一种触控面板及其制备方法、显示装置制造方法
【专利摘要】本发明涉及触控【技术领域】，公开一种触控面板及其制备方法、显示装置，其中，触控面板的制备方法包括以下步骤：在衬底上形成具有拓扑半导体特性的触控电极，其中，所述具有拓扑半导体特性的触控电极由功能化元素对锗薄膜进行拓扑化处理获得。通过该触控面板的制备方法得到的触控面板和具有该触控面板的显示装置的触控灵敏度较高。
【专利说明】一种触控面板及其制备方法、显示装置
【技术领域】
[0001]本发明涉及触控【技术领域】，特别涉及一种触控面板及其制备方法、显示装置。
【背景技术】
[0002]在触控【技术领域】，有电阻式、电容式、光学式、电磁式等。其中，电容式触控技术因灵敏度佳、性能优等优势，在应用中占有较高比例。对于电容式触摸屏，透明电极薄膜是必不可少的触控感应单元，其可以收集触控信号，并将其输出给触控1C。
[0003]现有技术中多采用ITO作为电容式触摸屏的透明电极薄膜，其导电性和透明度均较高，基本能满足触摸屏的需求。但ITO制作透明电极薄膜，成膜后需要经过高温退火处理才能保证较高的电导率，当成膜基板为塑料或显示模组时，高温工艺受到限制，就无法获得较高的透明电极薄膜的电导率，因此导致触控灵敏度较低。
【发明内容】
[0004]本发明提供了一种触控面板及其制备方法、显示装置，其中，通过该触控面板的制备方法得到的触控面板的触控灵敏度较高。
[0005]为达到上述目的，本发明提供以下技术方案:
[0006]一种触控面板的制备方法，包括以下步骤:
[0007]在衬底上形成具有拓扑半导体特性的触控电极，其中，所述具有拓扑半导体特性的触控电极由功能化元素对锗薄膜进行拓扑化处理获得。
[0008]通过上述触控面板的制备方法制备的触控面板中，触控电极具有拓扑半导体特性，拓扑半导体具有其表面和边缘处的电阻理论值可以达到零的特性，所以，上述触控电极的电导率较高，因此，触控面板的触控灵敏度较高。
[0009]因此，通过上述触控面板的制备方法制备的触控面板的触控灵敏度较高。
[0010]优选地，在衬底上形成具有拓扑半导体特性的触控电极，具体包括:在衬底上形成锗薄膜、且采用构图工艺形成触控电极图形；利用功能化元素对锗薄膜进行拓扑化处理以获得具有拓扑半导体特性的触控电极。
[0011]优选地，所述形成锗薄膜，具体为:
[0012]采用原子层沉积方法形成锗薄膜；或者，
[0013]采用化学气相沉积方法形成锗薄膜；或者，
[0014]采用机械剥离转移方法形成锗薄膜；或者，
[0015]采用磁控溅射工艺形成锗薄膜；或者，
[0016]采用脉冲激光沉积工艺形成锗薄膜。
[0017]优选地，所述功能化元素为氟元素、氯元素、溴元素或碘元素。
[0018]优选地，所述利用功能化元素对锗薄膜进行拓扑化处理，以获得具有拓扑半导体特性的触控电极，具体包括:
[0019]利用氟元素、氯元素、溴元素或者碘元素对锗薄膜进行卤化，以获得具有拓扑半导体特性的卤化锗薄膜。
[0020]优选地，所述对锗薄膜进行卤化，具体包括:
[0021]采用气相工艺对锗薄膜进行卤化；或者，
[0022]采用液相工艺对锗薄膜进行卤化；或者，
[0023]采用表面修饰工艺对锗薄膜进行卤化；或者，
[0024]采用等离子体处理工艺对锗薄膜进行卤化。
[0025]优选地，采用液相方法对锗薄膜进行卤化时，所述对锗薄膜进行卤化，包括:在液溴氛围下对锗薄膜进行卤化，液溴浓度为1%?10%，处理温度为40?80摄氏度，以形成溴化锗薄膜。
[0026]优选地，采用气相方法对锗薄膜进行卤化时，所述对锗薄膜进行卤化，包括:
[0027]在碘气氛围下、气体压力为I?10帕、处理温度为60?100摄氏度时对锗薄膜进行卤化，以形成碘化锗薄膜；或者，
[0028]在溴气氛围下、在气体压力为I?10帕、处理温度为50?400摄氏度时对锗薄膜进行卤化，以形成溴化锗薄膜；或者，
[0029]在氯气氛围中、处理温度为50?400摄氏度时对锗薄膜退火lOmin，以形成氯化锗薄膜。
[0030]优选地，采用气相方法对锗薄膜进行卤化时，所述对锗薄膜进行卤化，包括:在BCl3气体的氛围下、气体压力为I?10帕、处理温度为250?350摄氏度时对锗薄膜进行卤化，并在卤素气体氛围下90?130摄氏度退火，以形成氯化锗薄膜。
[0031]优选地，采用表面修饰方法对锗薄膜进行卤化时，所述对锗薄膜进行卤化，包括:将含有齒素的有机胶体材料涂布在衬底上；将所述衬底涂有有机胶体材料的一侧贴压在锗薄膜上，以使得有机胶体中的卤素原子转移到锗薄膜上，从而实现锗薄膜的卤化。
[0032]优选地，采用等离子体处理方法对锗薄膜进行卤化时，所述对锗薄膜进行卤化，包括:在电感耦合等离子体或者反应离子蚀刻设备中，采用卤元素等离子体轰击锗薄膜表面，以使得卤元素等离子体吸附在锗薄膜中，从而实现锗薄膜的卤化。
[0033]优选地，所述功能化元素为氢元素、氮元素、硼元素或硫元素。
[0034]优选地，所述触控电极包括第一电极和第二电极，其中:
[0035]所述第一电极为驱动电极，所述第二电极为感应电极；或者，
[0036]所述第一电极为感应电极，所述第二电极为驱动电极。
[0037]—种触控面板，包括衬底和形成于所述衬底上的触控电极，所述触控电极为含锗元素的拓扑半导体薄膜。
[0038]优选地，所述含锗元素的拓扑半导体薄膜为利用氟元素、氯元素、溴元素或者碘元素对锗薄膜进行卤化形成的卤化锗薄膜。
[0039]优选地，所述卤化锗薄膜为单原子层卤化锗薄膜、双原子层卤化锗薄膜或者多原子层卤化锗薄膜。
[0040]优选地,所述卤化锗薄膜的厚度为0.5?10nm。
[0041]优选地，所述含锗元素的拓扑半导体薄膜为利用氢元素、氮元素、硼元素或硫元素对锗薄膜进行拓扑化处理形成的拓扑半导体薄膜。
[0042]优选地，所述触控电极包括第一电极和第二电极，其中:所述第一电极为驱动电极，所述第二电极为感应电极；或者，所述第一电极为感应电极，所述第二电极为驱动电极。
[0043]优选地，所述第一电极位于所述衬底上，所述第二电极位于所述第一电极背离所述衬底的一侧，所述第一电极和所述第二电极同层设置，且每一个所述第一电极与所述第二电极的交叠部位设有:
[0044]位于衬底与第二电极之间的桥接金属层；
[0045]位于桥接金属层与第二电极之间的绝缘层，所述绝缘层设有过孔，所述第一电极通过绝缘层的过孔与桥接金属层电连接。
[0046]优选地，所述桥接金属层材料为Mo。
[0047]优选地，所述第一电极和第二电极位于所述衬底的两侧。
[0048]优选地，所述第一电极和第二电极位于所述衬底的同侧且不同层。
[0049]优选地，所述衬底为玻璃或者柔性薄膜。
[0050]一种显示装置,包括上述任一项所述的触控面板。
【专利附图】
【附图说明】
[0051]图1为本发明实施例提供的一种触控面板的制备方法流程图；
[0052]图2为本发明实施例提供的一种触控面板的纵切面结构示意图；
[0053]图3为本发明实施例提供的另一种触控面板的结构示意图；
[0054]图4为图3中提供的触控面板沿A-A方向的纵切面结构示意图。
【具体实施方式】
[0055]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0056]请参考图1、图2、图3和图4，图1为本发明实施例提供的一种触控面板的制备方法流程图；图2为本发明实施例提供的一种触控面板的纵切面结构示意图；图3为本发明实施例提供的另一种触控面板的结构示意图；图4为图3中提供的触控面板沿A-A方向的纵切面结构示意图。
[0057]如图1、图2、图3和图4所示，本发明提供的触控面板的制备方法，包括以下步骤:
[0058]在衬底I上形成具有拓扑半导体特性的触控电极4，其中，所述具有拓扑半导体特性的触控电极4由功能化元素对锗薄膜进行拓扑化处理获得。
[0059]通过上述触控面板的制备方法制备的触控面板中，触控电极4具有拓扑半导体特性，拓扑半导体具有其表面和边缘处的电阻理论值可以达到零的特性，所以，触控电极4的电导率较高，因此，上述触控面板的触控灵敏度较高。
[0060]因此，通过上述触控面板的制备方法制备的触控面板的触控灵敏度较高。
[0061]如图1所示，一种具体的实施例中，在衬底I上形成具有拓扑半导体特性的触控电极4,具体包括:
[0062]步骤S101，在衬底I上形成锗薄膜、且采用构图工艺形成触控电极图形；
[0063]步骤S102，利用功能化元素对锗薄膜进行拓扑化处理以获得具有拓扑半导体特性的触控电极4。
[0064]如图1所示,在上述实施例的基础上,一种具体的实施例中，步骤SlOl中，形成锗薄膜，具体可以通过以下方法实现:
[0065]方式一，采用原子层沉积方法形成锗薄膜。
[0066]方式二，采用化学气相沉积方法形成锗薄膜。
[0067]方式三，采用机械剥离转移方法形成锗薄膜。
[0068]方式四，采用磁控溅射工艺形成锗薄膜。
[0069]方式五，采用脉冲激光沉积工艺形成锗薄膜。
[0070]在上述实施例的基础上，一种具体的实施例中，锗薄膜可以为单原子层锗薄膜、双原子层锗薄膜或者多原子层锗薄膜。
[0071]如图1所示，在上述各实施例的基础上，一种具体的实施例中，步骤S102中，功能化元素具体可以为:氟元素、氯元素、溴元素或者碘元素。
[0072]如图1所示，在上述实施例的基础上，一种具体的实施例中，步骤S102中，利用功能化元素对锗薄膜进行拓扑化处理，以获得具有拓扑半导体特性的触控电极4，具体包括:
[0073]利用氟元素、氯元素、溴元素或者碘元素对锗薄膜进行卤化，以获得具有拓扑半导体特性的卤化锗薄膜。
[0074]在上述实施例的基础上，一种具体的实施例中，对锗薄膜进行卤化，可以通过以下方法实现:
[0075]方式一，采用气相方法对锗薄膜进行卤化。
[0076]具体地，上述方式一具体可以包括:
[0077]在溴气氛围下对锗薄膜进行卤化，在气体压力为I?10帕，处理温度为50?400摄氏度时，锗薄膜可以被溴气卤化形成具有拓扑半导体特性的溴化锗薄膜；或者，
[0078]在氯气氛围中、处理温度为50?400摄氏度环境下对锗薄膜退火lOmin，以形成具有拓扑半导体特性的氯化锗薄膜；或者，
[0079]在碘气氛围下对锗薄膜进行卤化，气体压力为I?10帕，处理温度为60?100摄氏度，以形成具有拓扑半导体特性的碘化锗薄膜；或者，
[0080]在BCl3气体的氛围下对锗薄膜进行卤化，气体压力为I?10帕，处理温度为250?350摄氏度，并在卤素气体氛围下90?130摄氏度退火，以形成具有拓扑半导体特性的氯化锗薄膜。
[0081]方式二，采用液相方法对锗薄膜进行卤化。
[0082]具体地，上述方式二具体可以包括:
[0083]在液溴氛围下对锗薄膜进行卤化，液溴浓度为1%?10%，处理温度为40?80摄氏度，以形成具有拓扑半导体特性的溴化锗薄膜。
[0084]方式三，采用表面修饰方法对锗薄膜进行卤化。
[0085]具体地，上述方式三具体可以包括:
[0086]采用含有卤素的有机胶体材料，首先将其涂布在一个衬底上，之后将该涂有有机薄膜的衬底贴压在已沉积锗薄膜的基板上，利用原子团的亲水或疏水特性，使得有机薄膜中相应的含卤素原子团转移到锗薄膜上，从而完成锗薄膜卤化过程。采用表面修饰工艺对锗薄膜进行拓扑化处理的反应可以在接近室温的条件下进行。
[0087]方式四，采用等离子体处理方法对锗薄膜进行卤化。
[0088]具体地，上述方式四具体可以包括:
[0089]采用氯气或四氯化碳作为反应气体，在电感耦合等离子体(ICP)、反应离子蚀刻(RIE)等设备中，卤元素等离子体会轰击锗薄膜表面，进而可能吸附在锗薄膜中，从而完成锗薄膜的卤化过程。采用等离子体处理工艺对锗薄膜进行拓扑化处理，处理温度较低，且可以使膜层表面更均匀。
[0090]如图2、图3和图4所示，一种具体的实施例中，触控电极4包括第一电极2和第二电极3，其中:
[0091]第一电极2为驱动电极，第二电极3为感应电极；或者，
[0092]第一电极2为感应电极，第二电极3为驱动电极。
[0093]—种具体的实施方式中，第一电极2和第二电极3可以位于衬底I的同一侧，当第一电极2和第二电极3位于衬底I的同一侧时，第一电极2和第二电极3可以为同层设置也可以不位于同一层。
[0094]如图3和图4所示，当第一电极2和第二电极3为同层设置时:
[0095]步骤S101，在衬底I上形成锗薄膜、且采用构图工艺形成触控电极图形之前，还包括:在衬底I上沉积金属层，并通过构图工艺形成桥接金属层图形以形成桥接金属层5 ;在桥接金属层5上沉积绝缘层6，并通过构图工艺形成绝缘层图形，且在绝缘层6上形成过孔7 ；
[0096]步骤S101，在衬底I上形成锗薄膜、且采用构图工艺形成触控电极图形，具体包括:在绝缘层6上形成锗薄膜，并通过构图工艺形成第一电极图形和第二电极图形，第一电极图形中的第一电极通过绝缘层的过孔7与桥接金属层5电连接。
[0097]当第一电极2和第二电极3不位于同一层时:
[0098]步骤S101，在衬底I上形成锗薄膜、且采用构图工艺形成触控电极图形，具体包括:在衬底I上形成第一锗薄膜，并通过构图工艺形成第一电极图形；在第一锗薄膜背离衬底I的一侧上形成第二锗薄膜，并通过构图工艺形成第二电极图形。
[0099]另一种具体的实施方式中，第一电极2和第二电极3可以位于衬底I相对的两侧。如图2所示，当第一电极2和第二电极3位于衬底I相对的两侧时，步骤S101，在衬底I上形成锗薄膜、且采用构图工艺形成触控电极图形，具体包括:在衬底I第一侧面上形成第一锗薄膜，并通过构图工艺形成第一电极图形；在衬底I中与第一侧面相对的第二侧面上形成第二锗薄膜，并通过构图工艺形成第二电极图形。
[0100]一种具体的实施例中，步骤S102中，功能化元素还可以为氢元素、氮元素、硼元素或硫元素。
[0101]如图2所示，本发明还提供一种触控面板，该触控面板包括衬底I和形成于衬底I上的触控电极4，触控电极4为含锗元素的拓扑半导体薄膜，该触控面板触控灵敏度较高。
[0102]一种具体的实施例中，上述含锗元素的拓扑半导体薄膜可以为利用氟元素、氯元素、溴元素或者碘元素对锗薄膜进行齒化形成的齒化锗薄膜。
[0103]一种优选的实施例中，卤化锗薄膜可以为单原子层卤化锗薄膜、双原子层卤化锗薄膜或者多原子层卤化锗薄膜。优选地，卤化锗薄膜的厚度为0.5?10nm。
[0104]一种具体的实施例中，上述含锗元素的拓扑半导体薄膜还可以为利用氢元素、氮元素、硼元素或硫元素对锗薄膜进行拓扑化处理形成的拓扑半导体薄膜。
[0105]如图2、图3和图4所示，在上述各实施例的基础上，一种具体的实施例中，触控电极4包括第一电极2和第二电极3，其中:第一电极2为驱动电极，第二电极3为感应电极；或者，第一电极2为感应电极,第二电极3为驱动电极。
[0106]如图3和图4所不在上述实施例的基础上,一种优选的实施例中，第一电极2位于衬底I的一侧，第二电极3可以位于第一电极2背离衬底I的一侧，第一电极2和第二电极3同层设置，且每一个第一电极2与第二电极3的交叠部位设有:
[0107]位于衬底I与第二电极3之间的桥接金属层5 ；
[0108]位于桥接金属层5与第二电极3之间的绝缘层6，绝缘层6设有过孔7，第一电极2可以通过绝缘层6的过孔7与桥接金属层5电连接。优选地，桥接金属层5材料为Mo。
[0109]如图2所示，另一种优选的实施例中，第一电极2和第二电极3可以位于衬底I的两侧。
[0110]如图2所示，在上述各实施例的基础上，一种具体的实施例中，衬底I可以为玻璃或者柔性薄膜。
[0111]另外一种实施例中，第一电极2和第二电极3可以为同层设置也可以不位于同一层。第一电极2和第二电极3不位于同一层时可以通过以下制备工艺形成:在衬底I上形成锗薄膜、且采用构图工艺形成触控电极图形，具体包括:在衬底I上形成第一锗薄膜，并通过构图工艺形成第一电极图形；在第一锗薄膜背离衬底I的一侧上形成第二锗薄膜，并通过构图工艺形成第二电极图形。
[0112]上述实施例只是对本发明主要发明点的简要描述，本发明不局限于此，包含本发明实质发明点的任何公开现有的触控面板结构都为本发明保护的范围。
[0113]本发明还提供一种显示装置，所述显示装置包括前述任意一种触控面板，该显示装置触控灵敏度较高。
[0114]显然，本领域的技术人员可以对本发明实施例进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
【权利要求】
1.一种触控面板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤: 在衬底上形成具有拓扑半导体特性的触控电极，其中，所述具有拓扑半导体特性的触控电极由功能化元素对锗薄膜进行拓扑化处理获得。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在衬底上形成具有拓扑半导体特性的触控电极，具体包括:在衬底上形成锗薄膜、且采用构图工艺形成触控电极图形；利用功能化元素对锗薄膜进行拓扑化处理以获得具有拓扑半导体特性的触控电极。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述形成锗薄膜，具体为: 采用原子层沉积方法形成锗薄膜；或者， 采用化学气相沉积方法形成锗薄膜；或者， 采用机械剥离转移方法形成锗薄膜；或者， 采用磁控溅射工艺形成锗薄膜；或者， 采用脉冲激光沉积工艺形成锗薄膜。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述功能化元素为氟元素、氯元素、溴元素或碘元素。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述利用功能化元素对锗薄膜进行拓扑化处理，以获得具有拓扑半导体特性的触控电极，具体包括: 利用氟元素、氯元素、溴元素或者碘元素对锗薄膜进行齒化，以获得具有拓扑半导体特性的卤化锗薄膜。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述对锗薄膜进行卤化，具体包括: 采用气相工艺对锗薄膜进行卤化；或者， 采用液相工艺对锗薄膜进行卤化；或者， 采用表面修饰工艺对锗薄膜进行卤化；或者， 采用等离子体处理工艺对锗薄膜进行卤化。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，采用液相方法对锗薄膜进行卤化时，所述对锗薄膜进行卤化，包括:在液溴氛围下对锗薄膜进行卤化，液溴浓度为处理温度为40?80摄氏度，以形成溴化锗薄膜。
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，采用气相方法对锗薄膜进行卤化时，所述对锗薄膜进行卤化，包括: 在碘气氛围下、气体压力为I?10帕、处理温度为60?100摄氏度时对锗薄膜进行卤化，以形成碘化锗薄膜；或者， 在溴气氛围下、在气体压力为I?10帕、处理温度为50?400摄氏度时对锗薄膜进行卤化，以形成溴化锗薄膜；或者， 在氯气氛围中、处理温度为50?400摄氏度时对锗薄膜退火lOmin，以形成氯化锗薄膜。
9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，采用气相方法对锗薄膜进行卤化时，所述对锗薄膜进行卤化，包括: 在BCl3气体的氛围下、气体压力为I?10帕、处理温度为250?350摄氏度时对锗薄膜进行卤化，并在卤素气体氛围下90?130摄氏度退火，以形成氯化锗薄膜。
10.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，采用表面修饰方法对锗薄膜进行卤化时，所述对锗薄膜进行齒化，包括:将含有齒素的有机胶体材料涂布在衬底上；将所述衬底涂有有机胶体材料的一侧贴压在锗薄膜上，以使得有机胶体中的卤素原子转移到锗薄膜上，从而实现锗薄膜的卤化。
11.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，采用等离子体处理方法对锗薄膜进行卤化时，所述对锗薄膜进行卤化，包括:在电感耦合等离子体或者反应离子蚀刻设备中，采用卤元素等离子体轰击锗薄膜表面，以使得卤元素等离子体吸附在锗薄膜中，从而实现锗薄膜的卤化。
12.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述功能化元素为氢元素、氮元素、硼元素或硫元素。
13.根据权利要求1?12任一项所述的制备方法，其特征在于，所述触控电极包括第一电极和第二电极，其中: 所述第一电极为驱动电极，所述第二电极为感应电极；或者， 所述第一电极为感应电极，所述第二电极为驱动电极。
14.一种触控面板，包括衬底和形成于所述衬底上的触控电极，其特征在于，所述触控电极为含锗元素的拓扑半导体薄膜。
15.根据权利要求14所述的触控面板，其特征在于，所述含锗元素的拓扑半导体薄膜为利用氟元素、氯元素、溴元素或者碘元素对锗薄膜进行卤化形成的卤化锗薄膜。
16.根据权利要求15所述的触控面板，其特征在于，所述卤化锗薄膜为单原子层卤化锗薄膜、双原子层卤化锗薄膜或者多原子层卤化锗薄膜。
17.根据权利要求15所述的触控面板，其特征在于，所述卤化锗薄膜的厚度为0.5?1nm0
18.根据权利要求14所述的触控面板，其特征在于，所述含锗元素的拓扑半导体薄膜为利用氢元素、氮元素、硼元素或硫元素对锗薄膜进行拓扑化处理形成的拓扑半导体薄膜。
19.根据权利要求14所述的触控面板，其特征在于，所述触控电极包括第一电极和第二电极，其中: 所述第一电极为驱动电极，所述第二电极为感应电极；或者， 所述第一电极为感应电极，所述第二电极为驱动电极。
20.根据权利要求19所述的触控面板，其特征在于，所述第一电极位于所述衬底上，所述第二电极位于所述第一电极背离所述衬底的一侧，所述第一电极和所述第二电极同层设置，且每一个所述第一电极与所述第二电极的交叠部位设有: 位于衬底与第二电极之间的桥接金属层； 位于桥接金属层与第二电极之间的绝缘层，所述绝缘层设有过孔，所述第一电极通过绝缘层的过孔与桥接金属层电连接。
21.根据权利要求20所述的触控面板，其特征在于，所述桥接金属层材料为Mo。
22.根据权利要求19所述的触控面板，其特征在于，所述第一电极和第二电极位于所述衬底的两侧。
23.根据权利要求19所述的触控面板，其特征在于，所述第一电极和第二电极位于所述衬底的同侧且不同层。
24.根据权利要求14?23任一项所述的触控面板，其特征在于，所述衬底为玻璃或者柔性薄膜。
25.—种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求14?24任一项所述的触控面板。
【文档编号】G06F3/041GK104407740SQ201410728381
【公开日】2015年3月11日 申请日期:2014年12月3日 优先权日:2014年12月3日
【发明者】王龙, 李延钊, 乔勇, 卢永春 申请人:京东方科技集团股份有限公司