一种ogs触摸屏的制作工艺的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种OGS触摸屏的制作工艺，属触摸屏领域，解决因油墨边框层厚度造成ITO膜质量低的问题。包括下述步骤，在玻璃基板的一面沉积金属化合物并蚀刻制成金属边框层；覆盖三氧化二铝作为表层；在玻璃基板的另一面沉积五氧化二铌；在五氧化二铌上覆盖二氧化硅构成消影膜；在消影膜上溅射形成ITO导电膜并蚀刻电路；覆盖OC绝缘层绝缘；在OC绝缘膜层上沉积金属膜层并蚀刻过桥和电路；在金属膜层上覆盖保护层；边框丝印以制成OGS触摸传感器；用OCA光学胶将显示屏贴合在OGS触摸传感器上制成OGS触摸屏。金属边框层设于玻璃基板上相对于消影膜、ITO导电层的另一面，沉积消影膜时可避免消影膜断裂。
【专利说明】一种OGS触摸屏的制作工艺
【技术领域】
[0001] 本发明涉及触摸屏领域，特别是一种0GS触摸屏的制作工艺。
【背景技术】
[0002] 目前0GS电容式触摸屏普遍采用的边框工艺为丝网印刷或BM光阻剂（与ΙΤ0层 在同一面），可以基本满足0GS触摸屏的使用要求，但边框的均匀性较差、厚度较厚，对后续 制造工艺带来难度，沉积ΙΤ0膜时容易因为油墨边框层的厚度形成的台阶效果造成膜层断 裂，从广品的良品率不商。
【发明内容】
[0003] 本发明所要达到的目的是提供一种0GS触摸屏的制作工艺，防止ΙΤ0膜断裂。
[0004] 为了达到上述目的，本发明采用如下技术方案：一种0GS触摸屏的制作工艺，包括 下述步骤，在玻璃基板的一面沉积金属化合物，使用蚀刻工艺制作形成金属边框层；在金属 边框层上覆盖三氧化二铝作为表层；在玻璃基板的另一面沉积一层五氧化二铌；在五氧化 二铌上覆盖一层二氧化硅与五氧化二铌共同构成消影膜；在消影膜上溅射氧化铟锡并使用 340°C _360°C的温度退火处理形成ΙΤ0导电膜，在ΙΤ0导电膜上蚀刻电路；在ΙΤ0导电膜上 覆盖0C绝缘层绝缘；在0C绝缘膜层上沉积一层金属膜层，在金属膜层上蚀刻过桥和电路； 在金属膜层上覆盖一层保护层；进行一遍或两遍边框丝印制成0GS触摸传感器；使用0CA 光学胶将显示屏贴合在0GS触摸传感器带有保护层的一面制成0GS触摸屏。
[0005] 进一步的，在玻璃基板的一面反应溅射沉积金属化合物时温度在280°C _320°C。
[0006] 进一步的，使用TiCN或TiN制作形成金属边框层。
[0007] 进一步的，所述消影膜的沉积镀膜温度为215°C _225°C。
[0008] 进一步的，在0C绝缘层上沉积金属膜层的温度为215°C _225°C。
[0009] 进一步的，所述保护层的材料为二氧化硅。
[0010] 采用上述技术方案后，本发明具有如下优点：
[0011] 金属边框层设于玻璃基板上相对于消影膜、ΙΤ0导电层所在一面的另一面，沉积 ΙΤ0膜时可避免ΙΤ0膜因油墨边框层厚度形成的台阶效果断裂。
【具体实施方式】
[0012] 一种0GS触摸屏的制作工艺，包括下述步骤，在玻璃基板的一面使用300°C的温度 (也可采用280°C、320°C或280°C -320°c中的其他取值）反应溅射沉积金属化合物TiCN(或 TiN)并使用蚀刻工艺制作形成金属边框层；在金属边框层上覆盖三氧化二铝作为表层；在 玻璃基板的另一面使用210°C的温度（也可采用215°C、225°C或215°C _225°C中的其他 取值）沉积一层五氧化二铌；在五氧化二铌上覆盖一层二氧化硅与五氧化二铌共同构成 消影膜；在消影膜上溅射氧化铟锡并使用350°C (也可采用340°C、360°C或340°C _360°C 中的其他取值）的温度退火处理形成ΙΤ0导电膜，在ΙΤ0导电膜上蚀刻电路；在ΙΤ0导电
【权利要求】
1. 一种OGS触摸屏的制作工艺，其特征在于：包括下述步骤， (A) 在玻璃基板的一面沉积金属化合物，使用蚀刻工艺制作形成金属边框层； (B) 在金属边框层上覆盖三氧化二铝作为表层； (C) 在玻璃基板的另一面沉积一层五氧化二银； (D) 在五氧化二铌上覆盖一层二氧化硅与五氧化二铌共同构成消影膜； (E) 在消影膜上溅射氧化铟锡并使用340°C _360°C的温度退火处理形成IT0导电膜，在 IT0导电膜上蚀刻电路； (F) 在IT0导电膜上覆盖0C绝缘层绝缘； (G) 在0C绝缘膜层上沉积一层金属膜层，在金属膜层上蚀刻过桥和电路； (H) 在金属膜层上覆盖一层保护层； (I) 进行一遍或两遍边框丝印制成0GS触摸传感器； (J) 使用0CA光学胶将显示屏贴合在0GS触摸传感器带有保护层的一面制成0GS触摸 屏。
2. 根据权利要求1所述的一种0GS触摸屏的制作工艺，其特征在于：在玻璃基板的一 面反应溅射沉积金属化合物时温度在280°C _320°C。
3. 根据权利要求2所述的一种OGS触摸屏的制作工艺，其特征在于：使用TiCN或TiN 制作形成金属边框层。
4. 根据权利要求1-3任一所述的一种0GS触摸屏的制作工艺，其特征在于：所述消影 膜的沉积镀膜温度为210°C _230°C。
5. 根据权利要求1-3任一所述的一种OGS触摸屏的制作工艺，其特征在于：在0C绝缘 层上沉积金属膜层的温度为215°C _225°C。
6. 根据权利要求1-3任一所述的一种OGS触摸屏的制作工艺，其特征在于：所述保护 层的材料为二氧化硅。
【文档编号】G06F3/044GK104090692SQ201410195942
【公开日】2014年10月8日 申请日期:2014年5月9日 优先权日:2014年5月9日
【发明者】张吉 申请人:浙江金指科技有限公司