一种可连续调整整流信号幅度的限幅电路与无源射频标签的制作方法

一种可连续调整整流信号幅度的限幅电路与无源射频标签的制作方法
【专利摘要】本发明通过在限幅电路的阈值单元接入带隙基准电压模块单元实现对阈值单元导通电压的动态连续控制，可根据电路工作需要任意设定带隙基准电压模块单元的输出电压值，当天线端电压高于该带隙基准输出电压值与串联的MOS管本身阈值电压之和时，阈值单元导通将接地通路打开，从而使天线端的电荷输出至地，减小天线端的电荷量，使整流出的直流电压降低；当天线端电压低于该带隙基准输出电压值与串联的MOS管本身阈值电压之和时，阈值单元截止且使得接地通路处于截止状态，整流电路将天线端的全部电荷整流为直流电源供负载电路使用，实现了限幅电压的连续调整功能，使得限幅的电压值具备连续性及精准性，保障各部分电路工作电压值的稳定性。
【专利说明】一种可连续调整整流信号幅度的限幅电路与无源射频标签
【技术领域】
[0001]本发明属于射频识别【技术领域】，具体是指一种可连续调整整流信号幅度的限幅电路以及包含该限幅电路的无源射频标签。
【背景技术】
[0002]无源射频识别(Radio Frequency Identification, RFID)标签本身不带电池，其依靠读卡器发送的电磁能量工作。由于它结构简单、经济实用，因而其在物流管理、资产追踪以及移动医疗领域获得了广泛的应用。
[0003]无源RFID标签工作时，其会从周围环境中吸收读卡器发送的电磁能量。无源RFID标签在吸收能量之后，将一部分能量整流为直流电源，以供无源RFID标签内部电路工作；无源RFID标签还将另一部分能量输入内部的调制解调电路，调制解调电路会对该能量中携带的幅度调制信号进行解调，并将解调后的信号发送给无源RFID标签的数字基带部分处理。
[0004]由于无源RFID标签与读卡器的距离是变化的，因此，当无源RFID标签工作时，其从周围环境中吸收的电磁能量也是变化的。当无源RFID标签离读卡器太近或读卡器发送的电磁能量太强时，无源RFID标签接收到的信号强度也较强，以至线圈上感应的电压超过了芯片中整流器模块所用的晶体管的耐压极限，造成晶体管的永久性损坏，导致RFID标签失效。
[0005]无源RFID标签通过负载调制的方式传输数据到读卡器，读卡器端的线圈探测到RFID标签端线圈的阻抗变化从而获取数据。当无源RFID标签离读卡器太近或读卡器发送的电磁能量太强时，从RFID标签端耦合回来的负载调制信号容易造成读卡器接受端的饱和，以至通讯失败。这种失败在读卡器首先发命令然后等待RFID标签应答的RTF通讯模式(Reader Talk First)下更容易发生。
[0006]为了解决上述耐压可靠性以及读卡器接受饱和的问题，RFID标签芯片电路内部需要施加幅度限制处理电路，以确保RFID标签上的天线两端电压被限制在一个预定的数值。
[0007]电子科技大学以2010年11月30日申请的名称为《一种用于超高频射频识别标签芯片的解调电路》，申请号为201010568305.4的发明专利中，幅度限制功能是通过一个电压比较器实施的，该电压比较器比较了包络检波电路产生的包络信号，即数据信息，和包络信号本身的均值之间的大小对比关系，从而由电压比较器后面的反相器输出高低逻辑信号，即解调后的信号。如此，即使在读卡器与电子标签之间的很近或很远导致的信号强度差异很大的情况下，该解调电路仍能够自适应地保证均值产生电路的稳定性，从而确保了解调电路正常稳定的工作。
[0008]上述专利中所用的自适应调整第一 PMOS管栅极电压的技术是间接监控射频信号强度的一种方法。其中动态调整的对象是作为等效电阻用的PMOS管，使得在不同信号强度下该PMOS管的沟道等效电阻保持稳定，也即和电容组成的滤波时间常数稳定，最终获得稳定的检波效果，确保了解调电路正常稳定的工作。本申请针对整流器电压幅度的动态调整而监控射频信号强度的大小，调整对象为整流器的限幅电路，使得从天线端口到地的漏电流通路在不同的信号强度情况下有不同程度的开启程度，从而保护了射频前端的晶体管不受高压影响，也避免了读卡器端的接收饱和现象的发生。
[0009]株式会社岛津制作所以2008年6月9日申请的，名称为《限幅电路》，申请号为200880129721.5的PCT专利，提出一种利用晶体管的导通、截止切掉超出上下限阈值信号电压值的限幅电路。该限幅电路是用于对信号强度的限幅，且其针对的是有恒定电源输入的电路，不同于本申请中所采用的整流控制电路，且也无法将该电路转用于RFID电路中。
[0010]天津南大强芯半导体芯片设计有限公司以2007年8月20号申请的，名称为《一种射频识别标签电路系统结构及其工作方法与应用》，申请号为200710058875.7的发明专利，唯一的提出的发明点是从整流器输出的供电电源线分了几路给不同的模块，并以此提出提高了能量转换和使用效率的观点。首先，就其电源线分开几路接到不同模块的做法，是芯片设计中的常规做法，但是该申请中未能阐述清楚能量转换和使用效率是如何提高的，提高到什么程度。要达到真正的效率提高，光是该申请中所提到的接法(那本身就是一个普通接法)是不够的，用整流器输出支路直接给存储器控制模块的高压产生电路供电甚至会导致电荷泵所用的振荡器功耗很大的问题。其次，该申请没有涉及本专利申请所述动态调整整流器输入端电压幅度电路的方面，跟本专利申请的发明点没有重复性。
[0011]上海华虹集成电路有限责任公司以2006年03月17日申请的，名称为《用于非接触式IC卡和射频识别标签芯片的限幅保护电路》，申请号为200610024814.4的发明专利中，提出一种以提高射频标签芯片的稳压，时钟，解调和复位电路的性能为目的的限幅电路，该限幅电路以保护瞬间感应的强场所造成的过压驱动为目的，并且解决了读卡器一端的接受饱和问题。该专利与本申请所存在的区别点在于:
[0012]1、因为限幅电路的目的不同，所以上海华虹的限幅电路是由高压或者低压的检测电路控制对一个电容的充放电来产生限幅信号。该限幅信号在比场强度的变化有着明显较大的时间常数，即缓慢反应天线上电压幅度的变化。这样的技术不能起到本申请所提出的过压保护的目的，因为在有限的时间常数之内，射频标签芯片内部的晶体管已经处在过压驱动的不可靠状态。所以本申请所公开的限幅电路对天线上电压的变化有着极快的反应速度，能够起到很好的保护作用。
[0013]2、上海华虹的限幅电路有两条泄放通路，其中一条慢通路，如前所述，不适合过压保护，另一条由解调信号控制的泄放通路，与本申请所公开的技术有着本质的不同。
[0014]3、上海华虹的高压检测与低压检测信号所控制的开关管有两个恒定电流源作为偏置，在无源射频标签系统中将造成较大的直流功耗，不利于达到低功耗，高灵敏度的目的。
[0015]4、上海华虹的限幅电路在检测天线两端电压上存在两个判断点，即电压过低的临界点和电压过高的临界点。当天线两端的电压低于电压过低的临界点时，电容上的电荷得到泄放。当天线两端电压高于电压过高的临界点时，电容上的电荷得到充电积累。这其中的问题是当天线两端的电压处于两个临界点之间时，上下两个控制开关均处于关断状态，电容上的电压是浮动的，不受任何信号控制。在无源射频标签芯片中这是一个致命的问题，容易造成不可控的泄放电流而损失能量，影响标签的灵敏度。这个问题在本申请所公开的技术中是不存在的，本申请中定义了一个唯一的判定点来控制开关的开启和关闭，一旦开启，该调解是连续可调的。

【发明内容】

[0016]本发明实施例所要解决的技术问题在于，提供一种可连续调整整流信号幅度的限幅电路以及包含该限幅电路的无源射频标签，通过对整流器电压幅度进行连续动态调整实现对电路电压的限幅控制，防止读卡器端接收饱和现象的发生。
[0017]为实现上述目的，本发明所采取的技术方案为:
[0018]一种可连续调整整流信号幅度的限幅电路，所述该电路包括:
[0019]谐振电容，与谐振电感并联连接于第一天线端与第二天线端之间，用于与谐振电感组成谐振电路，接收外部电磁场并将其耦合至整流电路；
[0020]整流电路，其输入端连接至第一天线端与第二天线端，用于将所述谐振电路耦合的交流电源转换为直流电源并输出至外部负载电路，以及为限幅电路提供电源，同时其一路输出端接地，用于在场强过强时将电荷输出至地；
[0021]限幅电路，其电源输入端连接至所述整流电路电源输出端，其输出端连接至整流电路控制输入端；
[0022]其中，所述限幅电路包括连接至电源的电流镜单元，电流镜单元控制端连接至阈值单元输入端，所述阈值单元的控制端连接至带隙基准电压模块单元，阈值单元的输出端接地。
[0023]本发明实施例的另一目的在于提供一种包括上述可连续调整整流信号幅度的限幅电路的无源射频标签。
[0024]本发明通过在限幅电路的阈值单元接入带隙基准电压模块单元实现对阈值单元导通电压的动态连续控制，可根据电路工作需要任意设定带隙基准电压模块单元的输出电压值，当天线端电压高于该带隙基准输出电压值与串联的MOS管本身阈值电压之和时，阈值单元导通将接地通路打开，从而使天线端的电荷输出至地，减小天线端的电荷量，使整流出的直流电压降低；当天线端电压低于该带隙基准输出电压值与串联的MOS管本身阈值电压之和时，阈值单元截止且使得接地通路处于截止状态，整流电路将天线端的全部电荷整流为直流电源供负载电路使用，实现了限幅电压的连续调整功能，避免由于单向导通电子元器件的阈值特性而出现的非连续的离散型格点式导通现象，使得限幅的电压值具备连续性及精准性，保障各部分电路工作电压值的稳定性。
【专利附图】

【附图说明】
[0025]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0026]图1是本发明的电路总体结构框图；
[0027]图2是本发明采用的整流电路实施例一结构图；
[0028]图3是本发明采用的整流电路实施例二结构图；
[0029]图4是本发明采用的限幅电路实施例一结构图；[0030]图5是本发明采用的限幅电路实施例二结构图。
【具体实施方式】
[0031]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0032]在描述本发明实施例之前，需要对本发明实施例中所涉及的一些关键词进行解释。本发明实施例中所述的连接，代表两个连接端点之间存在直接或间接的连接关系。
[0033]如图1所示为本发明的电路总体结构框图。本发明所述一种可连续调整整流信号幅度的限幅电路I包括:
[0034]谐振电容Cl，其与谐振电感L并联连接于第一天线端ini与第二天线端in2之间，用于与谐振电感L组成谐振电路，接收外部电磁场并将其耦合至整流电路；
[0035]整流电路2，其输入端连接至第一天线端ini与第二天线端in2，用于将所述谐振电路耦合的交流电源转换为直流电源并输出至外部负载电路，其另一路输出端为限幅电路提供电源，同时一路输出端接地，用于在场强过强时将电荷输出至地；
[0036]限幅电路3，其电源输入端连接至所述整流电路电源输出端V1，其输出端Vk连接至整流电路控制输入端；
[0037]其中，所述限幅电路3包括连接至电源的电流镜单元，电流镜单元控制端连接至阈值单元4输入端，所述阈值单元的控制端连接至带隙基准电压模块单元5，阈值单元的输出端接地。
[0038]图2为本发明采用的整流电路实施例一结构图。所述整流电路2包括并联连接于第一天线端ini与第二天线端in2之间的第一整流支路，第二整流支路以及第三整流支路。
[0039]所述第一整流支路为桥式整流电路，其一输出端接地，另一输出端Vdd _连接至外部负载电路，用于将谐振电路耦合的交流电源转换为直流电源为外部负载电路提供电源。
[0040]所述第二整流支路为连接于第一天线端ini与第二天线端in2之间的第五二极管D5和第六二极管D6，如图2，所述第五二极管D5和第六二极管D6用于将谐振电路耦合的交流电源转换为直流电源V1并输出至限幅电路输入端，为限幅电路提供电源。
[0041]第二整流支路的第二种实施例结构如图3所示，该实施例中所述第二整流支路为连接于第一天线端ini与第二天线端in2之间的第二 N型MOS管匪2和第三N型MOS管匪3，所述第二 N型MOS管匪2栅极和漏极分别连接至第一天线端ini，第三N型MOS管匪3栅极和漏极分别连接至第二天线端in2，第二 N型MOS管匪2源极连接至第三N型MOS管匪3源极，用于将谐振电路耦合的交流电源转换为直流电源V1并输出至限幅电路输入端，为限幅电路提供电源。
[0042]上述第五二极管D5和第二 N型MOS管匪2，以及第六二极管D6和第三N型MOS管匪3均为单向导通的电子元件，用于将第一天线端ini与第二天线端in2之间的交流电源整流为直流电源V1，则V1的电压值为Vinl (正半周交流信号)或Vin2 (负半周交流信号)减去二极管或MOS管的阈值电压。
[0043]所述第三整流支路为连接于第一天线端ini与第二天线端in2之间的第七二极管D7和第八二极管D8，如图2，所述第七二极管D7和第八二极管D8阴极端连接至第一 N型MOS管匪I漏极，所述第一 N型MOS管匪I栅极连接至限幅电路的输出端\，其源极接地，用于在场强过强时将谐振电路耦合的电荷输出至地，从而减小第一天线端ini与第二天线端in2之间的电荷量。
[0044]第三整流支路的第二种实施例结构如图3所示，该实施例中所述第三整流支路为连接于第一天线端ini与第二天线端in2之间的第四N型MOS管NM4和第五N型MOS管匪5，所述第四N型MOS管NM4栅极和漏极分别连接至第一天线端ini，第五N型MOS管匪5栅极和漏极分别连接至第二天线端in2，第四N型MOS管NM4源极连接至第五N型MOS管匪5源极并连接至第一 N型MOS管匪I漏极，所述第一 N型MOS管匪I栅极连接至限幅电路的输出端Vk，其源极接地，用于在场强过强时将谐振电路耦合的电荷输出至地，从而减小第一天线端ini与第二天线端in2之间的电荷量。
[0045]上述第七二极管D7和第四N型MOS管NM4，以及第八二极管D8和第五N型MOS管匪5均为单向导通的电子元件，用于将第一天线端ini与第二天线端in2之间的交流电源整流为直流电源并输入至第一 N型MOS管匪I。
[0046]所述第一整流支路、第二整流支路以及第三整流支路中起整流作用的单向导通电子元件均可采用二极管或MOS管的任意形式的组合，包含但并不限于附图中所示出的两种组合方式，且可以通过调整所述二极管的尺寸(即PN结的面积)或调整MOS管的沟道尺寸比例来设定二极管或MOS管的放大比例，达到节省功耗的目的。
[0047]如图4所示为本发明采用的限幅电路3结构图。所述限幅电路包括连接至电源的电流镜单元，电流镜单元控制端连接至阈值单元4输入端，所述阈值单元4的控制端连接至带隙基准电压模块单元5，阈值单元的输出端接地。
[0048]所述电流镜单元包括第一 P型MOS管PMl和第二 P型MOS管PM2，所述第一 P型MOS管PMl和第二 P型MOS管PM2源极分别连接至电源V1作为电流源，第一 P型MOS管PMl栅极连接至第二 P型MOS管PM2栅极，第一 P型MOS管PMl栅极连接至其漏极并连接至所述阈值单元4，阈值单元4的控制端连接至带隙基准电压模块单元5，其输出端接地。所述第二 P型MOS管PM2漏极连接至第一 N型MOS管匪I栅极并通过电阻R接地。
[0049]所述阈值单元4用于与第一 P型MOS管PMl组成一个单向导通支路，因此，所述该阈值单元可采用一个或一个以上的MOS管串接于第一 P型MOS管PMl漏极端与地之间，或者是采用一个或一个以上的二极管串接于第一 P型MOS管PMl漏极端与地之间，则限幅电路的导通电压即为该支路上各单向导通电子元器件的阈值电压之和。
[0050]但是由于电子元器件的阈值特性，在电压值低于阈值电压时，该电子元器件保持截止状态，当电压值等于或大于0.7V时(假定所有二极管和MOS管的阈值电压均为0.7V)，则电子元器件实现导通，限幅电路导通开始实现漏电，即限幅电路的导通电压为0.7V的N倍，N为第一 P型MOS管PMl以及其漏极端串接的二极管和/或MOS管的数量之和，则N大于等于2。因此，限幅电路的导通电压为非连续性的离散型格点式，这样就必然存在限幅电压值的盲区点，比如对于需要设定限幅电压值位于0.7V-1.4V之间时，该采用二极管或MOS管直接进行串联组成阈值单元的限幅电路则无法实现。
[0051]在射频识别标签中不可或缺的存在带隙基准电压模块单元，带隙基准电压模块单元产生的电压值经过温度及工艺波动补偿，具有较高的精准性，并且其电路输出具有很大的可调节性，可以通过设定输出电路的开关来选定带隙基准输出电压高低，因此，带隙基准电压Vref没有上述节点限制，可将其任意设定至所需要的电压值。
[0052]因此，本发明实施例所述限幅电路的第一种实施例为将阈值单元采用第三P型MOS管PM3，所述该第三P型MOS管PM3的源极连接至第一 P型MOS管PMl漏极端，其栅极连接至带隙基准电压模块单元5，其漏极接地，如图4所示。
[0053]本申请所公开的技术方案可以表述为:射频识别标签的整流器从周围环境的电磁场能量中转换出直流电压Vdd tjut，该电压从零电位开始上升到一定的程度足够带隙基准电压模块单元进入工作状态之后，带隙基准电压产生电路经过自启动过程而产生较为精准的带隙基准电压Vief，用带隙基准电压去控制限幅电路中阈值单元的第三P型MOS管PM3栅极。
[0054]同时，射频识别标签的整流器从周围环境的电磁场能量中转换出直流电压V1，该电压V1输入至限幅电路加载于第一 P型MOS管PMl与第三P型MOS管PM3上，当V1上升到一定程度的时候，该第一 P型MOS管PMl与第三P型MOS管PM3进入电流偏置的状态，即第
一P型MOS管PMl与第三P型MOS管PM3的沟道有直流电流流过。根据P型MOS器件的固有特性，在电流偏置的状态下，P型MOS管的源极与其栅极之间存在一个阈值电压(Vth)的差值，即源极电压V1=Vth

(PMl) +Vref+Vth(PMS。
[0055]作为一个实施实例，设定带隙基准电压Vref为0.9伏，其通过控制第三P型MOS管PM3栅极，使得该P型MOS的源极被设定到0.9+0.7=1.6伏。与其连接的第一 P型MOS管PMl叠加上另外的0.7伏阈值电压，于是设定了限幅电路的限幅电压为2.3伏，考虑到未被完全消除的工艺波动因素，限幅电压被设定在1.9~2.7伏的范围。这是一个非常合适的限幅电压，既达到了低功耗的设计目的(即在极弱场的情况下能够让芯片进入工作状态)，也使得3.3伏的器件可以很可靠的工作。若V1值小于该限幅电压时，则第一 P型MOS管PMl和阈值单元不导通，第二 P型MOS管PM2漏极输出的电流为零，则Vr为零，第一 N型MOS管匪I不导通，对第一天线端与第二天线端之间的电荷量不造成影响；若％值高于该限幅电压时，则第一 P型MOS管PMl和阈值单元支路导通，第一 P型MOS管PMl将该电流镜像至第
二P型MOS管PM2并通过电阻R产生电压差Vk输入至第一 N型MOS管匪I栅极，第一 N型MOS管匪I导通，通过其源极将第一天线端与第二天线端之间的电荷输出至地，使得第一天线端与第二天线端之间的电荷量减小，则桥式整流电路整流出的直流电源Vdd _减小，即负载电路两端的电压降低。若第一天线端与第二天线端之间的电荷始终高于限幅电压，则该漏电的通路始终导通，使电荷量不断减小直至低于限幅电压值后该漏电通路断开，实现对电路电压进行连续的、循环的动态整流控制，防止过高的电压击穿负载电路。
[0056]当本发明实施例所述阈值单元4为多个P型MOS管时，其相互连接方式为:任一 P型MOS管漏极端与相邻P型MOS管的源极端连接形成串联结构，第一个所述P型MOS管的源极连接至第一 P型MOS管PMl漏极为所述阈值单元4的输入端，最后一个P型MOS管的漏极接地为所述阈值单元4的输出端，各P型MOS管的栅极均连接至带隙基准电压模块单元5，如图5所示。采用多个P型MOS管的连接可以增大阈值单元的总体有效电阻，进一步的限制了该支路电流，从而达到低功耗设计的目的。
[0057]本发明采用带隙基准电压对限幅电路进行连续限幅控制，对于射频识别标签的系统设计有着至关重要的作用:首先，由于带隙基准电压的连续性，从而实现限幅电压的连续性，可根据电路工作需要将限幅电压值限定于略高于工作点电压值即可，保障了电路工作的稳定性；其次，由于带隙基准电压的精准性，可大大降低电子元器件的选用范围，对达到低成本的设计要求有着很大的影响。具体的说，没有精确限幅甚至没有任何限幅的低频(125KHz)射频识别标签整流器输入和输出的电压会从I?2伏变化到14?15伏，而普通的3.3伏MOS器件或者5伏MOS器件是不能够在这个环境下工作的，所以，芯片生产工艺的选取就必须局限于提供大尺寸的耐高压器件的半导体工艺，则必然导致成本的增加，这对于达到低成本的设计要求是不利的。
[0058]本发明实施例的另一目的在于提供一种包括上述可连续调整整流信号幅度的限幅电路的无源射频标签，所述该无源射频识别标签在限幅电路的阈值单元接入带隙基准电压模块单元实现对阈值单元导通电压的动态连续控制，可根据电路工作需要任意设定带隙基准电压模块单元的输出电压值，当天线端电压高于该带隙基准输出电压值与串联的MOS管本身阈值电压之和时，阈值单元导通将接地通路打开，从而使天线端的电荷输出至地，减小天线端的电荷量，使整流出的直流电压降低；当天线端电压低于该带隙基准输出电压值与串联的MOS管本身阈值电压之和时，阈值单元截止且使得接地通路处于截止状态，整流电路将天线端的全部电荷整流为直流电源供负载电路使用，实现了限幅电压的连续调整功能，避免由于单向导通电子元器件的阈值特性而出现的非连续性离散型格点式导通现象，使得限幅的电压值具备连续性及精准性，保障各部分电路工作电压值的稳定性。
【权利要求】
1.一种可连续调整整流信号幅度的限幅电路，其特征在于，所述电路包括: 谐振电容，与谐振电感并联连接于第一天线端与第二天线端之间，用于与谐振电感组成谐振电路，接收外部电磁场并将其耦合至整流电路； 整流电路，其输入端连接至第一天线端与第二天线端，用于将所述谐振电路耦合的交流电源转换为直流电源并输出至外部负载电路，以及为限幅电路提供电源，同时其一路输出端接地，用于在场强过强时将电荷输出至地； 限幅电路，其电源输入端连接至所述整流电路电源输出端，其输出端连接至整流电路控制输入端； 其中，所述限幅电路包括连接至电源的电流镜单元，电流镜单元控制端连接至阈值单元输入端，所述阈值单元的控制端连接至带隙基准电压模块单元，阈值单元的输出端接地。
2.根据权利要求1所述的可连续调整整流信号幅度的限幅电路，其特征在于，所述整流电路包括并联连接于第一天线端与第二天线端之间的第一整流支路，第二整流支路以及第二整流支路。
3.根据权利要求2所述的可连续调整整流信号幅度的限幅电路，其特征在于，所述第二整流支路为连接于第一天线端与第二天线端之间的第五二极管和第六二极管，所述第五二极管和第六二极管阴极端连接至限幅电路输入端，用于为限幅电路提供电源。
4.根据权利要求2所述的可连续调整整流信号幅度的限幅电路，其特征在于，所述第二整流支路为连接于第一天线端与第二天线端之间的第二 N型MOS管和第三N型MOS管，所述第二 N型MOS管栅极和漏极分别连接至第一天线端，第三N型MOS管栅极和漏极分别连接至第二天线端，第二 N型MOS管源极连接至第三N型MOS管源极并输出至限幅电路输入端，用于为限幅电路提供电源。
5.根据权利要求2所述的可连续调整整流信号幅度的限幅电路，其特征在于，所述第三整流支路为连接于第一天线端与第二天线端之间的第七二极管和第八二极管，所述第七二极管和第八二极管阴极端连接至第一 N型MOS管漏极，所述第一 N型MOS管栅极连接至限幅电路的输出端，其源极接地，用于在场强过强时将电荷输出至地。
6.根据权利要求2所述的可连续调整整流信号幅度的限幅电路，其特征在于，所述第三整流支路为连接于第一天线端与第二天线端之间的第四N型MOS管和第五N型MOS管，所述第四N型MOS管栅极和漏极分别连接至第一天线端，第五N型MOS管栅极和漏极分别连接至第二天线端，第四N型MOS管源极连接至第五N型MOS管源极并连接至第一 N型MOS管漏极，所述第一 N型MOS管栅极连接至限幅电路的输出端，其源极接地，用于在场强过强时将电荷输出至地。
7.根据权利要求1所述的可连续调整整流信号幅度的限幅电路，其特征在于，所述限幅电路包括电流镜单元，阈值单元，以及带隙基准电压模块单元， 所述电流镜单元包括第一 P型MOS管和第二 P型MOS管，所述第一 P型MOS管和第二P型MOS管源极分别连接至电源作为电流源，第一 P型MOS管栅极连接至第二 P型MOS管栅极，第一 P型MOS管栅极连接至其漏极并连接至所述阈值单元，阈值单元的控制端连接至带隙基准电压模块单元，所述阈值单元的输出端接地； 所述第二 P型MOS管漏极连接至第一 N型MOS管栅极并通过电阻接地。
8.根据权利要求7所述的可连续调整整流信号幅度的限幅电路，其特征在于，所述阈值单元为至少一个P型MOS管，所述至少一个P型MOS管中，任一 P型MOS管漏极端与相邻P型MOS管的源极端连接形成串联结构，第一个所述P型MOS管的源极连接至第一 P型MOS管漏极为所述阈值单元的输入端，最后一个P型MOS管的漏极接地为所述阈值单元的输出端，各P型MOS管的栅极均连接至带隙基准电压模块单元。
9.一种无源射频标签，其特征在于，所述无源射频标签包括如权利要求1-8中任一所述的可连续调整整流信号幅度`的限幅电路。
【文档编号】G06K19/077GK103699928SQ201410008854
【公开日】2014年4月2日 申请日期:2014年1月8日 优先权日:2014年1月8日
【发明者】韩富强, 吴边, 漆射虎 申请人:卓捷创芯科技（深圳）有限公司