发射电极扫描电路、阵列基板和显示装置制造方法
【专利摘要】本发明提供了一种发射电极扫描电路、阵列基板及显示装置，该发射电极扫描电路包括多个级联的子扫描电路，每一个子扫描电路包括移位寄存单元、扫描信号生成单元和驱动输出单元。本发明中，每个子扫描电路分别向发射电极提供驱动信号，这样就避免从阵列基板外引入多条驱动信号线。并且多个子扫描电路共用发射电极驱动信号线且只需要一个起始信号输入即可驱动发射电极扫描电路逐行发送发射电极驱动信号。从而本发明的发射电极扫描电路适于集成到阵列基板的封框胶区域，不需要设置输入线路繁多的扇出结构，有利于实现显示装置的窄边化，另一方面也避免了输入线路与栅极电压线之间产生的串扰。
【专利说明】发射电极扫描电路、阵列基板和显示装置
【技术领域】
[0001] 本发明涉及显示【技术领域】，尤其涉及一种发射电极扫描电路、阵列基板和显示装 置。
【背景技术】
[0002] 嵌入式触摸屏面板（In-Cell TSP)技术是目前TSP技术发展的重要方向。在 In-Cell TSP中，通常使用最上层的公共电极（VC0M ΙΤ0)作发射（TX)电极，而传统设计中 VC0M ΙΤ0上的TX驱动信号是外部驱动1C通过位于Seal区域的扇出结构（Fan-out)加入 的（参见图1)。
[0003] 随着面板（Panel)尺寸增大，TX电极数量将增多，则TX Fan-out的布置需要更 多空间。因此，采用Fan-out方式的TX电极，受封框胶（Seal)区域宽度等影响，限制了 In-Cell技术在大尺寸和窄边框Panel上的应用。另外TX Fan-out位于阵列基板栅极集成 驱动电路（G0A)上方或下方，信号串扰造成TX电极和G0A相互影响，带来触摸（Touch)和 Panel显示的可靠性问题。
【发明内容】
[0004] 本发明的目的是提出一种能够集成到阵列基板上的发射电极扫描电路，从而实现 面板的窄边化，并减少与G0A之间的串扰。
[0005] 为了达到上述目的，本发明提供了一种发射电极扫描电路，包括多个级联的子扫 描电路，每一个子扫描电路包括移位寄存单兀、扫描信号生成单兀和驱动输出单兀；其中：
[0006] 所述移位寄存单元，用于对接收到的起始信号进行移位得到下一级子扫描电路的 起始信号以及发射电极驱动控制信号，并将下一级子扫描电路的起始信号输出到下一级子 扫描电路的移位寄存单元，将得到的发射电极驱动控制信号输出到所述扫描信号生成单 元；
[0007] 所述扫描信号生成单元，与发射电极驱动信号线相连，用于根据从所述移位寄存 单元接收到的发射电极驱动控制信号和从所述发射电极驱动信号线接收到的发射电极驱 动信号生成发射电极扫描信号，并将得到的发射电极扫描信号输入到所述驱动输出单元的 扫描信号输入端；
[0008] 所述驱动输出单元，用于将接收到的发射电极扫描信号的高电平转换为发射电极 驱动高电平，将所述发射电极扫描信号的低电平转换为发射电极驱动低电平，并输出到发 射电极。
[0009] 进一步的，所述移位寄存单元还用于将发射电极驱动控制信号的反相信号输出到 所述扫描信号生成单元；
[0010] 所述扫描信号生成单元包括五个薄膜场效应晶体管，其中第一薄膜场效应晶体管 和第二薄膜场效应晶体管为P沟道型薄膜场效应晶体管，第三薄膜场效应晶体管、第四薄 膜场效应晶体管和第五薄膜场效应晶体管为N沟道型薄膜场效应晶体管；并且， toon] 第一薄膜场效应晶体管和第五薄膜场效应晶体管的栅极接入发射电极驱动控制 信号的反相信号；第一薄膜场效应晶体管的源极接入偏置高电平，漏极与第二薄膜场效应 晶体管的源极相连；第五薄膜场效应晶体管的源极与所述扫描信号生成单元的输出端相 连，漏极接入偏置低电平；
[0012] 第二薄膜场效应晶体管和第四薄膜场效应晶体管的栅极均与发射电极驱动信号 线相连；第二薄膜场效应晶体管的漏极连接到所述扫描信号生成单元的输出端；第四薄膜 场效应晶体管的源极接入偏置低电平，漏极接入第三薄膜场效应晶体管的源极；
[0013] 第三薄膜场效应晶体管的栅极接入发射电极驱动控制信号，漏极与所述扫描信号 生成单元的输出端相连。
[0014] 进一步的，所述移位寄存单元还用于将发射电极驱动控制信号的反相信号输出到 所述扫描信号生成单元；
[0015] 所述扫描信号生成单元包括五个薄膜场效应晶体管，其中第一薄膜场效应晶体管 和第二薄膜场效应晶体管为p沟道型薄膜场效应晶体管，第二薄膜场效应晶体管、第三薄 膜场效应晶体管、第四薄膜场效应晶体管为N型沟道薄膜场效应晶体管；并且，
[0016] 第一薄膜场效应晶体管和第三薄膜场效应晶体管的栅极均与发射电极驱动信号 线相连；第一薄膜场效应晶体管的源极接入偏置高电平，漏极与第二薄膜场效应晶体管的 源极相连；第三薄膜场效应晶体管的源极与第四薄膜场效应晶体管的源极相连，漏极与所 述扫描信号生成单元的输出端相连；
[0017] 第二薄膜场效应晶体管和第五薄膜场效应晶体管的栅极接入发射电极驱动控制 信号的反相信号；第二薄膜场效应晶体管的漏极与所述扫描信号生成单元的输出端相连； 第五薄膜场效应晶体管的源极接入偏置低电平，漏极与所述扫描信号生成单元的输出端相 连。
[0018] 第四薄膜场效应晶体管的栅极接入发射电极驱动控制信号，源极接入偏置低电 平。
[0019] 进一步的，所述扫描信号生成单元包括一个与非门和一个反相器；所述与非门的 一个输入端与发射电极驱动信号线相连，另一输入端接入发射电极驱动控制信号，输出端 接入到反相模块的输入端；反相模块的输出端接入到所述扫描信号生成单元的输出端。
[0020] 进一步的，所述驱动输出单元包括：两个传输门，
[0021] 其中，第一传输门的正控制端、第二传输门的负控制端均接入发射电极扫描信号； 第一传输门的负控制端和第二传输门的正控制端均接入发射电极扫描信号的反相信号；
[0022] 第一传输门和第二传输门的输出端均与所述发射电极相连；第一传输门的电压输 入端连接到发射电极驱动低电平，第二传输门的电压输入端接入发射电极驱动高电平。
[0023] 进一步的，所述驱动输出单元包括第六、第七、第八、第九薄膜场效应晶体管，其中 第六薄膜场效应晶体管和第八薄膜场效应晶体管为两个P沟道型薄膜场效应晶体管，第七 薄膜场效应晶体管和第九薄膜场效应晶体管为N沟道型薄膜场效应晶体管；并且，
[0024] 第六薄膜场效应晶体管和第七薄膜场效应晶体管的栅极均接入所述扫描信号生 成单元的输出端；第六薄膜场效应晶体管的源极接入驱动高电平，漏极接入到第七薄膜场 效应晶体管的漏极；第七薄膜场效应晶体管的源极接入驱动低电平；
[0025] 第八薄膜场效应晶体管和第九薄膜场效应晶体管的栅极均连接到第七薄膜场效 应晶体管的漏极；第八薄膜场效应晶体管的源极接入驱动高电平，漏极接入到发射电极； 第九薄膜场效应晶体管的源极接入偏置低电平，漏极接入到发射电极。
[0026] 本发明还提供了一种阵列基板，其特征在于，包括上述任一项所述的发射电极扫 描电路。
[0027] 进一步的，所述发射电极扫描电路集成在所述阵列基板的封框胶区域。
[0028] 进一步的，所述阵列基板的多行像素的公共电极构成一行发射电极。
[0029] 本发明还提供了一种显示装置，其特征在于，包括上述任一项所述的阵列基板。
[0030] 本发明提供的发射电极扫描电路中，包括多个移位寄存单元级联的子扫描电路， 每个子扫描电路分别向发射电极提供驱动信号，这样就避免从阵列基板外引入多条驱动信 号线。并且多个子扫描电路共用发射电极驱动信号线且只需要一个起始信号输入即可驱动 发射电极扫描电路逐行发送发射电极驱动信号。从而本发明的发射电极扫描电路适于集成 到阵列基板的封框胶区域，不需要设置输入线路繁多的扇出结构，有利于实现显示装置的 窄边化，另一方面也避免了输入线路与栅极电压线之间产生的串扰。
【专利附图】
【附图说明】
[0031] 图1为现有技术中的显示面板的结构示意图；
[0032] 图2为本发明提供的一种TX Scanner的结构示意图；
[0033] 图3为本发明提供的TX Scanner和G0A的外部驱动信号示意图；
[0034] 图4为本发明提供的TX Scanner中一种TX产生单元的结构示意图；
[0035] 图5为本发明提供的一种TX Scanner工作时各个信号的时序图；
[0036] 图6为本发明提供的另一种TX Scanner工作时各个信号的时序图；
[0037] 图7为本发明提供的TX Scanner中另一种TX产生单元的结构示意图；
[0038] 图8本发明提供的TX Scanner中另一种TX产生单元的结构示意图；
[0039] 图9为本发明提供的TX Scanner中一种驱动输出单元的结构示意图；
[0040] 图10为本发明提供的TX Scanner中另一种驱动输出单元的结构示意图；
[0041] 图11为本发明提供的显示装置的结构示意图；
[0042] 图12为本发明提供的显示装置中外部驱动信号的接入示意图。
【具体实施方式】
[0043] 下面结合附图和实施例，对本发明的【具体实施方式】作进一步描述。以下实施例仅 用于更加清楚地说明本发明的技术方案，而不能以此来限制本发明的保护范围。
[0044] 为了便于描述，首先对本发明中所涉及的一些术语进行说明：
[0045] G0A_STV为G0A的起始信号；
[0046] G0A_CLK和G0A_CLKB为G0A的一对彼此反相的时钟信号；
[0047] TX Scanner为发射电极扫描电路；
[0048] TX_STV 为 TX Scanner 的起始信号；
[0049] TX_CLK和TX_CLKB为TX Scanner的一对彼此反相的时钟信号；
[0050] TX_CN为发射电极驱动控制信号；
[0051] /TX_CN为TX_CN的反相信号；
[0052] TX为发射电极驱动信号；
[0053] TX_0UT为发射电极扫描信号；
[0054] /TX_0UT 为 TX_0UT 的反相信号；
[0055] TXC0M为TX驱动电压的高电平；
[0056] DCC0M为TX驱动电压的低电平，等于IXD显示的直流公共电平；
[0057] VGH为偏置高电平；
[0058] VGL为偏置低电平；
[0059] TX Scan unit 为 TX Scanner 的一个子扫描电路；
[0060] S/R为移位寄存单元；
[0061] TX_1、TX_2、TX_3......ΤΧ_η_1、ΤΧ_η、ΤΧ_η+1、......、TX_last 为对应行驱动电极或 驱动信号；
[0062] C0M0UT_1、C0M0UT_2、C0M0UT_3......C0M0UT_n_l、C0M0UT_n、C0M0UT_n+l、......、 COMPUT_last_leVel为对应行驱动电极接收的公共电极信号；
[0063] 其中STV_0UT和TX_CN为S/R对STV移位得到的信号；
[0064] 其中 G0A_STV，G0A_CLK，G0A_CLKB，TX_STV，TX_CLK，TX_CLKB 和 TX 信号的高电平 为 VGH，低电平为 VGL，且 VGL〈DCC0M〈TXC0M〈VGH。
[0065] 如图2所示，为本发明提供的TX Scanner的结构示意图，包括多个级联的子扫描 电路TX Scan unit,每一个TX Scan unit包括移位寄存单元S/R、扫描信号生成单元（TX 产生单元）和驱动输出单元，TX产生单元分别与S/R和所述驱动输出单元相连；其中，
[0066] S/R，用于在TX_CLK和TX_CLKB的控制下，对接收到的STV进行移位得到STV_0UT 以及TX_CN，并将STV_0UT输入到下一级TXScan unit中作为下一级的TX Scan unit的 STV，将TX_CN作为发射电极驱动控制信号输入到TX产生单元中；
[0067] TX产生单兀为扫描信号生成单兀，用于根据TX_CN和TX生成发射电极扫描信号 TX_0UT ；
[0068] 驱动输出单元，用于将接收到的TX_0UT的高电平信号转换为TXC0M，并将TX_0UT 的低电平信号转换为DCC0M，之后输出到发射电极。
[0069] 实际应用中，VGL和VGH -般为电路的工作电压，电压的值一般较大，而驱动TX并 不需要这么大的电压。因此，本发明中将其转换为一个较低的电压。这里的TXC0M可以为 检测1C所需的电压，DCC0M可以为公共电极电压。
[0070] 本发明提供的发射电极扫描电路，包括多个移位寄存单元级联的子扫描电路，每 个子扫描电路分别向发射电极提供驱动信号，这样就避免从阵列基板外引入多条驱动信号 线。并且多个子扫描电路共用发射电极驱动信号线且只需要一个起始信号输入即可驱动发 射电极扫描电路逐行发送发射电极驱动信号。从而本发明的发射电极扫描电路适于集成到 阵列基板的封框胶区域，不需要设置输入线路繁多的扇出结构，有利于实现显示装置的窄 边化，另一方面也避免了输入线路与栅极电压线之间产生的串扰。
[0071] 如图3所示，为集成了本发明提供的TX Scanner和栅极驱动（G0A)的外部驱动信 号不意图。
[0072] 在 LCD 显示阶段（图中所示的 LCD Pixel charging)，G0A_CLK 和 G0A_CLKB 输入 时钟方波，G0A_STV输入起始方波信号，GOA工作，SD (源漏）线输入像素灰阶电压，Panel 进行一帧画面的刷新。在这个阶段，TX_CLK，TX_CLKB，TX_STV，TX均保持为VGL，DCCOM和 TXCOM均保持为COM电压，S卩TX_SCANNER电路暂停工作，VCOM ITO输出COM直流电压。
[0073] 在Touch检测阶段（图中所示的TSP Tx scanning)，TX_CLK和TX_CLKB输入时钟 方波，TX_STV输入起始方波信号，TX Scanner电路工作，TX持续输出TX驱动信号，作为TX 电极的VCOM ΙΤ0,从C0M_1到C0M_n逐行输出驱动信号TX_1，TX_2到TX_n。本阶段G0A_ CLK，G0A_CLKB和G0A_STV均保持为VGL，DCCOM为COM电平，TXCOM为驱动1C的RX检测所 需高电平VDD。即GOA电路暂停工作，TX Scanner电路逐行输出TX驱动信号到VCOM ITO。
[0074] -种优选的方案是，S/R还用于将TX_CN的反相信号/TX_CN输出到TX产生单元， 此时，如图4所示，TX Scan unit中TX产生单元的一种具体结构可以包括：五个薄膜场效 应晶体管（TFT)T1、T2、T3、T4、T5，其中T1、T2为P沟道型TFT，T3、T4、T5为N沟道型TFT，
[0075] 其中，T1和T5的栅极均接入/TX_CN ;T1的源极接入VGH，漏极与T2的源极相连； T5的漏极与TX产生单元的输出端TX_0UT相连，源极接入VGL ;
[0076] T2和T4的栅极均与TX信号线相连；T2的漏极连接到TX产生单元的输出端TX_ OUT ;Τ4的源极接入VGL，漏极连接Τ3的源极；
[0077] Τ3的栅极接入TX_CN，漏极与ΤΧ产生单元的输出端相连。
[0078] 实际应用中，可以在S/R或TX产生单元中设置一个反相器，实现对TX_CN的反相 得到/TX_CN，之后将/TX_CN接入到T1和T5的栅极，并将TX_CN接入到T3的栅极。
[0079] 图5为图4中的TX产生单元的TX Scan unit工作时，各个信号的时序图。当TX_ CN为高电平VGH，/TX_CN为低电平VGL时，Τ1和Τ3导通，Τ5截止，TX通过控制Τ2和Τ4， 在TX电极扫描时间内输出高频率的扫描信号TX_0UT。TX_0UT输入到驱动输出单元后，驱 动输出单元将TX_0UT的高低电平由VGH和VGL转换为TXC0M和DCC0M，并输出给TX电极。 输出到各个TX电极（TX_1、TX_2、TX_3……ΤΧ_η-1、ΤΧ_η)的驱动信号的波形图可如图6所 示，在显示阶段各个ΤΧ电极对应接收公共电极信号（C0M0UT_1、C0M0UT_2、C0M0UT_3...... C0M0UT_n-l、C0M0UT_n)。
[0080] S/R还用于将TX_CN的反相信号/TX_CN输出到TX产生单元，TX产生单元的另一 种具体结构可以如图7所示包括：
[0081] 五个薄膜场效应晶体管〇^1')1'1、了2、了3、了4、了5，其中1'1、了2为？沟道型了?1'，丁3、 T4、T5为N沟道型TFT，
[0082] Τ1和Τ3的栅极均与ΤΧ信号线相连；Τ1的源极接入VGH，漏极与Τ2的源极相连； Τ3的源极与Τ4的漏极相连，漏极与ΤΧ产生单元的输出端相连；
[0083] Τ2和Τ5的栅极均接入/TX_CN ;Τ2的漏极与ΤΧ产生单元的输出端相连，Τ5的源极 入VGL，漏极与ΤΧ产生单元的输出端相连；
[0084] Τ4的栅极接入TX_CN，源极接入VGL。
[0085] 采用图7所示的结构，当TX_CN为高电平VGH，/TX_CN为低电平VGL时，T4和T2 导通，T5截止，TX通过控制T1和T3,在TX电极扫描时间内输出高频率的扫描信号TX_0UT。 TX_0UT输入到驱动输出单元后，驱动输出单元将TX_0UT的高低电平由VGH和VGL转换为 TXC0M和DCC0M，并输出给TX电极。
[0086] 当然，S/R也可以仅输出TX_CN，此时TX产生单元的具体结构可以如图8所示包 括：一个与非门NAND1和一个反相模块INV1 ;NAND1的一个输入端与TX信号线相连，另一输 入端接入TX_CN，输出端/TX_OUT接入到INV1的输入端；INV1的输出端接入到TX产生单元 的输出端TX_OUT。
[0087] 其工作原理为：当TX_CN为高电平时，高频率的TX信号通过NANDI和INV1输出 TX_0UT，当TX_CN为低电平时，高频率的TX信号不会被输出。
[0088] 如图9所示，图2中的驱动输出单元的一种优选的结构可以包括：两个传输门TR1 和 TR2，
[0089] 其中，TR1的正控制端和TR2的负控制端均接入TX_0UT ;TR1的负控制端和TR2的 正控制端均接入τχ_ουτ的反相信号/τχ_ουτ ;
[0090] TR1和TR2的输出端均与发射电极相连（即输出TX驱动信号或公共电极信号 C0M0UT) ;TR1的电压输入端连接到DCCOM，TR2的电压输入端接入TXC0M。
[0091] 其工作原理为：当TX_0UT和/TX_0UT输入高频率TX驱动控制信号时，TR1和TR2 交替导通，输出高低电平为TXC0M和DCC0M的高频率TX驱动方波信号；当TX驱动控制信号 TX_0UT和/TX_0UT分别输入VGH和VGL时，TR1开启，TR2关闭，输出端输出DCC0M电平。
[0092] 需要指出的是，当驱动输出单元为图9所示的结构时，对应的TX产生单元可以为 图8中所述的TX生成单元。或者，也可以选用图4或图7中的，此时需要在电路中额外的 添加一个反相器，以为图9中所示的驱动输出单元提供TX_0UT和/TX_0UT。
[0093] 如图10所示，图2中的驱动输出单元另外一种优选的结构可以包括：四个TFT，即 T6、T7、T8、T9,其中T6和T8为P沟道型TFT，T7和第T9为N沟道型TFT ;
[0094] 其中，T6和T7的栅极均接入TX产生单元的输出端；T6的源极接入VGH，漏极接入 到T7的漏极；T7的源极接入VGL ;
[0095] T8和T9的栅极均连接到T7的源极；T8的源极接入TXC0M，漏极接入到发射电极； T9的源极接入DCC0M，漏极接入到发射电极（即输出TX驱动信号或公共电极信号C0M0UT)。
[0096] 这样相当于T6和T7组成第一级的缓冲反相器，其工作高低电平为VGH和VGL，其 中T8和T9组成第二级的输出驱动反相器，其工作高低电平为TXC0M和DCCOM。TX_0UT通 过缓冲反相器和输出驱动反相器后，输出高低电平分别为TXC0M和DCC0M的高频率TX驱动 方波信号到发射电极。
[0097] 不难理解，当驱动输出单元选用如图10所示的结构时，TX产生单元可以选用上述 任一项所述的TX产生单元。不管是输入的信号是τχ_ουτ还是/τχ_ουτ，驱动输出单元都能 够根据输入的信号为TX提供驱动电压。
[0098] 基于相同的构思，本发明还提供了一种阵列基板，包括上述的TXScanner。
[0099] 优选的，如图11所示，TX Scanner集成在阵列基板Array的封框胶Seal区域。此 时，集成有发射电极扫描电路和G0A的外部驱动信号的示意图可如12所示，栅极驱动的外 部输入（G0A_CLK、G0A_CLKB、G0A_STV)均通过G0A输出到阵列基板上，Tx scanner的外部 输入（TX_CLK、TX_CLKB、TX_STV、TX、TXCOM、DCCOM)通过 Tx Scanner 输出到阵列基板上，与 图1对比可以看出，不管面板有多大，TX Scanner的外部输入都仅包括图中的六个信号，也 就是说仅使用六条信号线即可驱动TX Scanner向发射电极（TX1、TX2……TXn)供应Tx驱 动信号，可实现面板的窄边化，并减少与G0A的控制线的串扰。
[0100] 优选的，所述阵列基板的多行像素的公共电极对应于一行发射电极。
[0101] 本发明还提供了一种显示装置，包括上述的阵列基板。
[0102] 显示装置可以为：电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相 框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
[0103] 以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本【技术领域】的普通技术人 员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰 也应视为本发明的保护范围。
【权利要求】
1. 一种发射电极扫描电路，其特征在于，包括多个级联的子扫描电路，每一个子扫描电 路包括移位寄存单元、扫描信号生成单元和驱动输出单元；其中： 所述移位寄存单元，用于对接收到的起始信号进行移位得到下一级子扫描电路的起始 信号以及发射电极驱动控制信号，并将下一级子扫描电路的起始信号输出到下一级子扫描 电路的移位寄存单元，将得到的发射电极驱动控制信号输出到所述扫描信号生成单元； 所述扫描信号生成单元，与发射电极驱动信号线相连，用于根据从所述移位寄存单元 接收到的发射电极驱动控制信号和从所述发射电极驱动信号线接收到的发射电极驱动信 号生成发射电极扫描信号，并将得到的发射电极扫描信号输入到所述驱动输出单元的扫描 信号输入端； 所述驱动输出单元，用于将接收到的发射电极扫描信号的高电平转换为发射电极驱动 高电平，将所述发射电极扫描信号的低电平转换为发射电极驱动低电平，并输出到发射电 极。
2. 如权利要求1所述的发射电极扫描电路，其特征在于，所述移位寄存单元还用于将 发射电极驱动控制信号的反相信号输出到所述扫描信号生成单元； 所述扫描信号生成单元包括五个薄膜场效应晶体管，其中第一薄膜场效应晶体管和第 二薄膜场效应晶体管为P沟道型薄膜场效应晶体管，第三薄膜场效应晶体管、第四薄膜场 效应晶体管和第五薄膜场效应晶体管为N沟道型薄膜场效应晶体管；并且， 第一薄膜场效应晶体管和第五薄膜场效应晶体管的栅极接入发射电极驱动控制信号 的反相信号；第一薄膜场效应晶体管的源极接入偏置高电平，漏极与第二薄膜场效应晶体 管的源极相连；第五薄膜场效应晶体管的源极与所述扫描信号生成单元的输出端相连，漏 极接入偏置低电平； 第二薄膜场效应晶体管和第四薄膜场效应晶体管的栅极均与发射电极驱动信号线相 连；第二薄膜场效应晶体管的漏极连接到所述扫描信号生成单元的输出端；第四薄膜场效 应晶体管的源极接入偏置低电平，漏极接入第三薄膜场效应晶体管的源极； 第三薄膜场效应晶体管的栅极接入发射电极驱动控制信号，漏极与所述扫描信号生成 单元的输出端相连。
3. 如权利要求1所述的发射电极扫描电路，其特征在于， 所述移位寄存单元还用于将发射电极驱动控制信号的反相信号输出到所述扫描信号 生成单元； 所述扫描信号生成单元包括五个薄膜场效应晶体管，其中第一薄膜场效应晶体管和第 二薄膜场效应晶体管为P沟道型薄膜场效应晶体管，第二薄膜场效应晶体管、第三薄膜场 效应晶体管、第四薄膜场效应晶体管为N型沟道薄膜场效应晶体管；并且， 第一薄膜场效应晶体管和第三薄膜场效应晶体管的栅极均与发射电极驱动信号线相 连；第一薄膜场效应晶体管的源极接入偏置高电平，漏极与第二薄膜场效应晶体管的源极 相连；第三薄膜场效应晶体管的源极与第四薄膜场效应晶体管的源极相连，漏极与所述扫 描信号生成单元的输出端相连； 第二薄膜场效应晶体管和第五薄膜场效应晶体管的栅极接入发射电极驱动控制信号 的反相信号；第二薄膜场效应晶体管的漏极与所述扫描信号生成单元的输出端相连；第五 薄膜场效应晶体管的源极接入偏置低电平，漏极与所述扫描信号生成单元的输出端相连。 第四薄膜场效应晶体管的栅极接入发射电极驱动控制信号，源极接入偏置低电平。
4. 如权利要求1所述的发射电极扫描电路，其特征在于， 所述扫描信号生成单元包括一个与非门和一个反相器；所述与非门的一个输入端与发 射电极驱动信号线相连，另一输入端接入发射电极驱动控制信号，输出端接入到反相模块 的输入端；反相模块的输出端接入到所述扫描信号生成单元的输出端。
5. 如权利要求4所述的发射电极扫描电路，其特征在于，所述驱动输出单元包括：两个 传输门， 其中，第一传输门的正控制端、第二传输门的负控制端均接入发射电极扫描信号；第一 传输门的负控制端和第二传输门的正控制端均接入发射电极扫描信号的反相信号； 第一传输门和第二传输门的输出端均与所述发射电极相连；第一传输门的电压输入端 连接到发射电极驱动低电平，第二传输门的电压输入端接入发射电极驱动高电平。
6. 如权利要求1-4所述的发射电极扫描电路，其特征在于，所述驱动输出单元包括第 六、第七、第八、第九薄膜场效应晶体管，其中第六薄膜场效应晶体管和第八薄膜场效应晶 体管为两个P沟道型薄膜场效应晶体管，第七薄膜场效应晶体管和第九薄膜场效应晶体管 为N沟道型薄膜场效应晶体管；并且， 第六薄膜场效应晶体管和第七薄膜场效应晶体管的栅极均接入所述扫描信号生成单 元的输出端；第六薄膜场效应晶体管的源极接入驱动高电平，漏极接入到第七薄膜场效应 晶体管的漏极；第七薄膜场效应晶体管的源极接入驱动低电平； 第八薄膜场效应晶体管和第九薄膜场效应晶体管的栅极均连接到第七薄膜场效应晶 体管的漏极；第八薄膜场效应晶体管的源极接入驱动高电平，漏极接入到发射电极；第九 薄膜场效应晶体管的源极接入偏置低电平，漏极接入到发射电极。
7. -种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求1-6任一项所述的发射电极扫描电路。
8. 如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述发射电极扫描电路集成在所述阵 列基板的封框胶区域。
9. 如权利要求7或8所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板的多行像素的公共电 极构成一行发射电极。
10. -种显示装置，其特征在于，包括如权利要求7-9任一项所述的阵列基板。
【文档编号】G06F3/041GK104103253SQ201410318306
【公开日】2014年10月15日 申请日期:2014年7月4日 优先权日:2014年7月4日
【发明者】谭文, 祁小敬 申请人:京东方科技集团股份有限公司, 成都京东方光电科技有限公司