半导体工艺用rfid耐热标签的制作方法
【专利摘要】本发明涉及RFID标签【技术领域】，特别涉及半导体工艺用RFID耐热标签，包括上下叠加的铜薄膜板层和混合材料板层，所述铜薄膜板层上设有芯片和天线，所述混合材料板层由上部构造层、相隔层、下部构造层组成；所述芯片和天线由环氧玻璃和硅粘合剂混合材料粘结于铜薄膜板层上；所述上部构造层由环氧玻璃、聚四氟乙烯、铜、ABS树脂、碳颜料的混和物加温熔化后挤压而成；所述相隔层由聚酰亚胺和硅涂料的混和物加温熔化后挤压而成；所述下部构造层由聚酰亚胺、硅粘合剂、铁、银混和物加温熔化后挤压而成。本发明所得RFID标签，比现有技术而言，耐温效果得到极大提高。
【专利说明】半导体工艺用RFID耐热标签
【技术领域】
[0001] 本发明涉及RFID标签【技术领域】，特别涉及半导体工艺用RFID耐热标签。
【背景技术】
[0002] RDIF标签因其智能方便，得到越来越广泛的应用。因为RDIF标签应用场合条件比 较差，如温度高，湿度大，较腐蚀性等。现有的RDIF标签价格昂贵，材料设置不合理，对读出 器的识别距离要求比较高，并且不适用于高温环境。有必要对现有技术进行改进。
【发明内容】
[0003] 针对上述现有技术存在的不足，本发明的目的是提供半导体工艺用RFID耐热标 签，其具有材料设置合理，耐高温等特点。
[0004] 为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：
[0005] 本发明所述半导体工艺用RFID耐热标签，包括上下叠加的铜薄膜板层和混合材 料板层，所述铜薄膜板层上设有芯片和天线，所述混合材料板层由上部构造层、相隔层、下 部构造层组成；
[0006] 所述芯片和天线由环氧玻璃和硅粘合剂混合材料粘结于铜薄膜板层上；
[0007] 所述上部构造层由环氧玻璃、聚四氟乙烯、铜、ABS树脂、碳颜料的混和物加温熔化 后挤压而成；
[0008] 所述相隔层由聚酰亚胺和硅涂料的混和物加温熔化后挤压而成；
[0009] 所述下部构造层由聚酰亚胺、硅粘合剂、铁、银混和物加温熔化后挤压而成。
[0010] 进一步地，所述上部构造层中各组成物的质量百分比为：
[0011] 环氧玻璃 21. 3% 聚四氟乙烯 16.9% 铜 12.8% ABS 树脂 45. 2% 碳颜料 3.8%。
[0012] 进一步地，所述相隔层中各组成物的质量百分比为：
[0013] 聚酰亚胺 70%
[0014] 硅涂料 30%。
[0015] 进一步地，所述下部构造层中各组成物的质量百分比为：
[0016] 聚酰亚胺 70% 硅粘合剂 20% 铁 6% 银 4%。
[0017] 本发明采用上述结构和配方后，其有益效果为：所述混合材料板层由上部构造层、 相隔层、下部构造层组，各层采用特殊的配方，可用于金属用的环境，还可适用于高温环境， 耐久性高，而且，在半导体生产线和工厂自动化生产线中最大限度地减少电磁波的散射现 象。
【专利附图】
【附图说明】
[0018] 图1是本发明结构示意图。
[0019] 图中：
[0020] 1、铜薄膜板层；2、混合材料板层；
[0021] 3、上部构造层；4、相隔层； 5、下部构造层。
【具体实施方式】
[0022] 下面结合附图对本发明作进一步的说明：
[0023] 实施例
[0024] 本发明所述的半导体工艺用RFID耐热标签，包括上下叠加的铜薄膜板层1和混合 材料板层2,所述铜薄膜板层1上设有芯片和天线，所述混合材料板层2由上部构造层3、相 隔层4、下部构造层5组成；所述芯片和天线由环氧玻璃和硅粘合剂混合材料粘结于铜薄膜 板层1上；
[0025] 所述上部构造层3由环氧玻璃、聚四氟乙烯、铜、ABS树脂、碳颜料的混和物加温熔 化后挤压而成。制作工艺，具体而言，取环氧玻璃21. 3Kg，聚四氟乙烯16. 9Kg，铜粉12. 8Kg， ABS树脂45. 2Kg，碳颜料3. 8Kg于搅拌器中，高速搅拌成混合物，加热到190-2110°C熔化，后 经挤压机挤压成板状。
[0026] 所述相隔层4由聚酰亚胺和硅涂料的混和物加温熔化后挤压而成。制作工艺，具 体而言，取聚酰亚胺70Kg和硅涂料30Kg于搅拌器中，高速搅拌成混合物，加热到195°C熔 化，后经挤压机挤压成板状。
[0027] 所述下部构造层5由聚酰亚胺、硅粘合剂、铁、银混和物加温熔化后挤压而成。制 作工艺，具体而言，聚酰亚胺70Kg，硅粘合剂20Kg，铁粉6Kg，银粉4Kg于搅拌器中，高速搅拌 成混合物，加热到21(TC熔化，后经挤压机挤压成板状。
[0028] 本发明所述RFID耐高温标签制作费用上相对较便宜的同时，也具有耐热金属标 签的作用，经耐温实验，在200°C的高温下可使用一个多小时，比现有技术150°C使用温度， 有极大提
[0029] 以上所述仅是本发明的较佳实施方式，故凡依本发明专利申请范围所述的构造、 特征及原理所做的等效变化或修饰，均包括于本发明专利申请范围内。
【权利要求】
1. 半导体工艺用RFID耐热标签，其特征在于：包括上下叠加的铜薄膜板层（1)和混合 材料板层（2)，所述铜薄膜板层（1)上设有芯片和天线，所述混合材料板层（2)由上部构造 层（3)、相隔层（4)、下部构造层（5)组成； 所述芯片和天线由环氧玻璃和硅粘合剂混合材料粘结于铜薄膜板层（1)上； 所述上部构造层（3)由环氧玻璃、聚四氟乙烯、铜、ABS树脂、碳颜料的混和物加温熔化 后挤压而成； 所述相隔层（4)由聚酰亚胺和硅涂料的混和物加温熔化后挤压而成； 所述下部构造层（5)由聚酰亚胺、硅粘合剂、铁、银混和物加温熔化后挤压而成。
2. 根据权利要求1所述的半导体工艺用RFID耐热标签，其特征在于：所述上部构造层 (3)中各组成物的质量百分比为： 环氧玻璃 21.3% 聚四氟乙烯 16.9% 铜 12.8% ABS 树脂 45. 2% 碳颜料 3.8%。
3. 根据权利要求1所述的半导体工艺用RFID耐热标签，其特征在于：所述相隔层（4) 中各组成物的质量百分比为： 聚酰亚胺 70% 硅涂料 30%。
4. 根据权利要求1所述的半导体工艺用RFID耐热标签，其特征在于：所述下部构造层 (5)中各组成物的质量百分比为： 聚酰亚胺 7〇% 硅粘合剂 2G% 铁 6% 银 4%。
【文档编号】G06K19/077GK104123573SQ201410287572
【公开日】2014年10月29日 申请日期:2014年6月25日 优先权日:2014年6月25日
【发明者】许进俊 申请人:无锡久盛信息技术有限公司