利要求1或2所述的触控结构，其特征在于，该高折射层的折射率为1.6至2.4，该低折射层的折射率为1.2至1.6。5.如权利要求1所述的触控结构，其特征在于，该光学折射层更包括至少一高折射层和至少一低折射层，该高折射层设置于该偏光板的一下表面，该低折射层设置于该些高折射层之下。6.如权利要求1所述的触控结构，其特征在于，该光学折射层更包括至少一高折射层和至少一低折射层，该触控感测结构位于该偏光板的一上表面，该低折射层设置于该触控感测结构之上，该高折射层设置于该低折射层之上。7.如权利要求2所述的触控结构，其特征在于，该光学折射层更包括至少一高折射层和至少一低折射层，该高折射层设置于该偏光板的一上表面,该低折射层设置于该些高折射层之上。8.如权利要求2所述的触控结构，其特征在于，该光学折射层更包括至少一高折射层和至少一低折射层,该触控感测结构位于该偏光板的一下表面，该低折射层设置于该触控感测结构之下，该高折射层设置于该低折射层之下。9.如权利要求5至8其中任一所述的触控结构，其特征在于，该高折射层材质为ITO、T12或Nb2O5,该低折射层材质为MgF2、S12或MgO。10.一种触控结构的制造方法，其特征在于，包含:提供一显示单元；提供一偏光板，设置于该显示单元之上；形成至少一光学折射层于该偏光板；以及形成一触控感测结构于该光学折射层之下，该触控感测结构具有复数感测串列和复数周边线路。11.如权利要求10所述触控结构的制造方法，其特征在于，形成该光学折射层更包括形成至少一高折射层和至少一低折射层，该高折射层形成于该偏光板的一下表面，该低折射层形成于该些高折射层之下。12.如权利要求10所述触控结构的制造方法，其特征在于，形成该光学折射层更包括形成至少一高折射层和至少一低折射层，形成该触控感测结构于该偏光板的一上表面，该低折射层形成于该触控感测结构之上，该高折射层形成于该低折射层之上。13.—种触控结构的制造方法，其特征在于，包含:提供一显示单元；提供一偏光板，设置于该显示单元之上；形成至少一光学折射层于该偏光板；以及形成一触控感测结构于该光学折射层之上，该触控感测结构具有复数感测串列和复数周边线路。14.如权利要求13所述触控结构的制造方法，其特征在于，形成该光学折射层更包括形成至少一高折射层和至少一低折射层，该高折射层形成于该偏光板的一上表面，该低折射层形成于该些高折射层之上。15.如权利要求13所述触控结构的制造方法，其特征在于，形成该光学折射层更包括形成至少一高折射层和至少一低折射层，形成该触控感测结构于该偏光板的一下表面，该低折射层形成于该触控感测结构之下，该高折射层形成于该低折射层之下。【文档编号】G06F3/041GK104423654SQ201310363137【公开日】2015年3月18日申请日期:2013年8月19日优先权日:2013年8月19日【发明者】郭晓文,陈维钏申请人:杰圣科技股份有限公司